沸腾液体的平衡温度的研究

研究恒热流壁面条件下沸腾液体的平衡温度问题，得到了沸腾液体饱和温度与热流率，沸腾液体质量和换热面等因素的关系，理论研究结果与实验结果一致。     

辐射平衡时介质内温度交点的现象及其探究

通过DRESOR(被边界吸收或介质散射的能量分布)法揭示了一维辐射传递过程中可能存在的温度交点的现象,并对该现象进行了分析研究.研究结果证实其原因是在交点处存在着辐射传递的完整对称性,使得该点处辐射平衡温度不受其他参数变化的影响.空间介质中心两侧光线传递完全对称条件下才可能出现该交点现象,而介质的各向同性散射反照率和梯度折射率分布对交点的位置无影响.若介质两侧壁面发射率相等,则发射率值的大小对交点的位置无影响;若两壁面发射率不等,则交点会向发射率较大的一侧移动.此外,两壁面的温度只影响辐射平衡时交点处的温度,对交点的位置无影响.     

秦岭黄淮平原交界地表面热量平衡的计算和分析（上）

采用适合于交界带自然地理特点、计算精度较高的ａ、ｂ值图法、Ｌ．提尤尔克法，计算了交界带地表面的辐射平衡量和蒸发耗热量，并分析其水平、垂直分布和季节变化的特点。     

硫对砷化镓表面悬挂键的饱和作用

利用集团模型探讨了硫对砷化镓（１１０）理想表面悬挂键的饱和作用，着重于定性讨论硫去除禁带内砷化镓表面态的可能性，这有助于了解硫钝化砷化镓表面的机理，计算采用电荷自洽的ＥＨＴ方法，结果表明，硫确能与表面砷化镓原子形成较强的共价键，并把悬挂键形成的表面态移出禁带，其中硫与镓的相互作用更为强烈。     

砷化镓光导开关中电流丝的自发辐射效应

应用统计物理方法研究了高增益砷化镓光导开关中电流丝的自发辐射效应.导出了高增益砷化镓光导开关中电流丝的自发辐射规律,在砷化镓样品中引入复合辐射强度与辐射的波长分布函数的概念,近似确定了高增益砷化镓光导开关中电流丝的平均辐射复合系数为(883 nm)≈0.1125,导出了各辐射波长的辐射复合系数与平均辐射复合系数之间的关系,验证了峰值波长为890 nm的光输出能量与实验观察结果吻合,在理论上揭示了电流丝顶部的光生载流子密度的分布规律.结果表明:电流丝的体积面积比值和电流丝内平均载流子密度是影响电流丝辐射效应的两个主要因素,波长876 nm的辐射在紧邻电流丝顶部产生的最大载流子密度具有主导作用,最大光生载流子密度比电流丝内平均载流子密度小1–2个数量级.     

二维矩形封闭空腔内复合导热辐射换热的研究

基于辐射交换角系数的计算，考虑了参与性介质中的吸收而引起的辐射衰减，针对辐射平衡和复合导热辐射问题，导出了二维矩形封闭空腔内热交换的支配方程组。方程中出现了阶数不同的Ｂｉｃｋｌｅｙ函数，把三维辐射交换简单化成一个二维问题。该函数不同于指数衰减函数，本文给出了它的拟合公式，并据此对基本方程组直接进行高斯积分和迭代求解。对光学厚度τ＝０．１、１和５，以及导热辐射比Ｎ１＝１、０．１、０．０１和０．００１     

砷化镓光导开关中流注自发辐射实验的理论分析

分析了高增益砷化镓光导开关中流注（即电流丝）一端不同辐射波长的自发辐射实验现象,导出了不同辐射波长的辐射复合系数之间的关系,拓展了电流丝的自发辐射随电流丝电流变化的数学模型．计算结果表明,丝电流相同时流注自发辐射的其他峰值强度略小于890nm自发辐射强度．     

多变因素条件下延伸表面传热通用数值分析计算的研究

研究各种形式肋片在辐射－对流－导热的联合作用下，以及变换特性参数时稳态与非稳态传热的通用数学物理模型和数值计算方法，考虑了辐射与整体肋片传热计算的耦合问题。     

GaAs中杂质扩散机制

针对杂质在ＧａＡｓ中扩散机制这一基础研究和技术应用中急需解决的问题，主要介绍了应用广泛的ｎ型杂质Ｓｉ、Ｓｎ，ｐ型杂质Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｇ的几种可能扩散机制以及国际上有关这些杂质研究的进展情况，从目前的研究状况可以得出这样的结论：在ＧａＡｓ中，Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｇ等ｐ型杂质是以置换填隙机制扩散的，Ｓｉ、Ｓｎ等ｎ型杂质是以替位机制扩散的。     

燃油炉火焰温度的双色法测量与辐射换热的计算

燃油炉火焰温度的双色法测量与辐射换热的计算陈石，张志千，吴小敏（动力工程系）关键词：燃烧炉；火焰温度；辐射热传递分类号：ＴＫ１７５；ＴＫ２２９．７为了提高设备的燃烧效率并降低排放的污染，越来越重视燃烧过程及燃烧设备的改进。本文利用双色法测量了圆筒形燃...     

A THEORETICAL CALCULATION OF TEMPERATURE RISE(TR) IN PIPELINE OF COOL-SUPPLY SYSTEM

In the design of cool-supply system, the temperature rise of cooling water pipeline is usually determined by experience, but not calculated. In gcnacral, the temperature rise is 1℃ for cooling water supply pipes and 0.5℃ for return pipes. The calculated results of TR according to classical approaches of thermodynamics are smaller than the tested data. This paper has analysed the causes that affect the temperature rise in detail. The heat transfer of pipe wall and the pressure drop in pipeline are two main factors. Besides, the paper gives another five factors as follows: 1. The heat radiation from the sun to pipelines; 2. The increased heat transfer due to the water condensation around the outer wall of pipelines; 3. For the underground pipelines, the existing unstable heat transfer; 4. The effects of insulation material as well as the installed quality of insulation layer; 5.The additional cool loss produced by the accessories, such as valves, brace etc. According to the above analysis, the paper giv     

回路型脉动热管的运行与传热

为深入了解脉动热管的运行和传热的机理与规律,研究了铜—水回路型脉动热管(Looped PHP)在空气冷却条件下,充液率、管径、加热段冷却段长度比等因素对传热性能的影响。结果发现,充液率在35%附近时传热功率达到最大值;相同的对流换热条件下,小管径热管的热阻更小,运行和传热性能更好;脉动热管本身的热阻与外部换热条件有很大的相关性。另外,通过分析脉动热管壁面温度波动的特征,揭示了波动的成因及其所反映的内部流动和传热状况。     

用氮化硅作绝缘膜的砷化镓绝缘栅场效应晶体管的研究

利用可控射频溅射技术生长的氮化硅作绝缘膜,制造出Al/Si_3N_4/n-GaAs 的MIS 二极管和埋沟耗尽型GaAsMISFET.溅射时不通纯氢,器件的C-V 和I_D-V_D 特性中显示出明显的滞后效应和环状回线.溅射前先用高纯氢等离子体处理GaAs 表面,溅射过程中伴以微量的纯氢,溅射后适当退火,可以得到基本上没有滞后效应的C-V 曲线和I_D-V_D 特性中几乎没有环状迴线的MISFET.测量表明:g_m 的最大值约为2.7mS,界面陷阱密度为2.7×10~(11)～1.4×10~(12)cm~(-2)eV~(-1),界面陷阱能级位于导带下0.55和0.13eV 处,表面迁移率为4000～5400cm~2V~(-1)s~(-1).     

固定床与平板表面导热、对流和辐射复合传热的理论研究

研究高温固定床壁面或埋设平板表面附近受迫对流换热；计算结果表明当对流－辐射参数或传导－辐射参数减小，或雷诺数增加时辐射换热速率随之增加；辐射对导热、对流的影响由颗粒所吸收的净辐射能的符号所决定；床和平板的辐射特性及热流方向对传热也有影响。     

Ga9-nAsn（n=0-9）系列团簇能量和稳定性的研究

采用基于第一性原理的ADF程序,对Ga9-nAsn（n=0-9）系列团簇的基态结构、能量、稳定性和电离能等物理性质进行了系统的计算和分析．结果表明,随着n的增加,团簇的结合能将呈线性增加,电离能在5．5和7eV左右波动,亲和能在2．5～3eV波动,电离能明显大于亲和能．在n=5和n=6附近,Ga9-nAsn（n=0-9）团簇的稳定性最高．