电致变色WO3薄膜的结构与光电性能研究

对电致变色ＷＯ３薄膜的结构与光电性能进行了研究．首先从ＷＯ３薄膜的微观结构、电子能态出发，分析了电化学反应导致ＷＯ３薄膜光吸收并着色的机理；其次介绍了ＷＯ３薄膜的制作方法和过程．采用真空电子枪将热压块状ＷＯ３（纯度９９．９％）蒸镀在普通玻璃衬底上，然后用多种物理手段测试了ＷＯ３薄膜的性能与工艺参数的关系，如ＸＲＤ、ＸＰＳ．选择适当的工艺参数可使得膜层的特性达到最佳．最后指出ＷＯ３薄膜最有希望应用在光电子学和太阳能应用领域     

电子束蒸发WO3—基气敏薄膜特性的研究

介绍了用电子束蒸发制作ＷＯ３气敏薄膜，溅射掺Ａｕ、膜的热处理工艺以及对Ｈ２Ｓ气体的敏感特性测量的初步结果。着重讨论了ＷＯ３膜的稳定化过程。     

Al_2O_3/W层状复合材料的制备

采用流态成型－离心注浆成型、热压烧结成功地制备了Ａｌ２Ｏ３／Ｗ层状复合材料,研究了Ａｌ２Ｏ３层、金属Ｗ层的厚度对层状复合材料力学性能的影响．结果表明,Ａｌ２Ｏ３／Ｗ层状复合材料的抗弯强度和断裂韧性不仅与Ａｌ２Ｏ３层、金属Ｗ层的厚度有关,而且与Ａｌ２Ｏ３／Ｗ层厚比有关．     

WO3超微电极及其在心肌细胞分析中的应用

该文报道了钨超微电极的制作方法,利用电化学氧化的手段在钨超微区域衍生三氧钨膜而制成三氧化钨／钨（ＷＯ３／Ｗ）ｐＨ超微电极。实验发现,在ｐＨ２．０￣１３．０的范围内,ＷＯ３／Ｗ超微电极对Ｈ＾＋呈较好的响应,相关系数为０．９９９６,频率为５６．６ｍＶ／ｐＨ。将超微电极应用于心肌细胞缺血性损伤的研究中,结果满意。     

用WOCl_4制备WO_3薄膜

在Ｈｅ－Ｏ２混合气压恒定，射频功率为４０Ｗ～５０Ｗ、高压汞灯加热电流为５Ａ～６Ａ，衬底被加热到１００℃的条件下，以ＷＯＣＩ４作源，采用等离子体增强ＣＶＤ技术制备了ＷＯ３薄膜．沉积速度为４３ｕｍ／ｍｉｎ．该膜为无定形结构．在４００℃以上退火处理，由无定形转变为结晶形．并具有电致变色特性．     

Al2O3-WO3二元系线性热敏材料研究

利用激光烧结工艺合成了Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３系列ＮＴＣ热敏陶瓷材料．研究发现,这种陶瓷材料在一定的组分范围和工艺条件下,在较宽的温区内,其阻温特性呈现良好的线性关系．Ｘ－ｒａｙ衍射分析表明,经激光烧结的ＮＴＣ热敏材料中含有Ａｌ２Ｏ３,Ａｌ２（ＷＯ４）３和ＡｌｘＷＯ３相,且此材料中的导电相为钨青铜结构的ＡｌｘＷＯ３．ＡｌｘＷＯ３相是在Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３二元系平衡相图中所没有的．     

在WFW网络下的动态数据变换

本文介绍在ＭｉｃｒｏｓｏｆｔＷＩＮＤＯＷＳＦＯＲＷＯＲＫＲＯＵＰＳ３．１（以下简称ＷＦＷ）网络环境下用ＭｉｃｒｏｓｏｆｔＶＩＳＵＡＬＢＡＳＩＣ３．０（以下简称ＶＢ３．０）实现不同计算机之间动态数据交换的方法，并给出了主要程序     

WO3基H2S气体传感器的研究

介绍了电子束蒸发ＷＯ３膜和以该膜为敏感材料的Ｈ２Ｓ气体传感器工艺，分析了膜的灵敏度和膜的稳定性以及掺金和分步热处理对器件性能的影响     

新的六方晶钨氧化合物Na_xWO_3的制备

用热液法制备了ＮａｘＷＯ３,ｘ为０００１８～００３８０,这是一类新的六方晶钨氧化合物．斜方晶钨酸钠酸化水洗,再进行热液脱水;当钠含量≥１６０×１０－６时（质量分数）,得到斜方晶ＷＯ３·１３Ｈ２Ｏ单相,当钠含量≤４０×１０－６时,得到ＷＯ３·Ｈ２Ｏ单相,当钠含量在４０×１０－６～１６０×１０－６之间则为两相混合物．斜方晶ＷＯ３·１３Ｈ２Ｏ在２９０～４２０℃脱水得到六方晶ｈＮａｘＷＯ３;继续升高温度在４２０～４５０℃恒温处理,则得到单斜晶ｍＮａｘＷＯ３．     

十二烷基磺酸钠微乳状液的相行为及其结构转变

制备了Ｃ１２Ｈ２５ＳＯ３Ｎａ／ｎＣ４Ｈ９ＯＨ／ｎＣ７Ｈ１６／Ｈ２Ｏ和Ｎａ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ／Ｃ１２Ｈ２５ＳＯ３Ｎａ／ｎＣ４Ｈ９ＯＨ／ｎＣ７Ｈ１６体系在ｋｍ＝ＷＣ４Ｈ９ＯＨ／ＷＣ１２Ｈ２５ＳＯ３Ｎａ＝２时的相图．测定了起始含油质量分数为２１的上述表面活性剂辅助表面活性剂正庚烷体系在纯水和在不同浓度Ｎａ２ＳＯ４水溶液中单相微乳状液的电导率随含水量的变化曲线．由电导率曲线研究了微乳状液由Ｗ／Ｏ→二连续→Ｏ／Ｗ型的结构转变．     

MO-PECVD SnO2气敏薄膜的制备及表征

目的 探索制备SnO2薄膜的最佳工艺，研究氧分压与其薄膜元件气敏性能间的关系。方法 以金属有机化合物(MO)四甲基锡[Sn(CH3)4]为源物质，采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)。利用X射线衍射仪和扫描电镜(SEM)对薄膜的晶体结构、SnO2晶体的颗粒度进行了表征，对不同样品的气敏性能做了测试分析。结果 优化出制备SnO2薄膜的最佳工艺。结论 氧分压是影响SnO2颗粒尺寸大小及薄膜元件气敏性能的重要因素。     

P型重掺杂硅薄膜及其在叠层电池隧道结中的应用

本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积出不同掺杂浓度的硅薄膜.利用原子力显微镜(AFM),IR和Raman散射等手段对硅薄膜的微结构进行了研究.通过测试薄膜的暗电导和激活能,对硅薄膜的电学特性进行了分析.为提高隧道结的复合速率,在隧道结的N层、P层之间插入不同掺杂浓度的硅薄膜做复合层,并测试了隧道结的电流-电压特性和透光性.实验结果表明:随着掺杂气体比例R(B2H6/SiH4)的增加,硅薄膜逐渐由微晶硅转变为非晶硅,薄膜的微结构和电学特性随之改变.隧道结复合层的最佳掺杂气体比例R=0.04,在该条件下的薄膜是含有少量品粒的非晶硅.使用该复合层的隧道结具有阻抗小、接近欧姆接触、光吸收少等优点.     

反应气压对氢化非晶氮化硅薄膜的发光特性影响

采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术制备了氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,利用光致发光谱(PL)和傅里叶红外吸收谱(FTIR)研究了不同气压条件下所形成薄膜的发光特性.结果表明,在较高气压条件下,所沉积薄膜的发光峰位在2.5 eV附近;减小气压使薄膜的沉积速率下降,其内部原子微观结构发生变化,薄膜的发光峰位在3.05 eV处,其半高宽为1.48 eV.     

稀土元素修饰双层薄膜的气敏特性

采用PECVD方法制备Fe2O3／SnO2双层气敏薄膜，利用浸渍方法对稀土元素（La，Nd，Sm，Er，Yb）与铝配制的乳浊液进行表面修饰．测试结果表明，修饰后的双层薄膜对乙醇或丙酮具有较高的灵敏度与选择性。     

Influence of laser doping on nanocrystalline ZnO thin films gas sensors

The effect of laser doping of Al on the gas sensing behavior of nanocrystalline ZnO thin films is reported. The doping of Al was carried out by the spin-coating of Al-precursors on nanocrystalline ZnO films followed by a pulsed laser irradiation. The laser-doped films were characterized as a function of laser power density by measuring the optical, structural, electrical, morphological and gas sensing properties of ZnO films. It was found that the laser doping process resulted in an increase of electrical conductivity of ZnO films. The performance of gas sensor was investigated for different concentrations of H2 and NH3 in the air. The results indicate that the laser doping process can be utilized to improve the sensor characteristics such as sensitivity and response time by optimization of laser power density. The optimum laser power is interpreted as the critical power level required to compete the effective doping versus developing the effective grain boundaries. Also, the selectivity of laser-doped ZnO sensors for H2 was studied for a likelihood practical gas mixture composed of H2, NH3 and CH4. It is found that these films can be optimized to develop H2 and NH3 sensors in PPM level with a higher selectivity over other reducing gases.     

滑移边界下气膜厚度阶跃变化的阶形板间气体流动

为进一步研究微尺度下气膜厚度阶跃变化的阶形板间气体流动的相关物理特性,通过代入适用于任意克努森数的新滑移边界条件修正雷诺方程,应用有限体积法迭代求解了阶形板间沿气体流动方向的气膜压力和克努森数分布曲线,沿高度方向的气体流动速度分布曲线,不同环境克努森数下的气膜承载力随速度参数的变化曲线。结果表明:随着气膜间克努森数进入滑流区时,边界速度滑移效应对流体流动特性作用明显,当气膜间克努森数进入过渡区时,一阶滑移与新滑移边界条件间的数值结果产生明显偏差。可知相对于滑移系数固定的一阶滑移边界条件,滑移系数随气膜间克努森数改变而变化的新滑移边界条件,可以更好地描述高度存在阶跃变化即气膜间克努森数跨区域分布的微尺度气体流动。     

缓冲气体对激光烧蚀制备掺 Er 纳米 Si 晶薄膜结构特性的影响

采用 XeCl 脉冲准分子激光器,保持激光脉冲比为1:3,分时烧蚀Er靶和高阻抗单晶Si靶,在10 Pa的Ne气环境下沉积了掺Er非晶Si薄膜. 在氮气保护下,分别在1 000℃,1 050 ℃和1 100℃温度下进行30 min热退火处理. 对所得样品的Raman谱测量证实,随着退火温度的升高,薄膜的晶化程度提高;利用扫描电子显微镜观测了所制备的掺Er纳米Si晶薄膜的表面形貌,并与相同实验参数、真空环境下烧蚀并经热退火的结果进行了比较. 结果表明,Ne气的引入,使形成轮廓明显的掺Er纳米Si晶粒的退火温度降低,有利于尺寸均匀的晶粒的形成.     

溅射于NiMnCo上的TiO2薄膜的结构与相变

利用射频磁控溅射方法以纯金属钛做靶材在氩氧混合气 体中制备了TiO₂薄膜. X射线衍射结果表明, 在NiMnCo合金基底上成功地沉积了 具有金红石、 金红石/锐钛矿和锐钛矿结构的TiO₂薄膜, 工作气压从0.2 Pa变 化到2 Pa, TiO₂薄膜的结构由金红石相变到锐钛矿相. 低于600 nm时, 厚度对T iO₂薄膜结构没有明显影响.     

溅射参数对非晶态CoFeNiNbSiB软磁薄膜性质的影响

系统研究了溅射工艺对非晶磁性薄膜的影响,发现在不同的氩气压下,薄膜的磁学性质随负偏压有不同的变化关系。采用电子探针、扫描电子显微镜等测试手段,发现在不同的溅射条件下,非晶膜的微观结构不同。在较高氩气压下,膜中会出现许多圆柱形结构,从而引起膜的软磁性能下降。分析了造成这种结构差别的原因。采用最佳溅射条件,制出了性能优良的非晶态软磁薄膜。     

多壁碳纳米管膜酒敏特性的研究

碳纳米管膜在空气中吸附乙醇气体,乙醇气体诱导碳纳米管膜电阻变化.实验用热灯丝CVD法制备的碳纳米管研究发现碳纳米管膜具有良好的酒敏特性,响应时间和恢复时间较短,并且化学修饰的碳纳米管膜酒敏特性大大提高.