气压在由SiH_4淀积多晶硅时的作用

对由SiH_4淀积多晶硅的质量输运过程进行动力学分析,建立了完整的淀积模型和速率表达式,并由该式讨论了气压对淀积速率和表观激活能的影响。指出,从常压至数乇,随气压降低淀积速率提高,表观激活能降低。特别设计了突出气压影响的实验,实验结果支持理论分析的结论。还讨论了气压降低对淀积质量的影响。     

SnO_2薄膜的化学气相淀积 Ⅰ.SnO_2薄膜的制备过程动力学

利用化学气相淀积方法,在载玻片上淀积二氧化锡薄膜,研究了过程的动力学特征,考察了不同操作参数对淀积速率的影响。建立了淀积速率与反应气体分压的关系式,并初步提出了淀积过程的反应原理。     

PECVD多晶硅膜的计算机模拟

在LPCVD理论模型基础上,通过引进“电子温度”,对 PECVD多晶硅膜进行了计算机模拟分析.结果表明,射频功率和反应室气压是影响PECVD淀积速率分布的两个主要因素,且两者受p=kW线性关系的制约,即对于一定的射频功率,总可选择一合适的反应室气压,使淀积速率分布最佳.实验结果与理论分析相吻合.     

PECVD多晶硅膜的计算机模拟

在ＬＰＣＶＤ理论模型基础上，通过引进“电子温度”，对ＰＥＣＶＤ多晶硅膜进行了计算机模拟分析。结果表明，频功率和反应室气压是影响ＰＥＣＶＤ淀积速率分布的两个因素，且两者受ｐ＝ｋＷ线性关系的制约，即对于一定的射频功率，总可选择一何适的反应室气压，使淀积速率分布最佳，实验结果与理论分析相吻合。     

汽相淀积多晶硅薄膜结构和性质的研究

多晶硅薄膜的制备采用硅烷(SiH_4)热分解化学汽相淀积法。利用透射电子显微镜、扫描电子显微镜和红外光谱仪等手段对膜的微结构进行了研究。我们发观膜的结构特性强烈地依赖于淀积条件,实验结果指出:假如在整个淀积过程的最初阶段采用“低温成核”,就不难获得适合于硅栅MOS集成电路的优质多晶硅膜。当低温成核温度为650℃～700℃,并控制一定的淀积条件,所制得的膜是光亮和均匀的,其晶粒大小约为300～500埃。文中对“低温成核”的机理及多晶薄膜的生长模型也进行了讨论。此外,对多晶膜的光学、电学和介电等性质进行了测量,对多晶硅由于晶粒间界的存在而引起的一系利与单晶硅不同的性质进行了计算和分析,从而为器件设计提供某些有用的理论数据。     

反射率极值法监控薄膜淀积的计算机模拟

利用计算机计算薄膜在反射率极值法监控的镀膜系统上淀积时监控片反射率的实时变化并模拟薄膜的实际淀积过程,得出设计膜系在一定制备工艺条件下所获得成膜的膜系结构,根据模拟结果计算的光学特性曲线与实际淀积出的成膜实测值相吻合.     

气相生长统一模型

从微观输运与化学反应动力学出发,将薄膜气相生长过程划分为五个步骤,基于对步骤的分析,得到了淀积过程的共同规律,建立了气相淀积生长速率的统一模型.代入有关参数和少数实验数据即可得到具体的实用模型.文中揭示的薄膜生长规律对于优选工艺方法和具体工艺参数具有参考意义.     

具Marta势能Hamilton系统的Liouville不可积性

基于Morales-Ramis理论,用理论分析的方法考虑具有Marta势能的Hamilton系统的不可积性问题,证明了该Hamilton系统在Liouville意义下是亚纯不可积的.利用该结果可从不可积性的角度了解该系统的动力学行为及拓扑结构.     

气相生长统一模型

从微观输运与化学反应动力学出发，将薄膜气相长生过程划分为五个步骤，基于对步骤的分析，得到了淀积过程的共同规律，建立了气相淀积生长速度的统一模型，代入有关参数少数实验数据即可得到具体的实用模型，文中揭示的薄膜生长规律对于优选工工艺方法和具体工艺参数具有参考意义。     

多晶硅薄膜淀积的核化和早期生长

研究了在常压SiH_4-H_2系统中,于1050C下,在不同衬底上所获得的多晶硅淀积层的结构和核化生长过程。实验发现,衬底性质对核化过程和早期淀积层结构有影响。与热生长SiQ_2衬底比较,SiO_2+Si_3N_4 复合衬底上的淀积具有核化过程发生早,岛核尺寸小密度高,淀积层晶粒细密等特点。SiO_2 同H_2及淀积硅的反应是影响高温条件下在SiO_2衬底上核化和生长的原因。文章还讨论了核化阶段的相变过程。     

溅射薄膜的B．A．Movchan－A．V．Demchishin微观结构的模拟

文章从物理统计规律观点出发．研究了微观溅射粒子的动力学淀积过程。着重考虑到真空度、基片温度、溅射角度等因素对淀积的影响．模拟研究了Ｂ．Ａ．Ｍｏｖｃｈａｎ－ＡＶ．Ｄｅｍｃｈｉｓｈｉｎ的溅射微观结构关系图。     

脉冲激光淀积制备LiTaO3光波导薄膜的研究

报道了利用准分子脉冲激光淀积技术在（００１）和（０１２）蓝宝石衬底上制备ＬｉＴａＯ３光波导薄膜的实验研究。利用Ｘ光衍射和Ｒａｍａｎ光谱术鉴定所生长薄膜的微结构，研究了脉冲能量、衬底温度、氧分压和淀积室几何等因素对薄膜质量的影响。结果表明脉冲能量和衬底温度对薄膜生长的择优取向有很大影响，而氧分压和淀积室的几何配置主要影响薄膜的生长动力学。在合适的工艺条件下制备了优质的外延膜，薄膜显示了优异的光波导性     

强自然对流流体的有限元解法：用于化学气相相淀积反应器

以冷壁化学气相淀积（ＣＶＤ）反应器中淀积ＴｉＮ涂层为对象，对立了适用于强自然对流流体的ＣＶＤ反应器模型。模型中包括流动、传热、传质和化学反应，计入了温度对物性参数的影响。通过编制求解该复杂模型的有限元程度，计算反应器中流型、温度及浓度的分布。定量计算了ＴｉＮ的淀积速率，计算值与实验值基本一致。该模型与程序不仅适用于本文所描述的淀积ＴｉＮ系统，也可以成为各种外延反应器和金属有机化学气相淀积反应器中计     

LPCVD设备维护保养的重要性分析

LPCVD设备是目前国内外半导体集成电路,半导体光电器件制备工艺中常用的CVD设备之一。简要分析正硅酸乙酯源低压化学气相淀积法淀积SiO_2膜过程中产生的问题,并根据实际使用的经验,对低压化学气相淀积法设备在生产过程中出现的问题进行讨论,分析和总结其维护及保养措施。     

反应蒸发制备的TiN薄膜特性研究

本文利用反应蒸发方法在NH_3气氛中淀积了TiN薄膜。俄歇电子谱(AES)、X射线衍射技术和电特性测量等方法分别用来分析了在不同NH_3气压和不同衬底温度条件下所淀积的TiN薄膜的组分、晶体结构和电特性。Al/TiN/Si金属化系统经550℃、30分钟退火,卢瑟福背散射研究结果表明,TiN是一种有效的扩散势垒材料。     

立式冷壁反应器中化学气相淀积TiN涂层 Ⅰ.淀积参数对反应速率和涂层质量的影响

在立式冷壁CVD反应器中,用TiCl_4-H_2N_2和TiCl_4-H_2N_2-Ar为反应物源,在YT15硬质合金刀片上淀积TiN涂层。研究了淀积参数对淀积薄膜质量和淀积速率的影响。得到的TiN_x涂层外观光洁,呈金黄色,x为0.8～1.6,淀积速率15～60m~(-6)/h,显微硬度1800～2200HV,淀积反应为扩散过程控制;表观活化能为46.5kJ/mol。实验表明,TiN在冷壁反应器中的淀积速率远大于在热壁反应器中的淀积速率。     

强自然对流流体的有限元解法──用于化学气相淀积反应器

以冷壁化学气相淀积（ＣＶＤ）反应器中淀积ＴｉＮ涂层为对象，建立了适用于强自然对流流体的ＣＶＤ反应器模型。模型中包括流动、传热、传质和化学反应，计入了温度对物性参数的影响。通过编制求解该复杂模型的有限元程序，计算反应器中流型、温度及浓度的分布。定量计算了ＴｉＮ的淀积速率，计算值与实验值基本一致。该模型与程序不仅适用于本文所描述的淀积ＴｉＮ系统，也可以成为各种外延反应器和金属有机化学气相淀积反应器中计算传递过程的重要工具。     

用等离子体化学传输淀积[PCTD]法制备非晶硅合金膜及其特性

等离子体化学传输淀积[PCTD]法,是我们用来制备非晶硅合金膜的第二种新方法。在这方法中,我们利用从气体源产生的等离子体中的活性元素,在付蚀区腐蚀多晶硅或多晶硅和掺杂材料。腐蚀后的产物由于气流和电场的作用,传输到淀积区与H_2及电极和衬底表面起反应,在淀积区电场中的衬底上淀积出非晶硅合金膜。文中对淀积的机理、制备方法以及膜的结构和性质作了报导和讨论。     

硅烷热分解汽相淀积多晶硅

本文讨论了电荷耦合器件(CCD)的多晶薄膜的淀积,研究了多晶硅薄膜的掺杂,报导了以三氯化磷为淀积多晶硅薄膜的掺杂剂实验结果。文中还分析了多晶硅对CCD器件性能的影响。     

阴极电淀积CdTe多晶薄膜组织结构的观察与分析

用电淀积方法制作CdTe薄膜,可降低半导体材料的消耗和生产费用,对降低太阳电池成本具有很大吸引力。但由于发展较晚,工艺尚不成熟,重覆性也差。其原因是对成膜机理和各种影响因素未能有足够了解。为此,我们在不同电淀积条件下制备了CdTe薄膜,并对它作了X射线结构分析和电镜观察,初步得出一些结果: 1.有些CdTe薄膜中,出现Cd晶粒、针孔、裂缝等缺陷,对薄膜质量是有害的。它们的出现与许多因素有关,如电淀积过程中搅拌情况,衬底的表面状态,电介液的组成,阴极电位,电流密度,以及样品中的残余内应力等。 2.电淀积CdTe多晶薄膜都有不同程度的织构现象,这对改善太阳电池性能有利。提出了一个柱状晶体生长模型加以解释。