强发射电流反铁电冷阴极材料的实验研究

采用固态烧结工艺制备了位于反铁电/铁电相界附近的PbLa(Zr,Sn,Ti)O3(PLZST)反铁电陶瓷样品.通过测定样品在快速单脉冲电压激励下的电子发射特性,得到了激励电压对发射电流的影响规律,发射电流随激励电压增加而增加,当激励电压大于1.5 kV时,发射电流趋于饱和.在单脉冲激励下进行电子发射实验,得到如下结果:在激励电压为800 V、抽取电压为0 V的条件下,发射电流密度为1.27 A/cm2;当抽取电压增加到4 kV时,获得了1 700 A/cm2的大发射电流密度.研究结果表明,室温下PLZST的反铁电陶瓷可在较低激励电压下实现电子发射,发射电流密度大,能够工作于4 Pa的低真空环境中.     

铁电陶瓷材料实验研究及应用

介绍了压电晶体材料和热释电晶体的极化强度与外电场的线性关系。并通过检测设备(电桥、示波仪、数字表)验证了线性电介质和铁电晶体是典型的非线性电介质外,其极电强度与外电场的关系呈非线性。特别是在具体温度范围内具有自发极化,而且共自发极化强度在电场中与电场强度有常规的电滞回线的形式     

脉冲准分子激光制备多层铁电薄膜的铁电性能研究

为ＦＲＡＭ、ＦＦＥＴ、ＦＤＭ的实际应用和研究提出了多层结构铁电薄膜的设计思想．采用脉冲准分子激光淀积方法实际制备了两种不同电极的ＢＩＴ／ＰＬＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ多层铁电薄膜．用Ｓａｗｙｅｒ－Ｔｏｗｅｒ电路测试了这两种薄膜的铁电性能．结果表明,多层结构铁电薄膜具有良好的铁电性能,并且以氧化物为电极的铁电薄膜的铁电性能优于用金属为电极的铁电薄膜     

铁电多层膜中的退极化场

从最基本的电介质方程出发,给出了铁电双层膜、铁电三明治结构、铁电超晶格中退极化场的表示形式,并详细研究了退极化效应对反铁电耦合的铁电双层膜的极化以及电滞回线的影响.     

高压电脉冲反铁电调节器的实验研究

基于电场诱导的反铁电相向铁电相转变中伴随有巨大电能量吸收的原理，实验研究了反铁电调节器对高压电脉冲的调节作用．工作电压是幅值为50kV、宽度为3．75μs的方型脉冲电压，反铁电调节器由锆锡钛酸铅反铁电陶瓷组成．实验结果显示，反铁电调节器消除了电脉冲前沿的上冲电压峰，填补了后沿的电压波谷，使电脉冲波形平滑化，从而达到了调节电脉冲波形的目的，测量得到的动态电滞回线结果表明，在上述电脉冲作用下材料发生了反铁电相与铁电相之间的转换。     

反铁电爆电换能电源研究

为了建立铁电－反铁电相变中释放的电能量与外加作用力场的关系，采用电滞回线、等静压和热释电等方法测量了Pb(Zr,Ti)O3基反铁电材料在电场、温度、压力等外场诱导下的铁电－反铁电相变性能，分析了在电容和电阻负载条件下的电输出特性。实验结果表明：铁电－反铁电相变中的输出功率与材料面电荷量的平方成正比，与实现相变的时间成反比。在此基础上提出了增加输出功率的途径。通过改善材料电滞回线的方直比，可以提高材料面电荷密度和缩短相变时间。     

强发射电流反铁电冷阴极材料实验研究

采用固态烧结工艺制备了位于反铁电／铁电相界附近的PbLa（Zr，Sn，Ti）O3（PLZST）反铁电陶瓷样品．通过测定样品在快速单脉冲电压激励下的电子发射特性，得到了激励电压对发射电流的影响规律，发射电流随激励电压增加而增加，当激励电压大于1．5kV时，发射电流趋于饱和．在单脉冲激励下进行电子发射实验，得到如下结果：在激励电压为800V、抽取电压为0V的条件下，发射电流密度为1．27A／cm^2；当抽取电压增加到4kV时，获得了1700A／cm^2的大发射电流密度．     

PLZT电光陶瓷的应用发展

PLZT电光陶瓷是一种典型的透明铁电陶瓷。由于其优异的性能,近年来得到广泛的研究。本文从PLZT透明电光陶瓷的发展、制备、性能和应用等方面加以评述,较全面地对PLZT透明电光陶瓷进行介绍。     

共焦显微拉曼光谱技术在铁电陶瓷材料中的应用研究

本文介绍了拉曼光谱技术的发展和共焦显微拉曼光谱技术特点,就厦门大学材料学院购置的美国普林斯顿仪器公司生产的TriVista CRS557型三级共焦显微拉曼光谱仪使用的情况,简单概述共焦显微拉曼光谱技术在铁电陶瓷的应用研究,尤其是材料在外场作用下的原位拉曼观测方面的创新技术。     

人工复合铁电多层膜的极化性质研究

建立了三层铁电复合薄膜的理论模型,采用Ginzburg-Landau-Devonshire(GLD)唯象理论,引入表示不同材料过渡层性质的局域分布函数,重点研究了具有不同相变温度的铁电材料复合而成的铁电薄膜的极化性质.通过改变不同铁电材料的复合方式及不同铁电材料之间过渡层的厚度,计算了铁电多层膜内部的极化强度分布.研究表明,不同相变温度的铁电材料间复合方式以及它们之间的过渡层的厚度对铁电薄膜的极化分布都有着重要的影响,并且存在临界过渡层厚度,其它复合铁电薄膜的极化分布曲线都在取两临界过渡层的曲线之间.     

等静压力及偏置电压下锆钛锡酸铅基反铁电体的介电行为

采用固态烧结工艺制备了位于反铁电（AFE）／铁电（FE）相界附近的PbLa（Zr，Sn，Ti）O3（PLZST）反铁电陶瓷样品．通过测定样品的相对介电常数及损耗与各种参量的关系，得到了等静压力及偏置电压对反铁电体铁电／反铁电相变及反铁电／顺电（PE）相变温度影响的规律．研究发现：极化了的PLZST反铁电材料在一定等静压力的作用下，随着偏置电压的增加其峰值相对介电常数增大，相对介电常数最大值对应的温度降低，FE／AFE转变温度上升，AFE／PE转变温度下降；当等静压力为0．1MPa时，单位偏置电压引起的居里点变化率为-1℃／kV，单位偏置电压引起的FE／AFE相变温度变化率为5．2℃／kV，当等静压力为60MPa时，分别为-2．2℃／kV和3℃／kV。     

中温烧结PLZT基X7R262瓷料的研究

在文献［７］的基础上，通过配方调整和工艺研究，获得了中温烧结的ＰＬＺＴ基Ｘ７Ｒ２６２瓷料，其主要性能指标达到：ε２９８Ｋ＝２６００±１００；ｔｇδ＜４０×１０－４；ρＶ＞１０１３Ω·ｃｍ；Δε／ε２９８Ｋ＜±１３％；Ｅｂ＞１２ｋＶ／ｍｍ；ＴＳ＝（１３７３±２０）Ｋ     

SrTiO3基高压陶瓷电容器材料的组成与性能

研究了Bi2O3.3TiO2和PbTiO3的加入量对SrTiO3基高压陶瓷电容器材料性能的影响.实验的结果表明:最佳加入量的摩尔分数分别是Bi2O3.3TiO2为9%,PbTiO3为18%.在1 250 ℃的温度下烧结获得了性能为:εr=3 295;Eb=10.2 kV/mm;tgδ=6×10-4;ΔC/C(-25～+85 ℃)≤±12%;绝缘电阻R=7.5×1012 Ω的高压陶瓷电容器材料.     

铁电陶瓷的有效介电系数及其调整原理

通过讨论用通用LCR测量仪所测铁电陶瓷介电系数的含义,导出了抑制铁电陶瓷有效介电系数随偏压变化大小的原理表达式,即c_2~2/c_1~2=—dc_2/dE/dc_1/dE。根据此表达式,在抑制PZN和PMN基铁电陶恣介电系数随偏压变化大小的研究中,收到满意的效果。     

SrTiO3基多功能陶瓷的晶界结构与晶界能

用高分辨透射电子显微镜（ＨＲＥＭ）观察和分析了ＳｒＴｉＯ３陶瓷中洁净晶界的结构，提出了晶界处原子排布模型，用弹性位错理论推出了描述晶界能与晶粒间失配角关系的方程。晶界能由晶界核心能和伴有晶界应变场的弹性位错能组成，通过对［郾１］和［１１０］倾斜晶界晶界能的模拟，证实了该模型的可行性。     

BaTiO_3 基半导体陶瓷的晶界效应

针对一固定的低电阻率ＰＴＣ配方，在实验手段允许的范围内，以及在能保证瓷体半导化的温度范围内波动时，改变ＰＴＣ瓷片的烧成温度、保温时间和冷却速度，均未实现由ＰＴＣ效应向晶界层电容效应的转变；通过涂敷受主氧化物进行热处理，并且热处理温度较低时就能实现由ＰＴＣ效应向晶界层电容效应的转变．基于本实验的现象和数据，对解释ＰＴＣ效应的Ｈｅｙｗａｎｇ模型，Ｄａｎｉｅｌｓ钡空位模型和较为普遍公认的晶界层电容器的双层模型进行总结和修正，提出了双势垒层模型，采用这一模型可圆满解释本实验中的某些现象和问题．     

表面活性剂制备ZTM陶瓷的作用机制

用高分子表面活性剂取代无乙醇作分散剂制备ＺＴＭ陶瓷，研究了制备方式对陶瓷烧结性和力学性能的影响。分析了不同粉体的粒度及其分布并采用Ｘ－射线衍射分析计算出各试样的氧化锆含量。研究发现分别以ＰＥＧ、无水乙醇作分散剂制备的试样具有相近的力学性能，为优化工艺、改善性能提供了条件。     

添加物对PLZT陶瓷的降温和改性作用

本文研究了４Ｂｉ２Ｏ３·Ｂ２Ｏ３助熔剂对ＰＬＺＴ瓷料的降温效果以及ＢａＳｎＯ３的固溶和Ｂａ２＋的Ａ位取代对掺Ａｇ＋的ＰＬＺＴ反铁电组分的改性作用，获得了中温烧结的ＰＬＺＴ系Ｘ７Ｒ瓷料．其主要性能指标达到：ε２９８Ｋ＝２０００±１００；ｔｇδ＜５０×１０－４；ρｖ＞１０１３Ω·ｃｍ；△ε／ε２９８Ｋ＜±１０％；Ｅｂ＞１．１×１０４ｋＶ／ｍ；Ｔｓ＝１３４３～１３９３·Ｋ     

PZT—BF—SCN系压电陶瓷的烧结和电性能

本文研究了PZT—BF—SCN系压电陶瓷中的第四组元SCN对该系统烧结和电性能的影响。发现SCN能明显降低系统的烧结温度,改善系统的电性能。随着SCN量的增加,系统的介电常数增加,tgδ减小,且K_p和Q_m能同时出现最大值。     

SrTiO3基高压陶瓷电容器材料的组成与性能

研究了Bi