用紫外吸收光谱研究花生酸铅LB膜中PbS超微粒子生成

用紫外一可见吸收光谱研究了花生酸铅ＬＢ膜在Ｈ２Ｓ气氛中生成ＰｂＳ超微粒的过程以及各种反应条件对粒子生成的影响．实验结果表明，在花生酸ＬＢ膜内得到了稳定的ＰｂＳ超微粒．粒子的粒径主要分布在２．０ｕｍ～３．０ｕｍ之间，生成的超微粒子的大小以及粒径分布范围既与成膜时亚相中金属离子的浓度有关，又与反应气氛中Ｈ２Ｓ气体的浓度有关．     

嗜热蓝藻鞭枝藻藻胆体的分离及其光谱特性的研究

从嗜热蓝藻鞭枝藻（Ｍａｓｔｉｇｏｃｌａｄｕｓｌａｍｉｎｏｓｕｓ）中分离出藻胆体，并对其光谱特性进行了研究．完整藻胆体的室温荧光峰位于６７３ｕｍ，７７Ｋ荧光发射光谱中只有一个峰，位于６８５ｕｍ，解离的藻胆体的７７Ｋ荧光峰位于６８３ｎｍ，并在６６６ｎｍ和６５０ｎｍ处形成小的荧光发射峰．严重解离的藻胆体室温荧光峰位于６４５ｕｍ，７７Ｋ荧光峰位于６４４ｕｍ，６８３ｕｍ荧光显著下降，成为小峰．完整藻胆体与解离的及严重解离的藻胆体的吸收光谱没有显著差别，吸收峰位于６２２ｕｍ，在５８０ｕｍ处有一吸收肩．     

连通简单MCD图边数的一个新的下界

设Ｇ是具有ｎ个顶点的２－连通简单ＭＣＤ图，ｆ２（ｎ）表示Ｇ的边数．本文证明了当ｎ≥８时，其中ｘｍ＝ｕｍ－２ｕｍ－５，ｕｍ是Ｆｉｂｏｎａｃｃｉ数．     

2－连通简单MCD图边数的一个新的下界

设Ｇ是具有ｎ个顶点的２－连通简单ＭＣＤ图，ｆ２（ｎ）表示Ｇ的边数．本文证明了当ｎ≥８时，其中ｘｍ＝ｕｍ－２ｕｍ－５，ｕｍ是Ｆｉｂｏｎａｃｃｉ数．     

［Sn（ethylmaltol）_2I_2］配合物的合成和晶体结构

由ＳｎＩ４和３－羟基－２－乙基－４（Ｈ）－吡喃酮（ｅｔｈｙｌｍａｌｔｏｌ）合成Ｓｎ（Ｌ）２Ｉ２型配合物，并进行了元素分析、ＵＶ、ＩＲ和ＭＳ表征．Ｘ射线单晶结构分析表明，该晶体属单斜晶系，空间群Ｐ２１／ｎ，ａ＝０．７６５８（１）ｕｍ，ｂ＝２．５３６４（４）ｕｍ，ｃ＝１．１５００（２）ｕｍ，β＝９５．１７°，Ｚ＝４，Ｖ＝２．２２４６（６）ｕｍ３，Ｄｃ＝２．０６６ｍｇ／ｍ３．收集到独立衍射点５０８８个，其中３９１３个为可观测点，最终一致化因子Ｒ＝０．０４４８．结构分析表明Ｓｎ处于两个３－羟基－２－乙基－４（Ｈ）－吡喃酮的４个氧原子和２个碘原子的畸变的八面体配位构型中．     

紫外写入制备普通单模光纤光栅

采用高压低温掺氢技术提高了普通单模光纤的光敏特性，利用相位掩膜法，通过紫外写入的方式，在普通含锗光纤上制备了光纤光栅，获得的Ｂｒａｇｇ反射波长为１５５２ｕｍ，峰值反射率约４８％，半高宽约１．２ｕｍ．     

寄生于鹈鹕的对盲囊线虫一新种：蛔亚目：异尖科

本文记述了寄生在白鹈鹕小肠内的对盲囊属线虫一新种，命名为鹈鹕对盲囊线虫Ｃｏｎｔｒａｃａｅｃｕｍ（Ｏｒｉｎｔｏｃａｅｃｕｍ）ｐｅｌｅｃａｎｉ ｓｐ．ｎｏｖ．（新种），与近似种Ｃ．（Ｏ．）ｐｒａｅｓｔｒｉａｔｕｍ和Ｃ．（Ｏ．）ｈｕｆｆｍａｎｎｉ有明显区别。     

纳米尺寸聚合物胶乳及其粒径分布

用半连续乳液聚合法合成了粒径为５０ｕｍ～１００ｕｍ的苯乙烯－丙烯酸了酯－丙烯酸共聚物胶乳，讨论了搅拌速度等其它因素对胶乳粒度及分布的影响．实验表明，增加乳化剂量有利于胶乳粒度减小，但超过一个阔值将使粒径分布变宽．     

小麦异源2号、中国春与球茎大麦远缘杂交的受精和早期胚胎发育

用石蜡切片法，对普通小麦（Ｔｒｉｔｉｃｕｍ ａｅｓｔｉｖｕｍ Ｌ．）异源２ 号、中国春与球茎大麦（Ｈｏｒｄｅｕｍ ｂｕｌｂｏｓｕｍ Ｌ．）远缘杂交受精过程和早期胚胎发育进行了比较观察．实验表明，仅具１对Ｋｒ基因的异源２ 号和具３ 对Ｋｒ基因的中国春与球茎大麦杂交，其受精和胚胎发育存在着明显的差异．为小麦与球茎大麦远缘杂交提供了细胞胚胎学证据．     

电致发光屏界面的阻抗谱和分形研究

采用电学方法测量ZnS:Mn,Cu DCEL粉末屏的复阻抗谱,运用多节RC等效电路、逾渗理论和自仿射康托体分形模型,分析EL屏界面和发光区在形成或老化过程的变化,认为逾渗相变形成发光区,发光区导电相分布具有分形特征,发光区内铜离子进一步迁移导致老化,老化屏发光区分维值趋于2。     

退火对Er3+和Yb3+共掺氟氧化物微晶玻璃样品上转换发光的影响

测量了Er3+和Yb3+掺杂氟氧化物微晶玻璃退火前后两种样品的吸收光谱、激发光谱、上转换发光光谱及其强度随泵浦光强的变化,并对比讨论了其上转换发光特性.     

锗硅酸盐中Mn^2＋的发光性质研究

合成了组成的为（Ｚｎ，Ｍｇ）２（Ｓｉ，Ｇｅ）Ｏ４：Ｍｎ＾２＋的绿色荧光材料，在紫外光激发下有较强的５３２ｎｍ发射。低浓度镁能增强５３２ｎｍ发射，高浓度镁却能抑制５３２ｎｍ发射，而增强６３１ｎｍ红光发射。探讨了Ｍｎ＾２＋的发光性质与基质的晶体结构及组成的关系，计算了Ｍｎ＾２＋离子能级和晶体场参数。     

GaP：N LPE半导体材料位错密度和位错坑形态分析

利用扫描电子显微镜研究ＧａＰ：Ｎ ＬＰＥ材料中位错密度和发光的关系及位错坑形态，结果发现：样品经外延后，外延层的位错密度比衬底的位错密度有不同程度的下降，因样品各异，下降幅度为３７％￣８３％；外延层的位错密度越低，样品的发光越好。位错坑的形态有正六棱锥形，不等边六棱锥形和正三棱锥形３种形状，随着腐蚀过程进行，正六棱锥形坑渐渐演变为正三棱锥形坑。     

Fe2+离子在III-V半磁半导体近红外光谱中的动态Jahn-Teller效应

介绍了3d4/3d6离子在立方晶体场中动态Jahn-Teller矩阵的推导,分析了动态Jahn-Teller效应对Fe2 在III-V半磁半导体InP和GaP中光谱的影响,计算结果与实验符合,表明在Fe2 半磁半导体中,比经典晶体场理论分析多出的许多分裂谱线是Fe2 离子与半导体晶格间的动态Jahn-Teller效应引起,还预测了其他Jahn-Teller效应分裂谱.     

Nd:KY(WO4)2晶体的光谱及上转换发光

在室温下,测试分析了Nd:KYW晶体的吸收光谱,确定Nd3 离子的能级结构.使用波长为808nm激光二极管作为激发光源,观察912、1 069、1 351 nm荧光光谱.采用不同波长(594、812 nm)的氙灯光泵浦晶体,获得了紫、蓝、绿和红色上转换荧光,并分析了上转换发光的过程和比较它们的发光特点.     

An investigation on terahertz response in electro-optic crystals excited at 1.03 lm wavelength

We theoretically investigate terahertz(THz)emission and detection from h110i-oriented electro-optic(EO) crystals adapted for Yb-doped femtosecond pulse laser.According to the principles of phase-matching condition, the dispersion relation between optical velocity and THz pulse,THz absorption spectra, and coherence lengths of CdTe, GaP,and GaAs crystals below the phonon resonant frequency are calculated correspondingly. The optical rectification and EO sampling process of above crystals with the same thickness of0.1 mm are simulated. As a consequence, we found that the optimal emission frequency of CdTe is at 2.65 THz, however,it reaches 6.56 THz of GaAs and 4.77 THz of GaP. With the help of frequency response function, the calculated cut-off frequency of CdTe is only 3.45 THz, while GaAs and GaP achieve 7.15 and 6.37 THz correspondingly. Finally, the EO sampling sensitivity of GaAs is higher than CdTe and GaP when the crystal's thickness exceeds 1.58 mm. The strong THz absorption of CdTe saturates distinctly the EO sampling sensitivity with its thickness increasing.     

上转换材料复合介孔TiO2晶须的可见光催化性能

用溶胶凝胶法制备上转换发光材料Y3Al5O12:Er。反射光谱、发射光谱表明:Y3Al5O12:Er在480 nm光的激发下,产生2个<387 nm的紫外光发射峰。将上转换材料介孔TiO2晶须复合成可见光催化剂,采用X线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)以及低温N2吸附-脱附(BET)等对催化剂进行表征,通过光催化降解亚甲基蓝(MB),对催化剂的活性进行测试。结果表明:复合上转换材料的介孔TiO2晶须在可见光下能够有效降解MB,10%Y3Al5O12:Er的介孔TiO2晶须的MB降解率为73%。     

An investigation on terahertz response in electro-optic crystals excited at 1.03 μm wavelength

We theoretically investigate terahertz （THz） emission and detection from （ll0）-oriented electro-optic （EO） crystals adapted for Yb-doped femtosecond pulse laser. According to the principles of phase-matching condition, the dispersion relation between optical velocity and THz pulse, THz absorption spectra, and coherence lengths of CdTe, GaP, and GaAs crystals below the phonon resonant frequency are calculated correspondingly. The optical rectification and EO sampling process of above crystals with the same thickness of 0.1 mm are simulated. As a consequence, we found that the optimal emission frequency of CdTe is at 2.65 THz, however, it reaches 6.56 THz of GaAs and 4.77 THz of GaP. With the help of frequency response function, the calculated cut-off frequency of CdTe is only 3.45 THz, while GaAs and GaP achieve 7.15 and 6.37 THz correspondingly. Finally, the EO sampling sensitivity of GaAs is higher than CdTe and GaP when the crystal＇s thickness exceeds 1.58 mm. The strong THz absorption of CdTe saturates distinctly the EO sampling sensitivity with its thickness increasing.     

光激励发光材料 BaFCl : Eu 的制备及光电子能谱

研究了在不同反应气氛下合成的光激励发光材料ＢａＦＣｌ：Ｅｕ中稀土离子发光中心及发光性质．利用光谱和Ｘ射线光电子能谱的方法，研究了在不同条件下制备的样品ＢａＦＣｌ：Ｅｕ中稀土离子Ｅｕ的性质     

掺镱飞秒脉冲激光激发DAST晶体产生THz谱的可行性研究

为了获得与掺镱飞秒脉冲激光匹配的高效太赫兹(THz)发射源,本文根据相位匹配原理,并结合DAST晶体多声子共振吸收,模拟了掺镱飞秒激光脉冲激发DAST晶体后获得的THz频谱.通过与CdTe、GaP等电光晶体比较后发现:当三种晶体厚度都为0.1mm时,DAST晶体可以获得12 THz带宽的发射频谱,超过CdTe的3.5 THz和GaP的6.4 THz;同时,其最大发射强度超过CdTe和GaP的10倍以上.因此,DAST晶体能够成为与掺镱飞秒激光匹配的高效THz发射源.