半导体二极管P—n结的激光显微光谱分析

本实验待测样品为经高温寿命试验200小时后报废的稳压二极管管芯。由于该型号管子寿命试验2000小时后报废率达90%以上,因此查明致损原因,就成为一个急待解决的问题。在进行激光显微光谱分析前,曾对同种废品管芯作金相观察和扫描电子显微镜成分分析。得到了管芯与电极材料各过渡层的接触面外貌图象,但成分分析结果不能肯定 p     

P—AlGaAs／n—GaAs异质结载流子输运机理

在20～300K的温度内测量了P-AlGaAs/n-GaAs异质结伏安特性和光伏谱随温度的变化,认为在正偏压下,通过p-n结的载流子输运过程有隧穿复合和扩散两个机构参与,对实验数据进行拟合,计算一些重要参数。     

超突变P—n结的容——压特性

一、引言任何一个P—n结都具有电容效应,其电容均随外加电压而变。超突变P—n结的电容灵敏地依赖于反向电压,因此,其电容一电压指数n大于突变结。超突变结变容二极管是用超突变P—n结构成的器件,它作为一个可变电容器而用于调谐电路中。近十几年来,由于这种用变容管作调谐元件的电调技术迅速发展,促使人们对超突变P—n结的容—压特性进行广泛、深入的研究。研究工作大体上从两方面进行。     

P—N结器件模拟参数的确定

在给出半导体器件模拟基本方程的基础上,为减少模拟过程中的运算量,对模拟中所需的参数在何种状态下才开始起作用加以讨论,如载流子的雪崩系数,只有当电场强度达到某一值时才会考虑由于碰撞电离而引起的电子和空穴的产生,即载流子的雪崩系数,从而影响载流子的产生率。同时还给出了载流子的复合率,迁移率,本征载流子浓度,能带宽度,热传导系数随电场或温度的变化规律。     

高耐压PTC陶瓷的制作

采用严格的陶瓷制作工艺,选择合适的配方,利用化学纯原料,制了出了不同掺杂的ＰＴＣ陶瓷并进行了比较,得到了耐压值高于２２０Ｖ／ｍｍ的良好的ＰＴＣ陶瓷。     

激光辐照NTD—Si形成P—N结的研究

本文扼要阐述了用CO_2辖续激光辐照NTD—St生成P—N结的具体过程与条件并根据实际数据对其生成机理作了合理分析。     

高功率微波激励下p—n结器件响应

通过采用时域有限差分方法（FDTD）和混合算法处理半导体器件所满足的刚性、耦合、非线性偏微分方程组，建立PN结半导体器件在高功率微波（Hight Power Microwave）激励下瞬态响应的一维模型，并在此基础上进行二极管功率耗散情况的分析和对微波信号响应截止频率的计算，从而对PN结半导体在高功率微波激励下的损伤机理进行研究，计算表明，二极管功率耗散主要集中在源电压正半周峰值附近，器件的热击穿应发生在信号的正半周期内，10GHz应可视为该二极管对微波信号响应的截止频率。     

8-细胞期显微注射获得高嵌合率的2n及4n小鼠囊胚

本实验通过对8-细胞期2n或4n胚胎进行单细胞显微注射单个IPS,结果可以获得高嵌合率的胚胎,2n和4n胚胎的嵌合率分别达到86.0%±8.4%和70.4%±18.1%,相比囊胚注射更易操作,此实验为进一步制备高嵌合率的小鼠做准备.     

非晶态硅P—N结电流与偏压关系

本文的主要目的是证明:晶体结与非晶结的电流—电压特性可以在数学上写成相似的形式.它们之间的差别,可以用不同的"饱和电流"与不同的"理想因子"来表示.并且指出,这些差别在物理上是由于偏压对隙态电荷占领的影响,亦即偏压改变了本征势垒的高度和产生—复合率,所得的结果基本上是与实验一致的.     

p—n结击穿电压蠕变饱和陷阱理论的改进

在深入分析击穿电压蠕变时间常数τ物理机构的基础上,进一步改进了p-n结击穿电压蠕变饱和陷阱理论,使理论与实验结果更为吻合。     

高耐磨性Ni—P—Sic化学复合镀层的制取

本文采用正交试验的方法研究了Ｎｉ－Ｐ－ＳｉＣ化学复合镀液中ＳｉＣ微颗粒加入量，ＳｉＣ粒度以及镀液的ｐＨ值，施镀温度和镀后热处理五个因素对化学复合镀层的耐磨性能的影响趋势，并由此获得制备具有优异耐磨性能的Ｎｉ－Ｐ－ＳｉＣ化学复合镀层的工艺方法，通过对比试验，所得复合镀层是完全可以替代电镀硬铬层的。     

n—p—m—n—p—m—n—p形式的发光模型及其实验证明

显微观测表明，在交流电场激发下，ＺｎＳ：Ｃｕ单晶不是整体发光，而是呈线状的发光区，这种发光区域为交流电致发光线（ＡＣＥＬ），我们的工作证明，交流电致发光线不是连续的发光体，而是断续的发光线，也就是说，在交流电致发光线中存在着不发光区，这种现象被称为“分段发光”从而验证了Ｗ．Ａ．Ｔｈｏｒｎｔｏｎ教授根据发光的损耗发电流和电压的关系得到类正向ｐ－ｎ结的伏安曲线而提出了，ＺｎＳ中可能存在的一连串的ｐ－ｎ     

含P—N结的石墨烯中的阿哈罗夫-玻姆效应

理论上讨论了含P-N结的石墨烯中的阿哈罗夫-玻姆效应.在石墨烯中的P-N结具有令电子发生负折射的性质,根据此一特性,考虑当四个P-N结组成一个封闭的路径并包围一个数值为ψ的磁通时电子运动的情形.分析表明,磁通将对电子的运动产生影响,使其局域流密度发生变化.     

用熔融法获得Tl-Ca—Ba-Cu—O高Tc超导体

本文介绍了一个制备Tl-Ca-Ba-Cu-O高Tc超导材料的简单工艺,利用这种工艺制备了重复性好,性能稳定的Tl-Ca-Ba-Cu-O超导体,起始转变温度超过140K,零电阻温度为107K。     

P5∪P9的Turán 数

极值图论是组合数学的一个分支,主要研究对于给定的一类图,确定其中某些参数的极值,所讨论的Turán数属于图论中的极值问题.图H的Turán数是指不包含H作为子图的n阶图的最大边数,记作ex(n,H).确定了 ex(n,P5∪P9)=max{[n,14,5],5n-14},其中[n,14,5]=117+3n+r(r-4)...     

P=2／3·n·ε—的推导过程

考虑了理想气体分子间的碰撞后，对P=2/3·n·ε－进行比较严格的推导。     

n个P2之并与n个P3之并的优美性

证明了两结果：（１）当ｎ≡０，１ｍｏｄ４时，ｎ个Ｐ２之并是优美的，当ｎ≡２，３ｍｏｄ４时，ｎ个Ｐ２之并是非优美的；（２）ｎ个Ｐ３之并是优美的。