"一桥"和"二桥"-双(四硫富瓦烯衍生物)的合成与性质

目的研究合成有机导体“桥式”四硫富瓦烯衍生物的方法。方法以6,7-二(2'-氰乙硫基)-2,3-二甲硫基四硫富瓦烯为原料,在醇钠的作用下分两次消去氰乙基生成硫负离子。第一次生成的硫负离子与对二氯甲苯反应生成一种新的“一桥”-双四硫富瓦烯衍生物,该衍生物再分别与醇钠和对二氯甲苯反应生成另一种新的“二桥”-双四硫富瓦烯衍生物。结果“一桥”和“二桥”- 双(四硫富瓦烯衍生物)有特殊的电化学性质和很强的紫外吸收。结论为“桥式”四硫富瓦烯衍生物的合成提出了一种新方法。     

四硫富瓦烯衍生物的合成及性质研究

合成了一种新的四硫富瓦烯衍生物2，3-(二硫亚乙基)-6-(硫丁氧基对苯亚甲基巴比妥)四硫富瓦烯，通过核磁、红外、元素分析等进行了表征，并研究了其在溶液中的聚集行为及电化学性质。     

新型X-型四硫富瓦烯衍生物的合成及其电化学行为

2,3-二(2′-氰乙基硫基)-6,7-二丁硫基四硫富瓦烯在醇钠的作用下消除一个保护基团,形成四硫富瓦烯衍生物的单钠盐,接着与9,10-二(氯甲基)蒽反应生成以蒽单元为桥的双四硫富瓦烯衍生物。生成的此双四硫富瓦烯衍生物再次在醇钠作用下消除剩下的保护基团,再与1,2,4,5-四(溴甲基)苯反应,生成由四硫富瓦烯单元和蒽单元构建的新型X-型四聚四硫富瓦烯衍生物。测试结果表明，这种新型X-型四硫富瓦烯衍生物在离子液中四硫富瓦烯单元比在二氯甲烷溶剂中更加容易被氧化或被还原。     

双(6,7-二甲硫基四硫富瓦烯-2,3-二硫) 金属配合物的合成及其电化学性质

以6，7—二甲硫基四硫富瓦烯—2，3—二硫醇盐为配体合成了两种新的双(6，7—二甲硫基四硫富瓦烯—2，3—二硫)金属配合物，利用循环伏安法研究了它们的电化学性质，并讨论了其紫外-可见光谱和形成中性产物的原因。     

新型U型双四硫富瓦烯衍生物的合成及其光诱导电子转移反应

4,5-（2′-氰乙基硫基）-6,7-二丁硫基四硫富瓦烯在甲醇钠的作用下消除一个氰乙基生成四硫富瓦烯衍生物的单钠盐,此单钠盐再与9,10-二（氯甲基）蒽反应生成新型U型双四硫富瓦烯衍生物。实验结果表明,这种新型U型双四硫富瓦烯衍生物与C60之间产生光诱导电子转移反应使其荧光显著增强。     

新型四硫富瓦烯镍的四种衍生物的电学性质研究

研究四种四硫富瓦烯镍的衍生物，通过循环伏安法和变温四探针法对其电化学性质进行了研究，发现它们都是半导体．     

2,3-二甲氧羰基-6,7-二氰基四硫富瓦烯衍生物合成

在亚磷酸三乙酯存在下,利用高度稀释技术,通过4,5-二氰基-1,3-二硫杂环戊烯-2-酮和4,5-二甲氧羰基-1,3-二硫环戊烯-2-硫酮的交叉偶联反应,成功地合成了关键前躯体二氰基四硫富瓦烯衍生物,用NMR、TOF-Ms和IR表征了其结构,并用循环伏安法和紫外吸收光谱初步评价了四硫富瓦烯衍生物的电化学性质和光物理性质。     

新的非对称四硫富瓦烯衍生物的合成及LB膜的研究

设计并合成了一种新的具有电子给体结构的非对称四硫富瓦烯衍生物２,３－二硫苄基－６,７－二硫十六烷基四硫富烯。经元素分析,红外光谱,核磁共振谱确定了其结构,并对单分子膜的成膜性能和条件进行了初步的探讨。     

四硫富瓦烯衍生物及其金属配位化合物的研究现状及发展前景

本文概述了四硫富瓦烯衍生物及其金屑配合物的研究进展及现状,并举几种典型的四硫富瓦烯衍生物及其金屑配合物。分析了它们的结构和导电机理,简述了研究热点及其发展趋势．     

3,8,13-三辛烷氧基吐昔烯的电荷传输性质

使用电子转移的Marcus模型,在B3LYP/6-31G**水平上对3,8,13-三辛烷氧基吐昔烯(3C8OTRX)的分子结构、电子结构及电荷传输性质进行理论研究.计算结果表明,该分子的空穴传输载流子迁移率(μ+=0.15)和传输速率常数 k+(5.49×1012 s-1)均比电子传输约大5.0倍,预示可设计成空穴传输材料.与苯并菲和六氮杂苯并菲比较,空穴传输能力比羟基取代六氮杂苯并菲强,与苯并菲接近,电子传输能力显著增强.     

压电悬臂梁式微型电场传感器的设计与制备

提出并研制一种新型压电悬臂梁式微型电场传感器,该传感器是基于压电(PZT)薄膜驱动的悬臂梁式微型电场传感器;同时介绍了传感器的工作原理、结构设计、制作工艺以及初步测试结果。该微型电场传感器由多根压电悬臂梁构成,每根悬臂梁能同时具有屏蔽电场和感应电荷功能。对传感器感应电荷的能力进行了计算;并根据计算结果和工艺要求设计了传感器的参数。该微型电场传感器采用微加工技术制作,每根悬臂梁为多层复合结构(Al/Si3N4/Pt/PZT/Pt/Ti/Si O2/Si),其中PZT薄膜采用溶胶-凝胶法制备。测试结果证明,传感器具有良好的响应特性。     

Preparation and characterization of PZT thick film enhanced by ZnO nanowhiskers for MEMS piezoelectric generators

A hybrid sol-gel route which was used to fabricate PZT thick film for MEMS piezoelectric generators was investigated. (100)-oriented Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3 thick films enhanced by ZnO nanowhiskers(ZnO_w) were successfully prepared on Pt/Cr/SiO_2/Si substrates via spin-coating ZnO_w suspension and PZT sol.The influences of film thickness on the microstructure and electrical properties of composite thick film were investigated.XRD results show that PZT composite thick films have(100)-oriented perovskite...     

Tuning charge transport in solution-sheared organic semiconductors using lattice strain

Circuits based on organic semiconductors are being actively explored for flexible, transparent and low-cost electronic applications. But to realize such applications, the charge carrier mobilities of solution-processed organic semiconductors must be improved. For inorganic semiconductors, a general method of increasing charge carrier mobility is to introduce strain within the crystal lattice. Here we describe a solution-processing technique for organic semiconductors in which lattice strain is used to increase charge carrier mobilities by introducing greater electron orbital overlap between the component molecules. For organic semiconductors, the spacing between cofacially stacked, conjugated backbones (the π-π stacking distance) greatly influences electron orbital overlap and therefore mobility. Using our method to incrementally introduce lattice strain, we alter the π-π stacking distance of 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl) pentacene (TIPS-pentacene) from 3.33?? to 3.08??. We believe that 3.08?? is the shortest π-π stacking distance that has been achieved in an organic semiconductor crystal lattice (although a π-π distance of 3.04?? has been achieved through intramolecular bonding). The positive charge carrier (hole) mobility in TIPS-pentacene transistors increased from 0.8?cm(2)?V(-1)?s(-1) for unstrained films to a high mobility of 4.6?cm(2)?V(-1)?s(-1) for a strained film. Using solution processing to modify molecular packing through lattice strain should aid the development of high-performance, low-cost organic semiconducting devices.     

钛含量对PZT/STO铁电电容器隧穿电阻的影响

采用Landau-Devonshire自由能理论和晶格模型,研究了PbZr1-xTixO3(PZT)/SrTiO3(STO)复合薄膜中PZT的钛(Ti)含量(x=0.5,0.6,0.8,1.0)对铁电隧道结极化强度、总电势、电导和隧穿电阻等的影响,从而增大隧穿电阻.模拟结果表明:随着层数增加,复合薄膜极化强度增大;随着Ti含量增加,隧道结电导先减小后增大,其隧穿电阻率先增大后减小;PZT极化强度、STO总电势和PZT总电势的斜率均在x=0.8时最大.     

锆钛酸铅（PZT）纳米陶瓷粉体的液相制备技术

评述了Sol-gel法、共沉淀法和水热法制备锆钛酸铅(PZT)纳米陶瓷粉体的原理、工艺过程、技术特点及其优缺点。重点论述了水热合成PZT纳米陶瓷粉体的dissolution／precipitation和in-situ两种合成机制,详细分析了锆、钛、铅等反应物离子在水热条件下的存在形式、反应机理以及碱度、温度、干燥技术和铅含量等条件对水热合成PZT纳米陶瓷粉体的影响。讨论了液相法合成PZT纳米陶瓷粉体的研究热点与发展方向。     

NiTi薄膜对压电陶瓷材料阻尼性能的影响

采用磁控溅射法在压电陶瓷（PZT）基体上沉积形状记忆合金NiTi薄膜,经过600 °C晶化而制备出PZT/NiTi异质复合阻尼材料,采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜等观察分析复合阻尼材料的物相组成及异质间的结合状态,并用相位法评价复合材料的阻尼性能.结果表明,PZT/NiTi异质复合阻尼材料的阻尼性能与PZT类似,但在频率为1.1~1.2 kHz时,其内耗曲线中出现了一个稳定平台.     

Lead-free piezoceramics

Lead has recently been expelled from many commercial applications and materials (for example, from solder, glass and pottery glaze) owing to concerns regarding its toxicity. Lead zirconium titanate (PZT) ceramics are high-performance piezoelectric materials, which are widely used in sensors, actuators and other electronic devices; they contain more than 60 weight per cent lead. Although there has been a concerted effort to develop lead-free piezoelectric ceramics, no effective alternative to PZT has yet been found. Here we report a lead-free piezoelectric ceramic with an electric-field-induced strain comparable to typical actuator-grade PZT. We achieved this through the combination of the discovery of a morphotropic phase boundary in an alkaline niobate-based perovskite solid solution, and the development of a processing route leading to highly <001> textured polycrystals. The ceramic exhibits a piezoelectric constant d33 (the induced charge per unit force applied in the same direction) of above 300 picocoulombs per newton (pC N(-1)), and texturing the material leads to a peak d33 of 416 pC N(-1). The textured material also exhibits temperature-independent field-induced strain characteristics.     

全钙钛矿La0.5Sr0.5CoO3/PbZr0.53Ti0.47O3/La0.5Sr0.5CoO3异质结的结构与性能

应用射频磁控溅射法在SrTiO3(STO)基片上制备了全钙钛矿结构La0.5Sr0.5CoO3/PbZr0.53Ti0.47O3/ La0.5Sr0.5CoO3(LSCO/PZT/LSCO)电容器异质结,并进行了结构和性能的表征.X射线衍射(XRD)的研究表明,LSCO/PZT/LSCO异质结在SrTiO3(STO)基片上为外延生长.对该电容器铁电性能的研究发现,在5 V驱动电压下,电滞回线饱和趋势良好,矫顽场电压为1.8 V和剩余极化强度为21.5×10-6 C/cm2,漏电流为8.9×10-8 A/cm2.实验还证实该电容器具有良好的脉冲宽度依赖性及抗疲劳特性.     

PZT/P(VDF-TrFE)0-3型复合材料的制备及介电测量

采用溶胶 -凝胶法制备了锆钛酸铅 (PZT)的纳米粉体 ,通过热压的方法制备了锆钛酸铅与偏氟乙烯和三氟乙烯的共聚物形成的 0 3型复合材料 (PZT/P(VDF TrFE) ) ,并对其进行了频域和时域介电测量 .研究结果表明 ,复合材料的介电常数随PZT的体积分数的增加而增大 ,在PZT体积分数约为 70 %时出现最大值 ,并对该结果作了定性解释 .时域测量结果表明 ,在PZT/P(VDF TrFE) 0 3复合材料中存在 3种不同弛豫时间的极化结构     

采用修正的溶胶-凝胶技术制备PZT铁电薄膜

采用一种修正的溶胶-凝胶技术制备出Pb[Zr0.52Ti0.48]O3（PZT）铁电薄膜.对溶胶的整个制备过程进行了红外透射光谱分析,对制备的铁电薄膜结构和性能进行了表征.由XRD图可以看出,退火温度在600℃以上时,薄膜结构为纯的钙钛矿结构.由P-E曲线可以看出,经600℃退火处理的PZT薄膜具有良好的铁电性能.