InGaAs／GaAs应变单量子阱的表面光伏谱

采用表面光伏谱方法,测量了应变ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ单量子阱在不同温度下光伏效应．结合理论计算对样品表面光伏谱的谱峰进行了指认,分析了量子阱内子能级间的跃迁能量、强度及跃迁峰半宽随温度的变化关系     

半绝缘GaAs中的双极扩散长度

分析了半绝缘（ Ｓ Ｉ） Ｇａ Ａｓ 表面光伏的特点和公式．用表面光伏方法测量了不同砷压热处理 Ｓ Ｉ Ｇａ Ａｓ 单晶的双极扩散长度,用 １．１ μｍ 红外吸收法测量 Ｅ Ｌ２ 浓度,并对测量结果作了分析和讨论．指出双极扩散长度 Ｌａ 是反映 Ｓ Ｉ Ｇａ Ａｓ 质量的一个重要电学参数．     

温度对1.3μmInGaAsP半导体激光器增益特性的影响

使用计算机控制的测量系统，测量了１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器的自发发射光谱，计算了增益谱，同时研究了最大增益与环境温度的依赖关系。利用实验结果对Ｌａｓｈｅｒ和Ｓｔｅｒｎ的简化分析模型作了拟合处理，得到发射复合系数与温度的依赖关系。     

离子注入方法制备半导体一维量子线

使用质子Ｈ￣＋和聚焦Ｇａ￣＋离子束方法，在ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱材料上制备半导体一维量子线。通过低温阴极射线发光谱和光致发光谱，测量了由于Ａｌ从ＡｌＧａＡｓ势垒向ＧａＡｓ量子阱内扩散导致的发光谱峰的兰移，并讨论上述两种离子注入方法各具有的特点及不同的结果。     

GaAg／Al0.3Ga0.7As多量子阱的平方电光效应和光折变效应…

本文研究了半绝缘ＧａＡｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ多量子阱的电光效应和光折变效应。用光调制反射谱分析了样品的结构，用电调制透射谱测量了电吸收和电折变；用二波混合的方法测量了它的光折变性质。对两种方法得到的电吸收和电折变作了分析比较。     

层状膜磁光克尔效应的研究及其自动测量仪的建立

以获取磁光材料较全面的介电张量对角元和非对角元复显谱为目的，建立了光学常数谱和磁光常数谱的自动测量系统。阐述了测量系统的理论基础，将测量波长范围拓宽到３２００Ａ至８４００Ａ，能够测量磁光材料的光学常数、磁光克尔旋转角和克尔椭偏率，从而得到材料磁光常数完整的信息。     

N—Ga1—xAlxAs的低温光伏特性

报道了Ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ低温光伏的异常特性，在暗条件下降温的样品，其低温光钛的初始强度比受光照的样品的光伏初始强度大得多，对这两种不同初始条件，当样品加热到大约１００～１５０Ｋ时，其低温光伏强度发生跳跃，这些异常特性归因于Ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ〉０．２２）中的ＤＸ中心的电荷态变化。     

多孔硅／硅带隙参数的研究

测量了不同电腐蚀条件下制备的多孔硅／硅光伏谱，推导了带隙参数的计算公式．表面光伏谱测量计算值与光致发光的实验结果基本一致．     

N－Ga_（1－x）Al_xAs的低温光伏特性

报道了Ｎ－Ｇａ＿（１－ｘ）Ａｌ＿ｘＡｓ低温光伏的异常特性．在暗条件下降温的样品，其低温光伏的初始强度比受光照的样品的光伏初始强度大得多，对这两种不同初始条件，当样品加热到大约１００～１５０Ｋ时，其低温光伏强度发生跳跃．这些异常特性归因于Ｎ－Ｇａ＿（１－ｘ）Ａｌ＿ｘＡｓ（ｘ＞０．２２）中的ＤＸ中心的电荷态变化．     

1.3μmInGaAsP半导体激光器晶格温升的研究

测量了１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ半导体激光器自发发射光谱。利用脉冲工作条件下自发发射谱线的微小漂移，对激光器激光活区中晶格温升进行了测量分析，得到了晶格温升与热平衡时间的关系曲线。     

一个Cu(Ⅱ)配位超分子的研制及光物理性质

采用水热方法合成了1个新的Cu(Ⅱ)配合物[Cu(pdc)2]·[(CH3)2NH2]2(H2pdc=吡啶-2,5-二羧酸).通过X射线单晶衍射确定了该配合物的结构.对配合物进行了IR、固体UV-Vis吸收光谱、表面光电压光谱(SPS)和场诱导表面光电压光谱(FISPS)、热重等物性表征.结构分析表明,该配合物为Cu(Ⅱ)的单核配合物,其中Cu(Ⅱ)离子为四配位(CuN2O2配位模式),形成扭曲的平面四边形构型.晶体中,分子间通过Cu…O弱键及氢键网联成3D超分子.SPS结果表明,该配合物在300~800nm范围内呈现出一定的光电响应,表明它具有一定的光电转换能力.将SPS与UV-Vis光谱进行了关联,发现它们具有密切关系.     

两个Cu（Ⅱ）配位超分子的研制及光物理性质

采用水热和溶剂热方法合成了2个Cu（Ⅱ）配合物：[Cu（C3H2O4）（phen）（H2O）]2·3H2O（1）和[Cu（inic）2（H2O）3]·H2O（2）（phen=邻菲啰啉;inic=异烟酸根）.通过单晶X射线衍射、IR、UV-Vis-NIR吸收光谱、表面光电压光谱（SPS）对其进行了结构表征和物性测试.结构分析表明,2种配合物均为单核Cu（Ⅱ）配合物.配合物（1）中Cu（Ⅱ）离子为五配位,配位环境为畸变的四方锥构型;配合物（2）中Cu（Ⅱ）离子为五配位,配位微环境为畸变的四方锥构型.丰富的分子间氢键将它们网联成了2D配位超分子.2种配合物的SPS在300～800nm范围内都呈现出正的表面光伏响应,表明它们都具有一定的光电转换能力.分析讨论了2种配合物的电子光谱和SPS谱.     

Crystal structure and surface photo-electric property of Mn（Ⅱ） coordination supramolecules

Two Mn（Ⅱ） coordination supramolecules, [Mn2（C8HTO2）4（phen）2（p-H20）] （1） and [Mn2（btec）（phen）2（H2O）6]·2H2O （2） （phen=1,10-phenanthroline, H4btec=1,2,4,5-benzenetetracarboxylic acid）, were synthesized by hydrothermal method. The crystal structures of the complexes were determined by X-ray single crystal diffraction. The result indicates that （1） and （2） are both binuclear Mn（Ⅱ） complexes. The existence of hydrogen bonds makes the binuclear complexes become further connected to coordination supramolecules, which possess 1D and 3D infinite structures respectively. The complexes were identified by IR, UV-Vis, surface photovoltage spectrum （SPS） and field-induced surface photovoltage spectrum （FISPS）. The results of SPS for the complexes indicate that they both exhibit positive surface photovoltage response bands in the range of 300-600 nm. The SPS phase spectrum and FISPS of complexes indicate that they show certain p-type semiconductor characteristic. However, the intensity, position and number of the SPV response bands are different obviously. The difference of the SPV response bands is mainly attributed to the different structures of the complexes and the different coordination environment of Mn（ll） in the two complexes. This paper discusses the action of hydrogen bonds in the construction of the supramolecule and the change on the surface photovoltage of complex in different coordination environment.     

纳米二氧化硅/硅异质结的表面光伏特性

采用溶胶 -凝胶法在P型单晶硅的表面镀上一层纳米二氧化硅薄膜 ,应用表面光电压谱 (SPS)、漫反射光谱 (DRS)和傅里叶红外光谱 (FTIR)研究其室温下的光伏、光吸收特性 .结果表明 :在单晶硅表面镀上一层纳米二氧化硅薄膜后 ,漫反射吸收系数F(R)比单晶硅提高了约 5 0 % ,相应的光电压信号提高了约两个数量级 .在 40 0～ 80 0℃热处理温度范围内随着温度的升高 ,纳米复合材料SiO2 /Si的光伏效应增强 ,红外光谱中的Si-O键振动吸收峰降低 ,二氧化硅薄膜中欠氧状态加剧 .     

Synthesis and properties of water-soluble oligo-（p-phenylkene vinylene）

A water-soluble oligo(p-phenylkene vinylene)[4,4′-(1,4-phenylene dithenylene)-bis-(N-methyl pyridinium iodide)] was synthesized by Witting reaction. The oligomer was characterized by NMR, elemental analysis, UV-visible spectrum, surface photovoltage spectrum and fluorescence spectrum.     

配聚物[Cd2（2,5-pdc）2（H2O）4]n的光电性能

采用水热合成法,以2,5-吡啶-二羧酸为配体,得到了Cd(Ⅱ)配聚物:[Cd2(2,5-pdc)2(H2O)4]n(2,5-H2pdc=2,5-吡啶-二羧酸).采用X射线单晶衍射确定了配聚物的晶体结构.配聚物的不对称单元为Cd2(2,5-pdc)2(H2O)4,其中两个不等效的金属Cd(Ⅱ)离子均为6配位.在配聚物晶体中,Cd(Ⅱ)离子之间通过pdc2-上的羧基O原子连接,形成了具有2D结构的配聚物,氢键进一步将其连接成3D超分子.采用表面光电压光谱(SPS)研究了配聚物的表面光电性能.结果表明,该配聚物在300~800nm范围内呈现出较强的光伏响应,表明他具有一定的光-电转换能力.对配聚物的UV-Vis-NIR吸收光谱、IR光谱进行了测定和指认,并将SPS谱与UV-Vis-NIR吸收光谱进行了关联.     

叶绿素光电化学电池光灵敏性的研究

从光的强度、光的波长、光的入射方向和光照时间等几个方面对叶绿素光电化学电池的光灵敏性进行了研究,光强对电池的光电压和光电流都有影响。电流的作用光谱与叶绿素a的吸收光谱基本一致。正方向照射时,电池的光电压和光电流都比反向照射时大,连续长期的光照后,光电压没有明显的变化。对以上的实验结果作了理论说明。     

半导体激光器噪声测试系统

以PC机为主控单元,研制了半导体激光器噪声测试系统,通过PC机对频谱分析仪的远程控制,完成对器件噪声信号的自动采集和处理。用该系统对InP／InGaAsP V双异质结半导体激光器的电噪声和电阻的热噪声进行了测量。实验结果表明,该系统可重复性好,测试结果准确。     

Dy2O3纳米晶光伏特性及谱带解析

利用紫外-可见反射吸收光谱对不同粒径的Eu2O3纳米晶进行光吸收特性的研究,并结合表面光电压谱技术对其谱带进行了解析.     

SnO2／Si特性的研究

在不同温度下，由ＣＶＤ法，在（１１１）和（１００）单晶硅上淀积ＳｎＯ２，测量了它们的光电压谱和相应的气敏特性，推导了光电压的计算公式，并由此计算出其重要的参数