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1.
使用Tang-Toennies势模型通过密耦近似(Close-Coupling)方法计算了Ar原子与H2分子在碰撞能量分别为E=0.15eV、0.25eV、0.35eV时的分波截面,对计算结果进行了讨论,总结了该碰撞体系的弹性微分截面(00-00)以及分波散射截面在弹性散射00-00和非弹性散射00-02、00-04的变化规律。 相似文献
2.
本文使用Tang-Toennies势模型通过密耦近似方法计算了惰性气体Xe与H2碰撞的散射截面, 并对计算结果进行了讨论, 总结了该碰撞体系散射截面的变化规律. 相似文献
3.
用公认精确度较高的密耦近似方法和Tang-Toennies势模型计算了不同能量下惰性气体原子Ne与H2及其同位素D2、T2替代碰撞体系的转动激发碰撞截面。通过分析Ne-H2、D2、T2各碰撞体系微分截面的差异,总结出在心分子的对称同位素替代情形下Ne-H2(D2、T2)碰撞体系微分截面的变化规律。结果表明,体系的约化质量及入射原子相对碰撞能量的变化均给体系的微分截面带来不同程度的影响。 相似文献
4.
对惰性气体原子与氘分子系统建立T-T势能模型,并采用密耦近似方法,计算了原子入射能量分别为0.05、0.10、0.15、0.20、0.25eV情况下,系统00-00弹性碰撞微分截面及00-02转动激发微分截面.通过对计算结果的分析得到了弹性及非弹性碰撞微分散射截面随角度的变化规律以及入射原子能量和系统约化质量对微分截面的影响. 相似文献
5.
惰性气体原子与H2(D2、T2)分子碰撞总截面的理论研究 总被引:3,自引:3,他引:3
用Tang-Toennies势模型和密耦近似方法计算了能量E=0.05、0.10、0.15、0.20eV和0.25eV时惰性气体原子与H2(D2、T2)分子碰撞体系的碰撞总截面,得到了惰性气体原子与H2及其对称同位素替代碰撞体系总截面随能量增加的变化规律。 相似文献
6.
He-HBr碰撞体系各向异性相互作用势及微分散射截面的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
基于在CCSD(T)/aug-cc-p VQZ理论水平下计算的He-HBr相互作用能数据,尝试用Huxley解析势函数构造了He原子与HBr分子相互作用的各向异性势模型;然后采用精确的量子密耦方法计算了碰撞能量为200 meV时,He原子和HBr分子碰撞的微分截面,获得了该碰撞体系的弹性微分截面和态-态转动激发微分截面随散射角变化的规律.研究表明:构造的势模型较好地描写了He-HBr系统相互作用的各向异性特征,对进一步研究原子与分子的相互作用有一定的参考价值. 相似文献
7.
用Tang Toennies势模型和较高精确度的密耦(Close Coupling)近似方法,计算了E=0.05eV整簇惰性气体原子与氢(氘、氚)分子碰撞体系00 00弹性碰撞及00 02非弹性碰撞微分截面,得到了惰性气体原子与H2及其对称同位素替代碰撞体系微分截面的变化规律.结果表明,微分截面随体系的约化质量和角度的增加而变化. 相似文献
8.
低能氖原子与H2(D2、T2)分子碰撞分波截面的理论研究 总被引:8,自引:8,他引:0
用密耦方法及Tang-Toennies势模型计算了Ne-H2(D2、T2)碰撞规格绵碰撞截面,得到了H2分子的对称同位素替代情形下Ne-H2(D2、T2)三碰撞体系分波截面的变化规律。 相似文献
9.
运用量子化学从头计算方法,在CCSD(T)/6-311++G(3df,2p)水平下计算了Ar-HF相互作用的势能表面,拟合出Ar原子与HF分子相互作用的各向异性势函数,用密耦方法计算了Ar原子与HF分子碰撞的微分散射截面,计算结果与实验数据符合得较好。 相似文献
10.
3He、 4He与H2 、D2、 T2碰撞(E=0.5 Ev)分波截面的理论研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用密耦近似(Close—Coupling)方法和Tang—Toennies势模型计算了入射能量E=0.50eV情况下,氦原子的两种同位素(^3He、^4He)与H2及其同位素D2、T2替代碰撞体系的振转激发碰撞截面.通过分析各碰撞体系分波截面的差异,总结出在对称同位素替代情形下^3He、^4He与H2、D2、T2碰撞体系分波截面随量子数增加和体系约化质量的变化规律.结果表明,体系的约化质量变化给体系的碰撞截面带来不同程度的影响. 相似文献