固态阴极射线发光的发现及证实

提出了一种全新的激发发光方式——固态类阴极射线发光,利用无机半导体作为电子加速层,加速电子使之获得高能量,然后碰撞激发有机分子(小分子和聚合物)发光.蓝光是固态阴极射线发光中的特征发光,激子的离化是固态阴极射线发光中的独特过程.从固态类阴极射线发光的现象出发,通过普适性验证(利用不同的电子加速材料和发光材料,改变器件结构)、假象排除(几种可能产生类似现象的情况)及交叉证明(研究器件的发光与激发的时间特性),证实了固态阴极射线发光的客观性.     

Eu~(3 )在(La,Gd)_2O_2S二元体系中的发光

为了寻找新的荧光粉基质材料,本文研究了在紫外线、阴极射线和X射线激发下,三价铕激活的(La,Gd)_2O_2S二元固溶体体系的发射光谱、发光颜色和发光亮度等发光特性随基质组成变化的规律,并研究了三价铕离子浓度对固溶体(La_(0.9)Gd_(0.1))_2O_2S发光性能的影响。     

抗菌素对明亮发光杆菌A_2发光的影响

本文研究了八种抗菌素(四环素、红霉素、卡那霉素、多粘菌素B、头孢霉素、抗霉素A、杆菌肽和博莱霉素)对明亮发光杆菌A_2(photobocterium phosphoreum A_2)发光的影响。其中四环素、抗霉素A和杆菌肽在低浓度时刺激细菌发光,然后随着作用时间的延长而逐渐抑制发光;较高浓度时则完全抑制发光,未见刺激发光。其余五种抗菌素则均表现为抑制细菌发光。抑制发光的程度随时间和所用浓度的高低而呈一定的依存关系。实验结果表明,抗菌素对发光细菌的影响作用还是跟它们各自的作用机制有关。本文还讨论了细胞质膜在细菌发光中的作用和呼吸抑制剂对细菌发光的影响的作用机制。     

氮和锌离子注入GaAs_(1-x)P_x(x≈0.39)提高发光效率的研究

一、前言离子注入的优点是众所周知的,在化合物半导体方面可以用它来提高发光效率,制作良好的发光材料和半导体器件。本文介绍在GaAs_(1-x)P_x材料中注入Zn~ 和N~ 提高二极管发光效率的初步研究结果。 GaAs_(1-x)P_x发光二极管主要是在结区产生电致发光。因此要提高发光效率就必须研究     

抗菌素对明亮发光杆菌A_2发光的影响

本文研究了八种抗菌素(四环素、红霉素、卡那霉素、多粘菌素B、头孢霉素、抗霉素A、杆菌肽和博莱霉素)对明亮发光杆菌A_2(photobacterium phosphoreum A_2)发光的影响。其中四环素、抗霉素A和杆菌肽在低浓度时刺激细菌发光,然后随着作用时间的延长而逐渐抑制发光;较高浓度时则完全抑制发光,未见刺激发光。其余五种抗菌素则均表现为抑制细菌发光。抑制发光的程度随时间和所用浓度的高低而呈一定的依存关系。实验结果表明,抗菌素对发光细菌的影响作用还是跟它们各自的作用机制有关。本文还讨论了细胞质膜在细菌发光中的作用和呼吸抑制剂对细菌发光的影响的作用机制。     

低效率滚降、色稳定的多发光层结构白色有机磷光电致发光器件

采用磷光染料Ir(piq)_3、Ir(ppy)_3和Firpic作为发光染料,制备了低效率滚降、色稳定的多发光层结构白色有机磷光电致发光器件(WOLED).器件的最大电流效率为9.3 cd/A,最大发光亮度为13 380 cd/m~2.当发光亮度增至5 000 cd/m~2时,器件的电流效率为8.7 cd/A,效率仅滚降7.5%.低效率滚降主要源于激子分布区域较宽并且激子被有效限制在发光层.发光亮度从1 144 cd/m~2增加至9 135 cd/m~2,其发光色坐标从(0.366,0.411)变化至(0.365,0.404),变化量仅为(0.001,0.006),为色坐标稳定的白光发射.     

三价铕在(Y,Gd)_2 O_2 S体系中的发光

为了寻找新的荧光粉基质材料,本文研究了紫外线、阴极射线和 X 射线激发下,三价铕激活的(Y,Gd)_2O_2S 二元体系的发射光谱、发光颜色和发光亮度等发光特性随基质组成变化的规律性,并研究了三价铕离子浓度对固溶体(Y_(0.7)Gd_(0.2))_2O_2S 发光性能的影响。结果表明,在 Y_2O_2S 中加入 Gd,明显地提高了在阴极和 X 射线激发下的发光亮度。Eu~(3+)离子激活的稀土硫氧化物是一类高效率的荧光材料,早在六十年代就已将 Y_2O_2S:Eu 用作彩色电视显象管的红色荧光粉。近年来又有人将 Eu~(3+)激活的硫氧化钇及稀土硫氧化物固溶体用于低压显示器件中,但 Eu~(3+)激活的稀土硫氧化物固溶体的研究文献中报道不多,缺乏系统的研究。为了寻找新的荧光粉基质材料,本文首先合成了(Y_(1-x)Gd_x)_2O_2S:Eu固溶体试样,较系统地研究了它们的基质组成与发射光谱、发光颜色、发光亮度、发光的衰减以及粒度的关系。在此基础上,又讨论了(Y_(0.7)Gd_(0.3))_2O_2S 作为基质时,Eu~(3+)离子浓度对该固溶体发光性能的影响。     

嵌入SiO2薄膜中的GeO和Ge纳米晶光致发光的研究

作者通过离子注入法得到了镶嵌于SiO2薄膜中的Ge纳米晶,并通过系统的氧化性或还原性退火处理,以改变样品中Ge的氧化物成分组成．分析了不同样品在室温下的光致发光(PL)特性,并结合XRD分析表明：300与400nm附近的荧光峰的发光机制是GeO(nc-GeO)纳米晶发光,而不是GeO的缺陷发光;570nm附近的荧光峰的发光机制为Ge纳米晶(nc-Ge)发光,而不是Ge及Si界面的缺陷发光．     

Yb~(3+)/Er~(3+)/Tm~(3+)三掺YF_3上转换发光性质的研究

以氟化钇(YF_3)为基质材料,采用共沉淀法合成了YF_3:Yb~(3+)/Er~(3+)/Tm~(3+)上转换发光材料。采用X射线衍射仪(XRD)、热重差热分析仪(DTA)和荧光光谱分析对材料的物相结构、烧结温度和发光性质进行了研究。结果表明,掺入稀土离子没有改变YF3晶体结构,在980nm近红外波长激发下,出现了多个波段的发光现象,Yb~(3+)、Er~(3+)、Tm~(3+)不同的掺杂量分别对应于材料不同的发光规律。本文还探讨了上转换发光机制,确定了该体系荧光粉的最佳烧结温度。     

电子激发的短时发光衰落过程

本文用阴极射线发光仪,测量了ZnO:Zn发光衰落过程。发现它是由两种指数式发光过程组成的,其衰落时间常数分别为7.3×10~(-8)Sec和3.6×10~(-7)Sec。我们用发光中心二次发光的发光模型,定性地解释了ZnO这种发光现象。同时还测量了Sr~(90)的β射线激发的晶体的NaI:Tl发光衰落过程,并将测量结果和其他作者数据作了比较。     

温度对叶片延迟发光的影响

以绿宝石喜林芋叶片为材料研究了不同温度对叶片延迟发光和超氧物歧化酶(SOD)、脂氧合酶(LOX)活性的影响.结果表明:随温度的升高,延迟发光的衰减系数先增加后减小,在15 ℃时有一最大值;延迟发光的最大强度也会随温度的不同而发生改变,当温度达到50 ℃时,叶片基本上不再具有延迟发光的特性;SOD,LOX活性与延迟发光之间存在极为密切的关系.     

硅多孔层分离后稳定的可见蓝紫光发射特性

多孔硅具有很强的室温发光，介绍了多孔硅在分离多孔层后的发光情况，用传统的电化学法腐蚀样品，待多孔层分离后，通过SEM(表面电子显微镜)和PL(光致发光谱)观察多孔层分离后表面的形貌和光致发光特性，观察到样品有很强的蓝紫发光峰，在高温氧气气氛下退火后，发光强度增加，峰位不变，在大气中保存三个月后，发光峰又有所加强，证明样品具有很好的发光特性；FTIR(红外吸收谱)表明多孔层分离后样品表面主要由Si—O、Si—H键组成；利用量子限域—发光中心模型解释了发光机制，认为蓝紫光来自表面SiOx线中的发光中心。     

基于八羟基喹啉铝有机发光二极管的研制

以八羟基喹啉铝(Alq3)和芳香二胺(TPD)为有机原材料,用热蒸发方法把它们蒸镀成薄膜并制作成有机发光器件．原子力显微镜观测得到Alq3和TPD薄膜为均匀、规整的不定形结构．研制的有机发光二极管(OLEDs)具有良好的整流特性、发光特性和稳定性,发光亮度随外加电压增加而逐渐增大,发光亮度最高达1813cd／m^2。     

咔唑基三苯乙烯衍生物的电化学聚合及其性能

对具有明显聚集诱导发光性能(AIE)的化合物4,4’-双(2,2’-双(4-(6-(9H-咔唑基)己氧基)苯基)乙烯基)联苯(p2bc6)以电化学聚合法制备了聚合物发光薄膜.该聚合薄膜的结构、光学性能和表面形貌通过红外光谱、紫外光谱(UV)、荧光光谱和原子力显微镜表征.结果表明:聚合前体通过分子中咔唑基团聚合形成聚合物薄膜;薄膜具有良好的发光性质;制得的电化学聚合薄膜表面平整,表面粗糙度可达到3 nm以下,有望作为发光材料应用于PLED器件中.     

双氧水对叶片延迟发光的影响

采用生物超微弱发光探测技术对不同浓度的双氧水(H2O2)胁迫下植物叶片的延迟发光、超氧物歧化酶(SOD)和脂氧合酶(LOX)活性等参数进行了测量和分析.结果表明:所有的浓度都使延迟发光衰减加快,随培养时间的增加,叶片的延迟发光衰减参数1/P的变化先比较缓慢,保持一段时间的相对稳定,然后明显下降;超氧物歧化酶(SOD)活性化整体上是下降的,脂氧合酶(LOX)活性先减小后增加.     

海洋发光细菌发光最优培养基筛选的研究

海洋发光细菌发光强度的大小,除了种的自身特性外,在很大程度上取决于各种外界条件的综合作用。其中培养基成份及其配比是最重要的外界条件之一。由于获得发光细菌最强的发光,无论对发光细菌的理论研究还是应用研究都是非常必要的。因而,Eley,Makiguchi,Soli和Baumann等为了研究细菌发光的生理生化特性及其在实际中的应用,都提出了他们认为最有利细菌发光的培养基配方。国内在这方面的研究尚少,尤其是不同培养基成份对不同种发光细菌发光强度的影响的比较研究尚未见报道。本文报道了五种培养基对两属中的五种发光细菌发光影响的比较研究,以找出各种发光细菌各自的最适发光培养基,为发光细菌的理论研究和应用研究提供依据。我们把五种发光细菌,明亮发光杆菌(Photobacterium photobacterium)502,鳊鱼发光杆菌(P.leiognathi)223,哈维氏弧菌(Vibrio harveyi)103,东方弧菌(V.orientalis)518和费氏弧菌(V.fischeri)     

Eu(BA)3/SiO2复合材料的制备及其发光性能

采用溶胶一凝胶技术两步法把Eu(BA)3掺入到SiO2中制备Eu(BA)3/SiO2复合发光材料,并对其发光性能进行研究.研究结果表明,制备Eu(BA)3/SiO2复合发光材料的晟佳工艺条件是水与正硅酸乙酯摩尔比为4,正硅酸乙酯、盐酸和六次甲基四胺的摩尔比为17.5×10-45×10-3,陈化温度为40℃,掺入SiO2中的苯甲酸和铕离子的摩尔比为31,苯甲酸铕掺入量为1%.对Eu(BA)3粉体和Eu(BA)3/SiO2复合发光材料荧光光谱进行比较发现Eu(BA)3/SiO2复合发光材料激发光谱最大吸收峰变窄,同时发生蓝移,由288 nm蓝移到280 nmEu(BA)3/SiO2复合发光材料发射光谱在594 nm和618 nm处分别出现Eu3 的5D0→7F1和5D0→7F2跃迁发射,单位质量稀土配合物的发光强度是Eu(BA)3粉体的3倍左右.     

反应气压对氢化非晶氮化硅薄膜的发光特性影响

采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术制备了氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,利用光致发光谱(PL)和傅里叶红外吸收谱(FTIR)研究了不同气压条件下所形成薄膜的发光特性.结果表明,在较高气压条件下,所沉积薄膜的发光峰位在2.5 eV附近;减小气压使薄膜的沉积速率下降,其内部原子微观结构发生变化,薄膜的发光峰位在3.05 eV处,其半高宽为1.48 eV.     

LED主动发光交通标志视认性的灰色关联度分析

以太原市中环路上试设的LED主动发光指路标志及相同规格的反光膜标志为研究对象,基于灰色系统理论,展开驾驶员在不同速度下对交通标志视认性的灰色关联度分析,并通过LED主动发光交通标志与反光膜标志的对比研究,着重分析LED主动发光交通标志的视认性。结果表明,LED主动发光交通标志(白天、夜间)的视认性与反光膜标志(白天)的视认性相近,而远优于反光膜标志(夜间)的视认性,且进一步提高驾驶员在高速行驶时对LED主动发光交通标志的视认性有利于该类标志未来的研究与发展,并能有效减少交通安全事故,可为日后的改进与创新提供有力依据。     

MOCVD制备GaAs/AlGaAs多量子阱的光致发光特性

对MOCVD生长的GaAs/A1_xGa_(1-x)As多量子阱结构进行了光致发光特性的测量,结果观察到三个发光峰:位于1.664eV处的峰是自由激子发光;峰值处于1.481eV的发光是GaAs中施主Si(Ga)原子上的电子向受主Si(As)跃迁引起的;而在1.529eV处的弱发光峰是GaAs阱层中Si(Ga)原子上的电子与价带量子阱中基态重空穴复合形成的。对三种发光峰的能量位置进行了理论计算,其计算结果与实验测量所得到的值符合较好。