光敏剂与紫外正性抗蚀剂合成工艺的改进

抗蚀剂是由酚醛树脂成膜剂、重氮萘醌光敏剂、添加剂和溶剂四大类组成，为提高集成电路等器件制作的生产量，就要缩短曝光时间，增加抗蚀剂的感光灵敏度，光敏剂的结构及加入量将影响胶的感光性、曝光量、操作宽容度和耐热性等．本文对正性抗蚀剂合成过程中加入光敏剂的效果作一报道，以设计出一条提高其酯化度的工艺路线。     

电子束熔凝司太立合金复层的抗蚀性能研究

在不锈钢2Cr13表面,用直流磁控溅射沉积,经电子束熔凝处理,获得司太立合金复层,利用电化学技术研究了在0.5M硫酸和0.1M氯化钠溶液中的腐蚀特性.有效地改善了2Cr13钢的抗蚀性能,临界电流密度I_c降低2个量级,钝态电流密度降低一个量级.利用扫描电子显微镜,结合EDAX进行了显微形貌和化学成分分析.     

2A12铝合金真空电子束焊接工艺研究

本文研究了2A12铝合金材料的性能，探讨了真空电子束焊接技术的应用范围和焊接流程以及真空电子束焊接工艺的发展．在此基础上采用了“试件法”的焊接方法，对2A12铝合金进行了试验，确定了焊接工艺参数，保证了焊缝所需的力学性能，满足了设计使用要求．     

氮化—气相氧化复层工艺及抗蚀性研究

本文研制了一种新型的复合化学热处理工艺，在金属表面形成了牺牲阳极复层。它的构成是以氮化形成的ε相层为内层，气相氧化层为外层。３％ＮａＣｌ水溶液浸蚀试验证明：复层抗蚀性近１０倍地优于单一的ε相层，此外笔者借助于扫描电镜Ｘ－衍射仪、能谱仪等设备对复层的抗蚀机理进行了探讨。     

电子束法沉积 ITO 透明导电膜的研究

论述了ＩＴＯ膜的导电机理及生长机理,讨论了电子束加热真空蒸镀ＩＴＯ膜的方法中,膜的组分、氧分压、衬底温度和蒸发速率等几个参数对ＩＴＯ膜光电性能的影响．在选择合适的工艺条件下制备ＩＴＯ膜,电阻率约４×１０－４Ω·ｃｍ,可见光范围内平均透过率高于９０％．     

电子束熔融直接金属成型工艺的研究

研究了工艺参数对电子束熔融工艺过程的影响,采用线性回归分析建立了一个数学模型.研究结果表明,扫描线宽与电子束电流、加速电压和扫描速度呈明显的线性关系,当搭接率为0.5时,所获得的层面质量优于搭接率小于0.5时的层面质量,回旋扫描路径可以减少热量的积累,有效地防止金属小液滴的飞溅,从而得到较好的层面质量.针对实验中出现的电子与粉末碰撞造成的未熔粉末的飞溅,采用优化的工艺参数对粉层进行预热,从而大大减少了未熔粉末的飞溅.对于扫描线的球化,采用功率与扫描速度的比值大于0.1的工艺参数进行扫描,获得了连续的扫描线.通过对工艺参数的优化,得到了性能优异的一维扫描线和二维层面,为三维实体的成型奠定了基础.     

电子束蒸发a—Si1—xCrx薄膜的电导特性研究

本研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素Ｃｒ的非晶硅基薄膜ａ－Ｓｉ１－ｘＣｒｘ的变温电导特性。实验结果表明，Ｘ≤１０ａｔ％的组分范围内，室温电导率由８．７×１０＾－６增大到７．２×１０＾－１Ω＾－１，ｃｍ＾－１，在２９０Ｋ到５００Ｋ的范围内，薄膜的电导机制为载流子激发到导带扩展态的传导导电和ＥＦ附近的杂质定域态的载流子热激活的跳跃导电。Ｃｒ＾３＋离子在非晶薄膜中的存在形式，它对硅悬挂键的补偿以及掺Ｃｒ     

电子束蒸发制备碳化硼微球涂层的工艺研究

自行设计一套筛网反弹盘三维沉积装置,用于电子束蒸发制备碳化硼微球涂层. 采用电子束蒸发法并结合此装置在直径为1 mm的玻璃小球表面沉积了碳化硼涂层. 研究了筛网振动频率、电子束制备工艺对沉积速率、涂层厚度以及涂层表面粗糙度的影响. 采用X射线照相技术测试涂层的厚度;XPS测试涂层表面成分;AFM表征涂层的表面形貌和均方根粗糙度. 结果表明：涂层主要成分为B4C,表面较为光滑、均匀;当筛网振动频率为0.25 Hz,且电子束蒸发工艺参数定为：真空度P小于3×10-3 Pa,高压U 等于6 kV,束流I 在 1     

电子束蒸发WO3—基气敏薄膜特性的研究

介绍了用电子束蒸发制作ＷＯ３气敏薄膜，溅射掺Ａｕ、膜的热处理工艺以及对Ｈ２Ｓ气体的敏感特性测量的初步结果。着重讨论了ＷＯ３膜的稳定化过程。     

氮化一气相氧化复层工艺及抗蚀性研究

本文研制了一种新型的复合化学热处理工艺。在金属表面形成了牺牲阳极复层，它的构成是以氮化形成的ε相层为内层，气相氧化层为外层，３％ＮａＣｌ水溶液浸蚀试验证明：复层抗蚀性近１０倍地优于单一的ε相层。此外笔者借助于扫描电镜Ｘ一衍射仪、能谱仪等设备对复层的抗蚀机理进行了探讨。     

电沉积TiB_2复合涂层阴极抗蚀性的研究

本文在实验室中用电沉积法制备了TiB_2—碳素基体复合涂层阴极试样,并进行了电解实验。借助电子显微镜和电子探针对试样电解前后的组织结构进行观察分析。结果表明,涂层为细密的TiB_2多晶体,有较强的抗蚀性,能被铝液良好湿润,可提高电流效率(达95％)。电解时的微量损耗主要是在铝液中溶解—磨蚀。此种材料可作为新型铝电解阴极材料。     

冷压印光刻中高分辨率抗蚀剂的研究

在集成电路的冷压印光刻中，为了获得高分辨率抗蚀剂，着重对溶剂挥发固化型、化学交联固化型和紫外光照交联固化型材料，从复形分辨率、涂铺均匀性、脱模性、流动性、物理粘度、刻蚀比率、固化速度、固化方式和固化收缩率等方面进行了分析和研究。经过对比，得出低粘度光固化树脂具有薄膜厚度容易控制且均匀(误差为O．3％)、固化速度快(小于O．2min)和固化收缩率小(3％)等特性，其对冷压印光刻工艺的匹配性明显优于溶剂挥发固化型和化学交联固化型材料。因此，最终决定采用低粘度光固化树脂作为冷压印光刻工艺中的抗蚀剂。     

铁在含Cl^—的NO3^——H2SO4体系中的钝化与孔蚀

用动电势扫描和交流阻抗方法研究纯铁在0.05mol/l H_2SO_4+0.1mol/l NaNO_3和0.05mol/lH_2SO_4+0.1mol/l NaNO_3+0.01mol/l NaCl溶液体系中的电化学行为。讨论了在酸性介质中,在阳极钝化的电势范围内,NO_3~-可抑制Cl~-对Fe表面的孔蚀作用;当[NO_3~-]》[Cl~-]时,在上述电势范围内Fe表面呈钝化态。     

电子束蒸发Al2O3/SiO2复合薄膜电学性能的研究

利用离子辅助电子束蒸发技术,在玻璃基底上以交替沉积的方式制备了A12O3/SiO2叠层复合薄膜,单层介质膜膜厚分别选取54和16 nm,总厚度为560 nm.采用步进法测试得到金属电极/复合绝缘膜/金属电极(MIM)结构的I-V特性曲线,具体成分为CrCuCr/(Al2O3/SiO2)8/CrCuCr,相应的厚度为80...     

利用Langmuir技术构筑的光抗蚀剂聚合物纳米薄膜的表面微观结构及在光刻蚀方面的应用（I）：气液界面上聚合物单分子膜表面行为的研究

合成了含有缩酮保护基团的共聚物聚N-十二烷基丙烯酰胺／1．4-二噁螺环[4,4]壬烷-2-亚甲基甲基丙烯酸酯pDDMA／DNMMA,并用Langmuir技术构建了单层和多层纳米超薄膜,用表面压（π）和静态弹性模量（Es）随平均重复单元面积（A）的变化研究了聚合物在气／液界面上的表面行为。研究结果表明,共聚物pDDMA／DNMMA能在水面上紧密排列,形成稳定的分子取向规整的Langmuir分子膜,其单层膜的厚度为1．6nm;分子的主链平躺在水面上,分子的侧链基团以与水面呈62°夹角向上伸展。与π-A曲线相比,Es—A曲线能更清楚直观地反映单分子层在挤压过程中微观结构的变化。Es-π曲线的研究为优化拉膜工艺条件提供了可靠依据。排列紧密的单分子膜在-定的表面压下,可单层、多层均匀的转移到固体基板上,形成规整有序层状结构的LB膜。     

利用Langmuir技术构筑的光抗蚀剂聚合物纳米薄膜的表面微观结构及在光刻蚀方面的应用(Ⅰ): 气液界面上聚合物单分子膜表面行为的研究

合成了含有缩酮保护基团的共聚物聚N-十二烷基丙烯酰胺/1.4-二噁螺环[4,4]壬烷-2-亚甲基甲基丙烯酸酯pDDMA/DNMMA,并用Langmuir技术构建了单层和多层纳米超薄膜,用表面压(π)和静态弹性模量(Es)随平均重复单元面积(A)的变化研究了聚合物在气/液界面上的表面行为.研究结果表明,共聚物pDDMA/DNMMA能在水面上紧密排列,形成稳定的分子取向规整的Langmuir分子膜,其单层膜的厚度为1.6nm;分子的主链平躺在水面上,分子的侧链基团以与水面呈62.夹角向上伸展.与π-A曲线相比,Es-A曲线能更清楚直观地反映单分子层在挤压过程中微观结构的变化.Es-π曲线的研究为优化拉膜工艺条件提供了可靠依据.排列紧密的单分子膜在一定的表面压下,可单层、多层均匀的转移到固体基板上,形成规整有序层状结构的LB膜.     

A2O—MBR工艺反硝化脱氮除磷研究

以自行设计的双反应器A2O-MBR为研究对象.对模拟生活废水的脱氮除磷进行了研究.结果表明:当N、P负荷为0.14和0.3 kg·m-3·d-1时,COD、N、P去除率分别为90.5%、80.6%和67.7%,系统不必外投硝酸盐即可实现反硝化除磷.具有很强的反硝化脱氪除磷能力,反硝化聚磷菌(DPAOs)占总聚磷菌(PAO)的比例和反硝化除磷量占总除磷量的比率分别达70.00%和69.81%;污泥回漉中硝酸盐量超过一定范围会发生对厌氧释磷的抑制.本系统中当进水ρ(COD):ρ(TP)为30:1时,进水COD与回流污泥硝酸盐的比例应高于30:1.采用问歇抽吸出水有助于延缓膜污染,膜出水不受污泥沉降性的影响.     

ZrO2—TiO2多孔陶瓷膜的制备研究

以Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４和Ｚｒ（ＮＯ３）．５Ｈ２Ｏ为前驱物，用Ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制备了ＺｒＯ２－ＴｉＯ２多孔陶瓷膜，研究了不同Ｚｒ／Ｔｉ比和浓度对ＺｒＯ２－ＴｉＯ２干ｇｅｌ的影响，研究了不同Ｚｒ／Ｔｉ比和烧结过程对ＺｒＯ２－ＴｉＯ３多孔陶瓷膜结构的影响，制备了孔径小（约１８ｎｍ）孔径分布很窄，孔隙率较高（约３６％）面积较大的ＺｒＯ２－ＴｉＯ２多孔陶瓷膜。     

2—甲基乙酰苯胺合成工艺的优化

以邻甲苯胺为原料,以冰醋酸为酰化试剂来合成邻甲基乙酰苯胺,考察影响酰化反应的主要因素,结果表明最适宜的反应条件是:锌粉冰醋酸的用量为邻甲苯胺:锌粉=0.1mol:0.1g。n(冰醋酸):n(邻甲苯胺)=5:1;分馏温度控制在100～105℃,最终所得产品收率可达81.5%。