一种采用CMOS工艺实现LDD自动温度补偿电路的方法

为了采用CMOS工艺实现单芯片半导体激光驱动器中的自动温度补偿电路,提出了温度与补偿电流之间具有差分放大器增益特性的补偿电路结构.给出了电路的原理图,讨论了补偿特性的理论分析方法.对补偿特性进行了仿真,给出了仿真曲线.整个芯片采用CSMC 0.6 μm混合信号工艺实现,测试表明,在-20℃～+85℃内可以满足常用半导体激光器的温度补偿需要,消光比的波动小于1.2 dB.     

金属栅功函数优化及其后栅工艺对32nm器件性能的模拟研究

本文基于Synopsys SWB仿真平台,研究了高k介质金属栅器件中栅功函数变化在N/PMOSFET器件的影响,模拟和分析了金属栅功函数在Lgate=32nm N/PMOSFET器件工作特性提高中的最佳优化方向及其机理。研究结果表明, 栅极功函数对N/PMOS器件工作电流Idsat的影响并非简单的单调变化,而是呈现类似钟型分布的特性,存在最佳工作点; 同时金属功函数的优化对于器件短沟道效应SCE和关断漏电流的抑制有着显著地影响;此外通过模拟金属栅替代多晶硅栅的应力模拟表明,在去除多晶硅栅到在沉积金属栅的过程中,会对器件沟道区产生明显的应力作用,从而极大提高器件的工作电流特性。因而,采用优化的金属栅代替多晶硅栅结合High-k材料可以有力推动CMOS器件继续沿着摩尔定律向更小器件尺寸的发展     

基于CMOS电路的温度计的设计

<正>CMOS数字集成电路品种繁多,包括了各种门电路、编译码器、触发器、计数器和存贮器等上百种器件。1.常用特性(1)工作电源电压。常用的CMOS集成电路工作电压范围为3～18V(也有7～15V的,如国产的C000系列),因此使用该种器件时,电源电压灵活方便,甚至未加稳压的电源也可使用。(2)供电引脚。(3)输入阻抗高。CMOS电路的输入端均有保护二极管和串联电阻构成的保护电路,在正常工作范围内,保护二极管均处于反向偏置状态,直流输入     

利用CAPP制造企业工艺业务信息化平台

CAPP是计算机辅助工艺过程设计的简称。在企业中,如果能正确的进行CAPP的选型并付诸于实践,这不仅可以大大提高工艺设计的质量,缩短生产准备周期,还能将工艺设计人员从大量繁琐、重复的劳动中解放出来。     

二维微测辐射热计CMOS读出电路及计算机仿真

详细描述了二维微测辐射热计焦平面阵列CMOS读出电路的工作原理和电路结构设计,并通过计算机仿真验证了电路设计的正确性.     

机制工艺课程设计示教系统

主要介绍计算机辅助教学在机械制造工艺课程设计中的应用，利用专家系统技术和计算机辅助工艺设计（ＣＡＰＰ）技术，建立了计算机辅助机械制造工艺课程设计示教系统。它能帮助技师进行课程设计的指导，可作为学生的学习顾问，从而调动了学生学习的积极性和主动性。     

基于3D的定量化工艺建模与工艺设计

提出了一种基于3D的定量化工艺建模与工艺设计方法，试图解决工艺设计的底层问题，通过3D工序图模型和参数化空间尺寸链模型的映射，构造工艺模型结构，给出了基于该工艺模型的定量化工艺设计系统，为解决3D环境下的定量化工艺设计提出了一种新思路。     

用计算机进行辅助工艺过程设计

计算机辅助工艺设计是制造业实现自动化的一个重要环节,它将产品数据转换成面向制造的指令性数据,承接了产品设计和加工,是产品制造必不可少的重要部分。应用好计算机辅助工艺设计,能够优化工艺方案、提高工作效率、减少制造消耗,在实际生产中有着明显的经济和社会效益。     

标准数字CMOS工艺正交压控振荡器设计

<正>交压控振荡器是高速链路中的一个关键部件.片上集成高质量品质的电感电容等无源器件是影响压控振荡器性能的关键因素.为了兼容传统的数字工艺,采用超深亚微米的数字CMOS工艺进行片上电感电容的集成,并基于此无源器件实现了基于电容耦合的正交压控振荡器,实现中心频率16.12GHz,频率调节范围为10%,1M频偏处的相位噪声为-112dBc,相位误差小于0.39°.     

CMOS工艺片上传输线研究

对深亚微米硅基CMOS工艺集成电路中常用的微带线和共面波导2种传输线结构进行了研究.从理论上分析了传输线分布参数和损耗,利用0.13μm CMOS工艺制作了特征阻抗分别为50和70Ω的微带线和共面波导元件库,在0.1~30 GHz频率范围内利用网络分析仪和SOLT测试技术进行测试.利用分布参数电路模型和测试得到的S参数提取出了特征阻抗、衰减常数、品质因数等传输线基本参数.研究结果为设计者选择和设计高性能传输线提供出可借鉴的实用性模型.     

实验设计与模拟相结合用于IC优化设计的TCAD工具

鉴于PC机广泛普及和使用方便,在PC机上建立起实验设计与模拟相结合用于IC优化设计的TCAD工具。利用已有的工艺模拟软件SUPREM、器件模拟软件MINIMOS及电路模拟软件PSPICE,完成了响应表面拟合、SPICE模型参数提取及数据转换等程序,形成一个可以进行工艺、器件及电路分析和优化设计的TCAD工具,并用于研究实验设计方法在IC优化设计中的应用。     

高精度轨对轨CMOS峰值检测电路设计

介绍了一种高精度轨对轨CMOS峰值检测电路设计。基于信号“先缩小后放大”,在MOS采样开关管控制下电源对存储电容充电,该电路实现了轨对轨峰值检测,降低了检测电路的工作电流,提高了MOS开关管的速度和峰值检测的精度。该电路设计基于CSMC 0.5 um CMOS工艺,采用了5 V单电源,检测精度小于1 mV ,检测电压范围为0～Vdd ,整个检测电路的静态电流消耗为2 mA,正常工作频率为0.1 HZ～10 KHz。     

一种用于锁相环的正反馈互补型电荷泵电路

给出了一种新型的互补型电荷泵电路．采用正反馈技术,电路由CSMC1．2μm CMOS工艺实现,可工作在2V的低电压下．Spectre仿真结果显示,电荷泵的工作频率为100MHz时,功耗为0．08mW,输出信号的电压范围宽(0～2V),电路速度快,波形平滑,抖动小,在不增加电路功耗的前提下消除了传统电荷泵电路的电压跳变现象．该电荷泵电路可以很好地应用于低电源电压、高频锁相环电路．     

基于0.6μm CMOS复接器的设计

复接器是光纤通信系统的重要组成部分。文章采用CSMC-HJ0.6μmCMOS工艺设计,工作速率为622Mb/s的4∶1复接器。为了适应高速电路设计的需要,采用源级耦合场效应管逻辑(SCFL)电路形式和树型结构,分析和设计了复接器的系统结构和单元电路,并用SmartSpice进行了仿真。仿真结果表明,电路的工作速率可以达到622Mb/s,且其它各项指标均可达到要求。     

标准CMOS工艺的外层型人工视网膜芯片设计

针对外层型视网膜修复技术中芯片像素密度难以提高的问题,设计了一种具有更小尺寸及更高像素密度的视网膜芯片。芯片采用CHRT公司0.35μm标准CMOS工艺,选用双向驰张振荡器电路作为基本像元电路,在Cadence软件平台上进行了电路的调试及版图制作和后仿真。实验结果表明,像元电路能够随光电流大小变化输出幅值及频率可调的脉冲信号对视网膜神经细胞进行有效刺激,版图制作后仿真得到像元电路脉冲宽度为0.26 ms,频率为18~503 Hz,版图大小为65μm×65μm,初步设计的芯片大小为1.1 mm×1.1 mm。芯片各项参数均能满足生理学上对视网膜神经细胞进行有效刺激的要求,实验结果为芯片后续研究提供了良好的基础。     

Camera Link硬件接口电路设计

介绍了Camera Link接口的工作原理及Camera Link协议的主要内容,阐述了Camera Link硬件接口电路的设计方案.接口电路为图像采集卡的前端部分,主要功能为低压差分信号(LVDS)至CMOS/TIL(LVCMOS/LVTTL)信号的转换,相机控制和图像采集卡与相机间的串行通信.系统以FPGA为主控制器,通过实验实现了上述功能,完成了Camera Link接口相机图像的采集和显示.     

基于CAD-CFD技术的水力透平转轮设计

依据水力透平转轮的给定参数,运用CAD-CFD理论对水力透平转轮进行水力模型设计与模拟分析.采用CAD技术设计并修正叶片形状;用CFD技术,基于RANS方程,采用标准κ-ε湍流模型,对转轮内部三维流动进行数值模拟,分析其内部三维流动机理,预测水力透平转轮的性能.依据模拟结果和分析其流态、流场分布情况,验证转轮设计的合理...     

高性能CMOS LVDS I/O接口单元的设计研究

提出了一种适用于笔记本电脑平板显示器接口的高性能CMOS LVDS I／O接口单元，着重分析了高性能CMOS LVDS I／O接口单元电路结构及其工作原理，基于TSMC的3．3V0．25μm CMOS SPICE模型，在Cadence的环境下用Spectre仿真器进行模拟，仿真结果充分体现了该LVDS I／O接口单元的高速率、低功耗及低噪声等高性能．     

带共模反馈的CMOS折叠式高增益运算放大器

提出了一种单电源5V供电的带共模反馈的两级折叠式运算放大器结构.折叠式运算放大器的输入共模反馈结构使输出共模电平维持在2.5 V左右,增益可达到90 dB以上,相位裕度为45°,同时增益带宽为33 MHz.