0.21～4.18GPa和20～350℃下H2O的电导率研究

在０．２１￣４．１８ＧＰａ和２０￣３５０℃下测量了固相和液相Ｈ２Ｏ的电导率。结果表明：（１）不同的固相Ｈ２Ｏ具有不同的电导率与温度压力关系。电导率与温度的关系是连续的，但是在２．１１ＧＰａ与２．５８ＧＰａ压力之间存在着不连续现象，这与相应压力下的冰Ⅵ和冰Ⅶ是对应的；（２）液态Ｈ２Ｏ的电导率均随温度和压力的增高而增大，但随压力的不同分别在０．５７ＧＰａ与０．９ＧＰａ和２．１１ＧＰａ与２．５８ＧＰａ与     

CuO/SiO2纳米复合材料的合成及其光学特性研究

1983年,Jain和Lind首先研究了掺Cd SxSe_(1-x)半导体微晶玻璃的非线性光学性能,发现其具有大的非线性系数和高的非线性响应速度.人们研究了这类非线性光学材料,并在材料性能的改进和影响材料非线性性能的微观机制,以及新的制取方法、原形器件等方面做了许多有意义的工作.但是,到目前为止,有关半导体微晶玻璃的非线性增强机理、粒径、介质本身对性能的影响,材料制备及其稳定性等问题都有待于进一步探索和研究.本文主要采用溶胶-凝胶工艺(Sol-Gel)在较低的温度下制备出CuO/SiO_2纳米复合材料,并对其结构及光     

高压下石榴石Gd3In2Ga3O12的合成

Gd_3Ga_5O_(12)稀土材料具有Ga~(3+)离子易于被其它离子部分取代的特点.Gd_3Sc_2Ga_3O_(12),Gd_3Lu_2Ga_3O_(12)和Gd_3In_2Ga_3O_(12)作为膜磁光材料YIG和Y_(3-x)Bi_xFe_5O_(12)的衬底引起关注. 这些材料可以通过固相反应、浮熔法、提拉法合成,但它们的高压合成未见报道.本文首次利用高温高压方法实现了Gd_3In_2Ga_3O_(12)的合成,并对其合成区进行了研究.     

C+注入SiO2薄膜的蓝光发射

自从发现多孔硅室温发射可见光现象以来,硅基纳米结构第Ⅳ族半导体发光研究引起了广泛关注。这不仅可以使传统的、成熟的硅平面工艺直接应用于光电器件中去,而且为介观系统新现象、新规律研究提供了一个理想的研究体系。由于SiO_2在硅集成电路中应     

ZnS-SiO2纳米复合材料的结构和性能

随着微电子学和光电子学的发展,信息处理要求存储材料具有极高的存储密度和极快的响应速度.近来理论研究表明,当半导体晶粒的尺寸小于10nm时,材料的三阶非线性极化率和快速响应速度都将提高.因而纳米复合材料可望成为一种优越的存储材料,并引起人们的广泛关注.1983年,Jain等在Cd(SSe)掺杂玻璃中观测到了较大的三阶非线性光学系数.1989年,Nogami等通过Sol-gel工艺制备了半导体掺杂的凝胶玻璃.我们也采用类似的工艺制备了CdS掺杂的凝胶玻璃,并观察了量子尺寸效应和非线性光学效应.但对这种纳米粒子掺杂形成的复合材料的结构,还缺乏了解.本文通过溶胶凝胶工艺,制备了ZnS分散在SiO_2玻璃中的纳米复合材料.采用XRD,TEM,RDF,Raman光谱对其结构进行了表征.并通过吸收光谱观察到了蓝移现象.利用简并四波混频(DFWM)方法测量了其三阶非线性光学系数.最后讨论了结构对性能的影响.     

掺Mn2+离子纳米非晶SiO2发光研究

关于Mn~(2 )离子的发光性质研究已有很多报道,它们一般都集中在无机玻璃中,并对发光机理进行了分析。但对掺Mn~(2 )离子在纳米非晶SiO_2发光行为尚未见报道,本文运用溶胶凝胶法制备出掺Mn~(2 )离子纳米非晶SiO_2,测量其荧光光谱,当激发波长为337nm时,其发射光谱在460nm处有一强而宽的蓝光发光带。并对发光机理和发光强度的变化进行了研究。     

植物体内的纳米结构SiO2

作为地壳中含量极为丰富的元素,Si在植物体内,尤其是在单子叶植物体内的含量高于任何其他无机组合,由于它无处不在,因此很难用一般植物营养生理学方法证明它是植物的“必须营养元素”,但是,许多研究结果都证明Si对植物生长发育具有有益作用,它能明显提高植物对非生物和生物胁迫的抗性,从植物体矿化纳米结构SiO2的形态发生,结构和功能分析入手,重点讨论了以植物细胞壁为模板,诱导有机／无机二元协同胶体SiO2的自组装机制,以及它具有的特殊结构所赋予的植物抵属种环境胁迫的可能作用。     

1650℃,1～3GPa下玄武岩熔体结构的实验研究

以玄武岩为初始物料,在１６５０℃,１－３ＧＰａ压力条件下进行了熔融实验,对实验产物中的玄武岩淬火玻璃进行了电子探针分析,折光率测定和ＣＩＰＷ标准矿物计算,并进行了拉曼光谱研究。     

MgB2的高压高温合成及其超导电性

在高压(3.0GPa)和高温(900℃)条件下,制备出单相MgB2样品.样品的粉末X射线衍射实验和Rietveld精修结构分析表明,所制样品具有AlB2型六方结构,空间群为P6/mmm,a=3.0861(5)A,c=3.5222(8)A.测量结果表明样品的超导临界转变温度(Tc)为39K.     

聚苯乙烯模板制备SiO2 三维有序孔材料

以单分散聚苯乙烯微球干燥得到的膜为模板,采用改进的溶胶－凝胶法并者高温烧结,制备了二氧化硅的三维有序孔材料,扫描电子显微镜结果表明,所合成的孔材料高度有序,孔的尺寸在１０￣１０２ｎｍ数量级可调,孔之间是相互连通的,初步分析了有序孔形成的过程。     

基于氨基化SiO2纳米颗粒的新型基因载体

采用正硅酸乙酯与N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基三乙氧基硅烷在油包水形成的微胶囊中同步水解的方法, 制备了大小均匀的氨基化二氧化硅纳米颗粒. 由于表面氨基化使纳米颗粒在一定的pH环境下的x (zeta)电位为正值, 与带负电荷的质粒DNA通过静电结合能快速形成纳米颗粒-质粒DNA复合物, 并对结合的DNA有明显的保护作用. 结合纳米技术、生物技术与基因工程技术, 构建了基于氨基化SiO₂纳米颗粒的新型非病毒型基因载体, 应用这一新型基因载体成功地将绿色荧光蛋白(green fluorescence protein, GFP)表达载体pIRGFP导入COS-7细胞, 并在细胞内产生高水平的绿色荧光蛋白表达.     

镶嵌在SiO2薄膜中的纳米InSb颗粒的制备

用射频磁控测射的方法制备了镶嵌在ＳｉＯ２薄膜中的纳米ＩｎＳｂ颗粒。透射电子显微镜观察表明,纳米ＩｎＳｂ颗粒均匀地镶嵌在ＳｉＯ２介质中。通过控制热处理的条件,可以得到具有不同颗粒尺寸的ＩｎＳｂ纳米颗粒。ＩｎＳｂ颗粒的尺寸与热处理温度和时间成正比,但是并不满足ｔ＾１／３的关系。另外,还通过Ｘ射线衍射以及Ｘ射线光电子有谱对ＩｎＳｂ－ＳｉＯ２复合薄膜的结构和成分进行了分析。     

非晶态SiO2中纳米ZnS的量子尺寸效应与非线性光学效应

纳米材料是低维材料的一种,是目前材料科学研究的热点和前沿.纳米复合材料因具有很强的非线性光学效应而引起人们的兴趣.1983年Jain和Lind首先发现掺有Cd(SSe)的玻璃具有较高的三阶非线性极化率和高的响应速率,Cd(SSe)的尺寸被估计为10～100nm.这揭开了半导体掺杂纳米复合材料的研究序幕.多年来有许多人从事这方面的研究工作,日本的Nogami等研究了CdS,PbS,CuCl,CdTe等分散在SiO_2玻璃中的复合材料的量子尺寸效应和吸收光谱.西安交通大学电子材料研究所在这方面作了大量的研究工作,制备了一系列化合物牛导体微晶与多孔SiO_2玻璃的复合材料,并且研究了复合材料的结构与特性。     

双核锰配合物[(bipy) 2Mn2(μ-O)(μ-Ac)2(H2O)2](ClO4)2的合成晶体结构及性质

MnAc₃ 2H₂O 在pH = 4.0 的HAc-NaAc 的缓冲水溶液中和2,2 -联吡啶(bipy)反应,制得了双核锰( )配合物[(bipy)₂Mn₂(μ-O)( μ-Ac)₂ (H₂O)₂](ClO4₄)₂. 该配位化合物的X 射线单晶衍射表明该晶体属单斜晶系空间群C2/C 晶胞参数: a = 3.408 2(7) nm, b = 0.864 4(2) nm, c = 2.174 9 (4) nm,β =105.12°, Z = 8. 其紫外可见光谱在400 和600 nm 之间有两个非常强的峰, 这和一些从生物体中提取的含锰过氧化氢酶及含锰核糖核苷酸还原酶的电子光谱相似. 循环伏安实验说明,此配合物在乙腈溶液中经历了一个半可逆的一电子氧化和还原.     

CoFe2O4纳米材料的燃烧法合成及磁性研究

以燃烧法合成了纳米相尖晶石钴铁氧体,通过控制反应条件可以控制产物的颗粒尺寸。磁性研究表明,颗粒尺寸４ｎｍ的样品表现出超顺磁现象,矫顽力为０;８５ｎｍ左右（临界单畴尺寸）的颗粒样品有最大的矫顽力。钴铁氧体颗粒间存在负的磁相互作用,颗粒接近临界磁单畴尺寸的样品负磁相互作用较强。     

三维超分子结构多金属氧酸盐(H2en)3[(NiO6)Mo6O18(As3O3)2]Cl2·6H2O 的合成与结构表征

以Na₂MoO₄·2H₂O, Na₃AsO₃, NiCl₂·6H₂O, 乙二胺等为原料, 通过常温水溶液方法合成一例Anderson 结构衍生物(H₂en)₃[(NiO₆)Mo₆O₁₈(As₃O₃)₂]Cl₂·6H₂O (1, en = ethylenediamine),并对其进行了红外、紫外、热重、X 射线粉末衍射及X 射线单晶结构测定. 晶体结构测定表明, 化合物属于三斜晶系, P-1 空间群, 晶胞参数: a = 0.94190(6) nm, b = 1.08612(8) nm, c = 1.10976(8) nm, α = 95.6890(10)°, β = 92.6460(10)°, γ = 90.8800(10)°, V = 1.12828(14) nm³, Z = 1, R₁ = 0.0441, wR₂ = 0.1189. 化合物1 分子由一个[(NiO₆)Mo₆O₁₈(As₃O₃)₂]^4-阴离子, 2 个Cl^-离子, 3 个质子化的乙二胺和6 个结晶水组成. 杂多阴离子[(NiO₆)Mo₆O₁₈(As₃O₃)₂]^4-借助氢键与质子化的乙二胺及Cl^-离子相连构筑成三维超分子结构.     

Ge-SiO2薄膜的光致发光及其机制

采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Ge-SiO2薄膜。薄膜在N2的保护下进行了不同温度的退火处理。根据X射线衍射（XRD）谱估算了Ge纳米晶粒的平均尺寸。经600-1000℃退火,Ge纳米晶粒的平均尺寸从3.9nm增至6.1nm。在紫外光的激发下,所有样品都发出很强的394nm的紫光。随着Ge纳米晶粒的出现,样品的580nm的黄光发出,其强度随着晶粒的增大而增强。对于经不同温度退火的样品,这两个波段的峰位都保持不变。根据分析结果对光致发光的机制进行了讨论。     

Au/SiO2纳米复合材料的消光性质

利用共溶胶蒸发诱导自组装方式制备有序介孔SiO₂薄膜组装Au纳米粒子, 合成了三种Au/SiO₂纳米复合材料. 光谱分析表明, 介孔结构将影响复合材料消光特性; 改变浸渍时间, Au纳米粒子体积增大并导致复合材料消光谱红移增强. 基于Maxwell-Garnett(MG)理论, 利用简化模型对复合材料的消光特性进行了分析, 定性说明了复合材料消光特性存在差异的原因. 在材料制备过程中, 通过选用不同表面活性剂或者控制浸渍反应时间, 能对Au/SiO₂纳米复合材料的消光性质进行调控.     

无限CuO_2层结构(Sr,Nd)CuO_2化合物的高压合成及其超导电性

自从在LaBaCuO体系中发现超导电性以后,又陆续发现了YBaCuO,BiSrCaCuO,TlBaCaCuO和NdCeCuO等许多新的超导体系。所有这些化合物都具有交生结构,即由CuO_2面和CuO_2面之间的隔离层交替排列组成,隔离层的排列和组合则决定了超导体的性质。当隔离层只包含碱土金属离子(A~(2+))时,这时的化合物ACuO_2具有CuO_2-A-CuO_2-A的堆积次序,成为无限CuO_2层结构的化合物。作为铜氧化物超导体的母体,无限CuO_2层     

电荷转移复合物[MDA][Pd(DMIT)2]2的合成、结构及其电性质研究

有机导电材料由于具有重量轻、易加工、可能的低成本和易于从分子水平上进行裁剪和设计等优越性,近年来得到广泛研究[1].有机电荷转移复合物是有机导电家族中的重要成员[2].要得到所需物理性质的导电复合物体系,关键是控制晶体中分子的排列方式,尤其是分子间具有多维相互作用对实现金属导电性和超导是至关重要的[3,4].Ｍ＿ＤＭＩＴ复合物是一种重要的可望实现多维相互作用的金属复合物[5],其导电通道是通过配体间的π＿轨道及Ｓ原子间轨道的交迭来实现的,而这种交迭的方式又受到对阳离子的强烈影响[6].在对阳离子中引入空间位阻较小的Ｓ原子…