SnO_2-ZnO二元系半导体陶瓷薄膜特性研究

本文报导 SnO_2-ZnO 二元系半导体陶瓷薄膜的光学及电学特性。     

Nb_2O_5掺杂对SnO_2-Zn_2SnO_4系压敏陶瓷电学性质的影响

研究了Nb掺杂对SnO2-Zn2SnO4系压敏材料电学性质的影响,研究结果表明:当Nb2O5的含量(摩尔分数)从0.05%增加到0.80%时,压敏电阻的压敏电压从28 V/mm增加到530 V/mm;对晶界势垒高度的分析表明:晶粒尺寸的迅速减小是样品压敏电压增高、电阻率增大的主要原因。本文对Nb含量增加引起晶粒减小的原因进行了解释。     

掺杂Sb的SnO2基陶瓷导电薄膜的研制

对 Sn O2 陶瓷导电薄膜的特性、导电机理、制备、应用进行了叙述 ,并且利用喷涂热解工艺制备了 Sn O2 陶瓷导电薄膜 ,探讨了掺杂剂Sb的掺杂量、喷涂溶液的浓度对 Sn O2 导电薄膜电阻值的影响     

掺杂Sb的SnO2基陶瓷导电薄膜的研制

对SnO2陶瓷导电薄膜的特性、导电机理、制备、应用进行了叙述,并且利用喷涂热解工艺制备了SnO2陶瓷导电薄膜,探讨了掺杂剂Sb的掺杂量、喷涂溶液的浓度对SnO2导电薄膜电阻值的影响     

电子密度对PCVD制备SnO_2导电薄膜的影响

利用双探针测得了管式射频等离子体反应器内电子密度的轴向和角向分布,并制得了SnO_2透明导电薄膜.实验表明,薄膜的沉积速率、电学性能及结晶形态受等离子体电子密度的影响较大.在电子密度高的地方,薄膜沉积速率快,薄膜电阻低,其薄膜的晶粒也均匀细微密集.     

Ni_2O_3掺杂对SnO_2-Zn_2SnO_4复合陶瓷电学性质的影响

采用传统陶瓷工艺制备了Ni_2O_3掺杂的SnO_2-Zn_2SnO_4复合陶瓷,并测试了样品的压敏性质和介电频谱。压敏性质测试结果表明:随着Ni_2O_3掺杂量的增加,样品的非线性系数先减小后增大,压敏电压先升高后降低。当掺杂0.45%mol Ni_2O_3时,样品的非线性系数最小值为3.8,压敏电压最高值为63 V/mm。介电频谱显示:随着测试频率的增加,所有样品的相对介电常数εr均明显降低。低频下,样品的相对介电常数随着Ni_2O_3掺杂量的增加先减小再增大。当不掺杂Ni_2O_3,测试频率为40 Hz时,样品的相对介电常数达7 000左右,而其介电损耗却为最低值。Ni_2O_3掺杂引起SnO_2-Zn_2SnO_4复合陶瓷微观结构改变,从而使其压敏性质和介电性质改变。     

EuI2-KI二元系相图的研究

用差热分析(DTA)和X射线衍射(XRD)的方法则定了EuI2-KI二元体系在3×10-4pa压强下的低压相图,并应用CALPHAD(CALculation of PHAse Diagram,相图计算)技术对这一实验相图进行热力学优化计算,获得一组描述该体系液相的热力学数据,并根据这些数据计算了热力学自洽的相图.
     

EuI_2-KI二元系相图的研究

用差热分析(DTA) 和X 射线衍射(XRD) 的方法则定了EuI2 - KI二元体系在3 ×10 -4Pa 压强下的低压相图,并应用CALPHAD(CALculation of PHAse Diagram ,相图计算) 技术对这一实验相图进行热力学优化计算,获得一组描述该体系液相的热力学数据,并根据这些数据计算了热力学自洽的相图。     

SiO_2-B_2O_3二元系熔渣中组元的活度

以铜作为熔剂,石墨作为还原剂,用“渣-金”化学平衡法,在1500℃和1550℃下测定了SiO_2-B_2O_3二元熔渣中SiO_2的活度,并采用Gibbs-Duhem积分法求得了该二元熔渣中B_2O_3的活度。此外,通过“渣-金”平衡实验,得到了Cu-Si合金中Si的活度和活度系数。     

ZnCrO4系多功能陶瓷的研制

探讨了ＺｒＪＣｒＯ＿４系多功能陶瓷的制备工艺及其功能．此类陶瓷，除具有湿敏特性外，还具有ＮＴＣ热敏及压敏功能，是一类有应用前景的功能陶瓷。     

PSN-PZN-PZT四元系压电陶瓷的研究

采用传统的固相烧结方法制备了Pb(Sn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(PSN-PZN-PZT)四元系压电陶瓷,并通过添加MnO2、Sb2O3和SrCO3、BaCO3以提高材料的性能.通过X射线衍射(XRD)对合成后材料的物相进行了分析,用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品表面的显微结构,并且讨论了Sr质量分数对材料介电、压电性能及温度稳定性的影响.实验结果表明:Sr2 部分置换Pb2 使得准同型相界向富Zr方移动,降低了居里温度,增大了介电半高宽值;当xSr取值范围0.02~0.04时,经960℃、126 0℃的烧结,系统的综合性能最佳.     

SnO2—ZnO二元系半导体陶瓷材料特性

报道了ＳｎＯ２－ＺｎＯ二元系半导体陶瓷体及其薄膜的制备方法，材料的电学，光学，热敏，气敏和湿敏特性，以及掺杂和热处理对材料特性的影响，ＳｎＯ２－ＺｎＯ半导体陶瓷材料有很好的稳定性，是一种多功能复合半导体材料，在光伏技术，敏感技术及仪器仪表领域有着广泛应用。     

La_2O_3—CaF_2二元系熔渣的粘度

我国稀土金属资源极其丰富,但含稀土金属氧化物炉渣的性质在国内外都很少有人进行系统的测定。为了更好地了解和应用稀土金属资源,有必要对含稀土金属氧化物的渣系进行系统的研究。为此,我们测定了La_2O_3—CaF_2二元系熔渣的粘度。这一测定结果对于稀土金属生产及电渣重熔渣系的选择(1)也将有一定的参考价值。     

ACNH_2—H_2C_2O_4二元系的DSC测定

本文用DSC方法测定了ACNH_2—H_2C_2O_4二元系的相图,实验发现该二元系有一个新的相化合物ACNH_2·H_2C_2O_4生成,并用X—射线衍射数据进一步证实了该化合物的存在,它和ACNH_2的低共熔点为50.0℃、30％H_2C_2O_4、70％ACNH_2,它和H_2C_2O_4的低共熔点为112.0℃、76.0％H_2C_2O_4、24.0％ACNH_2。     

SnO_2—ZnO半导体陶瓷气敏特性的研究

本文研究了SnO_2—ZnO半导体陶瓷的原料配比对其气敏特性的影响。     

EuCl3-CaCl2二元系的热力学优化和计算

引入短程有序-扩展似化学模型来描述EuCl3-CaCl2二元体系液相的Gibbs自由能,根据实验测定的相图和混合焓数据,运用CALPHAD技术对该体系进行了热力学优化和计算,优化计算的结果和实测值符合很好.     

La0.5-xYxBa0.5CoO3系导电陶瓷导电性研究

通过对La0.5-xYxBa0.5CoO3系导电陶瓷的导电性、导电机制和微观形貌的研究,探讨了元素对该系导电陶瓷各方面性能的影响.发现稀土元素Y和La0.5Ba0.5CoO3系导电陶瓷的导电性有较大的影响.     

四元系PMMN压电陶瓷温度稳定性研究

我们对适用于压电陶瓷变压器的Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))_A(Mn_(1/3)Nb_(2/3))_BTicZr_DO_3四元系(简称PMMN)压电陶瓷温度稳定性进行了研究,发现该材料与二、三元系类似,在三角——四方相准同型相界附近过渡位置①上温度稳定性最好,且对四元系来说,这样的位置应该是依赖于第三、四组元的一种“交叉”性过渡位置.我们所找到的压电性优良、温度稳定性好的PMMN—1主成分就处于这种位置上.以Sr同价取代Pb及CeO_2添加改性,使PMMN—1组成温度稳定性得到进一步改善,其较佳配方为PMMN—1F(Sr取代Pb_2%克原子)、PMMN-1b(CeO_2添加量为0.2%wt).     

Fe-P二元系机械合金化研究

采用机械合金化方法,用行星式高能球磨机对Fe基合金中的Fe100-xPx(x=5,10,17,25,33,50,67)二元合金系统进行机械合金化研究,用X射线衍射仪分析球磨后的合金粉末结构,并用扫描电子显微镜分析样品的形貌和粒度。结果表明,用机械合金化方法可使Fe和P在P的成份小于20at.%时产生固溶体,在P的成份大于20at.%时有相应的化合物FeP或Fe3P生成;Fe-P系统在球磨100h后平均有效晶粒尺寸约40nm,都达到了纳米量级;扫描电镜的形貌结果显示,粉末颗粒很细,但聚集成团。     

ZnO-CdO二元体系的导电机制和气敏效应￣①

采用化学共沉淀与固相反应相结合的方法，合成了一系列不同Ｚｎ／Ｃｄ比氧化物粉料。研究了不同Ｚｎ／Ｃｄ比对相结构、电导与气敏性能的影响．没有发现Ｚｎ，Ｃｄ氧化物形成明显的置换固溶体或第三相，但存在间隙固溶体现象。Ｚｎ／Ｃｄ比为８／２时，元件对Ｈ２和Ｃ２Ｈ２有较高的灵敏度和选择性。