探测器单元PAD的单道计数率和strip pattern的研究

探测器单元PAD的单道计数率是阵列探测器长期运行稳定性的一个参量.用单道计数率结合探测器单元整个的strip pattern来综合研究探测器的运行情况,对阵列运行维护和探测器研究都有重要的参考意义.     

半导体辐射探测器

在探测器领域,半导体材料的重要性有三个：(i) 可以充分利用辐射的贯穿性;(ii) 能检测辐射对生物的有害性;(iii) 是我们周围信息的有效载体目前有以下几种探测器：（1） 粒子计数探测器;（2） 粒子能量探测器;（3） 粒子与物质作用时间探测器;（4） 粒子单位体积单位时间能量探测器有多种被探测的电离粒子和能量范围,因为不同的粒子与探测器物质的相互作用不同所以需要不同的探测器该文综述了不同的探测器种类（包括不同的材料和结构）,它们的应用和面临的挑战     

基于PIN硅像素探测器的新型低电容结构设计与仿真

设计的新型低电容硅像素探测器是基于减少有效几何电极面积,同时保持探测器有效体积不变的思想提出的.借助半导体器件仿真软件(Sentaurus TCAD)对探测器的电特性,包括静电势、电场、电子浓度和电容进行了仿真,并与传统硅像素探测器对比,从而得到新型硅像素探测器比传统硅像素探测器电容小的结论 .     

方形三维沟槽电极硅探测器相干性影响因素研究

为了研究三维沟槽电极硅探测器相邻单元之间的相干性的影响因素,根据Ramo定理提出的电信号产生原理,需要观察不同条件下探测器单元中比重场的变化.该文以方形三维沟槽电极硅探测器为研究对象,利用仿真工具Silvaco TCAD仿真出方形三维沟槽电极硅探测器的结构,采取单个最小电离粒子(MIP)从探测器上部垂直入射的方式,通过改变高能粒子入射的位置和探测器的沟槽深度,来研究探测器相邻单元中的比重场变化,进而得出相干性的影响因素.     

半导体辐射探测器（英文）

在探测器领域,半导体材料的重要性有三个:(i)可以充分利用辐射的贯穿性;(ii)能检测辐射对生物的有害性;(iii)是我们周围信息的有效载体.目前有以下几种探测器:(1)粒子计数探测器;(2)粒子能量探测器;(3)粒子与物质作用时间探测器;(4)粒子单位体积单位时间能量探测器.有多种被探测的电离粒子和能量范围,因为不同的粒子与探测器物质的相互作用不同所以需要不同的探测器.该文综述了不同的探测器种类(包括不同的材料和结构),它们的应用和面临的挑战.     

对三维沟槽电极硅探测器漏电流的仿真与模拟

该文研究了漏电流对三维沟槽电极硅探测器性能的影响.由扩散电流、产生电流和表面漏电流三部分电流构成的探测器漏电流在不同情况下受各种电流影响不同.漏电流是影响探测器性能的一个重要因素,在探测器的制造过程中,或者受到辐照以后,会在探测器中形成一系列缺陷,特别是在探测器受到辐照以后,由于深能级缺陷引起的漏电流会显著增加.由仿真可以看出,随着在负极(沟槽壁)上加的电压逐渐增大,漏电流会显著增大,直到漏电流达到饱和.在仿真中主要考虑的是产生电流的影响,其大小主要由耗尽区域的体积决定.     

火灾探测器的应用现状与发展

<正>一、火灾探测器的概述1.火灾探测器的发展史。火灾探测器是在人类长期与火灾的斗争中产生和发展起来的,在火灾自动报警系统中起探测火灾和报告着火部位的作用。1890年英国成功研制出第一个感温式火灾探测器,从而开创了人类火灾自动探测报警技术的新纪元;20世纪50年代,离子     

一种新型低电容像素探测器的设计与模拟

该文提出了一种新型的低电容硅像素探测器,其目的就是降低电子噪声.该探测器是一种新的电极几何结构,有效电极面积减小,结构新颖,同时保持敏感部分体积不变.利用三维软件Silvaco TCAD对探测器的各种特性进行了详细的模拟,这些特性包括电场、电势、全耗尽电压和电容.通过这些设计、模拟和计算,与传统探测器比较,得出了新的结论 .     

空中侦察系统中红外小目标的被动测距

针对光电对抗系统在红外小目标被动测距中的不足,提出了一种基于目标距离比和方向信息的被动测距算法. 建立了三维空间中的目标和探测器运动模型,通过数学分析构建估计红外小目标距离的一元二次方程,其参数由相邻采样时刻目标到探测器的距离比、探测器自身空间坐标、目标对探测器的方位角及高低角决定. 通过仿真实验和加噪分析验证了该方法的有效性. 文中所提方法表达简单,可避免分母接近于零的情况,适用于机载或弹载双波段红外探测器对小目标的距离估计.     

开关复位型前放芯片CPRE＿SW2的噪声及抗辐射性能测试

介绍了一种匹配冷却型半导体探测器的开关复位型前放芯片CPRE_SW2,探索其三种不同的复位工作模式,实现对探测器信号的预处理,具有高能量分辨率低噪声的优点.给出了芯片的电子学测试过程及与实际探测器联调结果,并针对单粒子锁定效应对芯片进行了辐照试验.     

超低温下运行的硅探测器

由于升级版强子对撞机中的最大粒子能量和亮度的增加,我们需要得到在对撞机磁环附近辐射场更精确的分布,因此我们必须把探测器放在磁环的附近以减小碎片对粒子束的影响欧洲核子中心（CERN BE BI BL,RD39）和俄罗斯Ioffe研究所7年前把硅探测器作为一种选择对其开展了研究工作由俄罗斯Ioffe研究所制作的探测器在1.9 K和4.3 K温度下对能量为23 GeV的质子实时辐射检测中,得到了探测器的特征并由此发现了新的物理现象     

红外光电导探测器硒化铅（PbSe）在油份分析中的应用

本文研究了红外光电导探测器硒化铅(PbSe)在油份分析中的应用,总结了该探测器在应用中应注意的几个问题.     

FPGA在图像型火灾探测器中的应用

随着工业的不断发展,对火灾探测的要求也越来越高。在工业危险场所,火灾发生后传播速度快,破坏力强,容易造成巨大的经济损失和人员伤亡。所以在此类场所中,火灾探测器必须更准确、更快速、更稳定。因此,更智能的图像型火灾探测器进入了人们的视野。基于此,提出一种以FPGA为硬件系统的图像型火灾探测器方案,其利用FPGA系统小型化、低功耗、高速度、高稳定性等特点,来满足图像型火灾探测器在石油化工等高危场所中的应用。     

硅基Si/Si0.65Ge0.35多量子阱APD响应特性的研究

以硅基材料为基底,外延生长20周期Si/Si_(0.65)Ge_(0.35)多量子阱结构的雪崩光电二极管(APD)探测器,分析了硅基量子阱结构的APD探测器能带对光子探测波长和响应灵敏度的影响。利用Silvaco TCAD进行工艺建模和光电性能仿真模拟。仿真结果表明,量子阱结构APD探测器响应峰值波长为0.95μm,探测响应截止波长为1.4μm,探测响应度提高了38%,实现了硅基APD探测器对微弱高频近红外光子的响应。     

光子探测器在芬兰HIP和克罗地亚RBI的研发制作

该文描述了碲化镉（CdTe）探测器,硅漂移探测器和外加一层转换闪烁体硅探测器（SiS）的设计与制作方法这些硅及CdTe芯片制作工艺及其连接方法是在芬兰的Micronova中心完成的与硅工艺不同的是,CdTe工艺必须在低于150 ℃的温度下完成我们因此专门为CdTe探测器开发了一种低温原子层淀积的氧化铝（Al2O3）薄膜工艺,大小为(10×10×1) mm3的CdTe晶圆由一种无接触的光刻工艺完成.探测器性能是由电流 电压（I V）,电容 电压（C V）、瞬间电流方法和精确微质子数方法来检测的实验结果与具有材料和缺陷参数的TCAD模拟结果相符     

超低温下运行的硅探测器（英文）

由于升级版强子对撞机中的最大粒子能量和亮度的增加,我们需要得到在对撞机磁环附近辐射场更精确的分布,因此我们必须把探测器放在磁环的附近以减小碎片对粒子束的影响.欧洲核子中心(CERN-BE-BI-BL,RD39)和俄罗斯Ioffe研究所7年前把硅探测器作为一种选择对其开展了研究工作.由俄罗斯Ioffe研究所制作的探测器在1.9K和4.3K温度下对能量为23GeV的质子实时辐射检测中,得到了探测器的特征并由此发现了新的物理现象.     

用电子束感生电压技术检测锑化铟红外探测器

在DX-3A扫描电子显微镜上加上了低温样品架,在83K用电子束惑生电压技术(EBIV)检测了锑化铟光生伏特型红外探测器的若干性能.探测器的EBIV像可清楚地显示出光敏面扩大的程度及多元探测器中各敏感元之间的隔离不完善性.光敏面上缺陷引起的响应不均匀性也可灵敏地检测出来.对于具有腐蚀台阶的台面型探测器,从EBIV分布曲线可估计出p-n结的深度.     

海外之窗

“火星极地登陆者”探测器飞向火星今年伊始,美国宇航局又向火星发射了一枚探测器———“火星极地登陆者”,这个探测装置将在太空飞行７．６亿公里之后于今年１２月３日抵达火星的南极上空,届时一对外形类似蓝球的小型探测装置将脱离探测器主体,以每小时８００公里的速度下降钻入火星表层以下的一米深的土壤中,以探测火星地层下面是否含有水份。此后“火星极地登陆者号”探测器将借助反推力火箭以及降落伞装置在火星南极表面实施软着陆。“火星极地登陆者”高约一米,探测器中配有三条电脑控制的机械腿,可在火星地表面有限度的范围之…     

光子探测器在芬兰HIP和克罗地亚RBI的研发制作（英文）

该文描述了碲化镉(CdTe)探测器,硅漂移探测器和外加一层转换闪烁体硅探测器(SiS)的设计与制作方法 .这些硅及CdTe芯片制作工艺及其连接方法是在芬兰的Micronova中心完成的.与硅工艺不同的是,CdTe工艺必须在低于150℃的温度下完成.我们因此专门为CdTe探测器开发了一种低温原子层淀积的氧化铝(Al2O3)薄膜工艺,大小为(10×10×1)mm3的CdTe晶圆由一种无接触的光刻工艺完成.探测器性能是由电流-电压(I-V),电容-电压(C-V)、瞬间电流方法和精确微质子数方法来检测的.实验结果与具有材料和缺陷参数的TCAD模拟结果相符.     

CsI(Tl)光电二极管探测器效率和输出电流的模拟

工业CT探测器由CsI(Tl)闪烁体和光电二极管器构成.用蒙特卡罗方法模拟探测器的探测效率与输出电流的大小,通过最佳探测效率求最佳晶体长度.模拟所用X射线能量为10～240keV,CsI(Tl)晶体的有效面积为1.1mm×1.1mm,长度范围为0.3～0.8cm.得到最佳晶体长度为0.5～0.6cm,探测器输出的平均电流的量级为10-10 A.