CVD金刚石膜场发射机制的探讨

通过分析CVD金刚石膜的结构,对CVD金刚石膜的场发射机制进行了研究,结果表明金刚石膜内含有一定数量的石墨,当电子通过石墨时从石墨的电场中获得能量增大了电子隧穿金刚石晶粒的系数,据此提出了金刚石膜内石墨相增强电子隧穿金刚石颗粒以增强金刚石膜场电子发射的机制,并且根据该机制解释了一些实验现象。     

大面积无衬底自支撑金刚石厚膜沉积

讨论了在采用直流电弧等离子体喷射ＣＶＤ工艺沉积大面积无衬底自支撑金刚石厚膜时遇到的若干技术问题,在制备过程中经常出现的膜炸裂现象,主要是由于膜和衬底材料线膨胀系数差异引起的巨大热应力,而衬底表面状态的控制、沉积过程中工艺参数的优化和控制也是一个重要的因素,因此,必须对整个金刚石厚膜沉积过程进行严格而系统的控制,团能有效地保证获得无裂纹大面积金刚石自支撑厚膜。     

锌基钎料性能及钎焊工艺研究

主要研究了两种锌基纤料的性能和钎焊性能,自制了两种锌基钎料Ｚｎ－５Ａｌ和Ｚｎ－７Ａｌ－４Ｃｕ。首先测试了两种合金的强度,塑性和冲击韧性,然后测试了它们的润湿性、钎焊强度等,对钎料合金的组织也进行了观察分析。     

金属饰品钎焊工艺的研究

金属饰品包括贵金属饰品和普通金属饰品,金属饰品的焊接以钎焊工艺为主。文章介绍了钎焊的金属学微观原理,以合金相图为理论依据的钎料选择,金属饰品常用的钎料、钎剂,焊接操作和注意事项。既有理论,又有实践。     

直流电弧等离子喷射法沉积大面积金刚石厚膜的研究

在自行研制的直流电弧等离子喷射化学气相金刚石膜设备上,初步研究了衬底温度、甲烷浓度、输入功率和循环气量等工艺参数对沉积金刚石膜的影响.总结出了制备各种级别金刚石膜的一般规律.并以11μm/h的沉积速率制备了直径60mm、厚度均匀的高质量自支撑金刚石膜,热导率可达18W/cm·K,厚度为0.7mm,其热导率已接近天然金刚石.     

一种快速测定CVD金刚石膜磨耗比的方法

报道了CVD金刚石膜磨耗比的一种简易快速测量方法.该方法通过测量金刚石膜被磨耗的体积来求得磨耗比.其优点是不使用微量分析天平,因而降低了对实验环境条件的要求,省去了烘干和称重两项工序,测试快速简便.通过与质量法对比,所得数据比较准确可信.     

无镀镍铜铝低温钎焊工艺研究

运用感应加热工艺,开发了低成本且工艺简单的无镀镍铜铝复合材料的低温分层钎焊法。试验了4种铝用钎料及其钎焊工艺代替电镀镍作为铝表面镀层,解决了铜板与铝板之间的焊接问题。观察了焊接区域的界面形貌、断后形貌,测量了焊接件的剪切强度。结果表明,高低温钎料分层钎焊工艺可以实现铜铝板的有效连接,所获得的铜铝焊接件剪切强度最高可达26 MPa,焊接区域无明显的焊接缺陷;刮擦钎焊既可以搭配高温钎料,也可以搭配低温钎料使用,并且焊接件的剪切强度能达到行业要求。     

热丝CVD法制备金刚石膜

采用热灯丝CVD、分次连续沉积的办法在硅衬底上制备金刚石膜．用RAMAN光谱、X-ray衍射、扫描电子显微镜(SEM)等多种技术对金刚石膜的形貌、成份、晶态等特性进行了分析，证实所获膜质量较好。     

采煤机截齿钎焊工艺研究与分析

本文对采煤机截齿YG13C台金齿头钎焊用钎剂、钎料及钎焊后热处理工艺进行了研究与分析,对截齿钎焊工艺提出了改进意见。     

CVD金刚石膜的压阻及其温度特性

在Fuchs-Sondheimer(F-S)薄膜理论的基础上，通过求解弛豫近似下的Bohzmann方程，求出了P-型金刚石膜的电导率。在价带分裂模型下得到了压阻的计算公式，计算了微应力作用下金刚石膜的压阻，压阻和应力的变化(△ε)有比较好的线性关系，张应力情况下压阻大于零，压应力情况下压阻小于零。从理论上给出了压阻和温度的关系，计算了压阻随温度的变化，压阻随着温度的上升而单调减小。     

CVD金刚石的机械加工工具应用

CVD金刚石是纯多晶结构,具有优异的物理和化学性能,综合了天然金刚石和聚晶金刚石的优点,非常适合制作各种高性能的机械加工工具,具有很广阔的发展空间.CVD金刚石机械加工工具应用主要包括三个方面:拉丝模、砂轮修整器和超硬刀具.     

CVD金刚石涂层刀具在石墨加工中的应用

CVD金刚石涂层是一种新型材料,相比于硬质合金具有更高的切削性能,适用于有色金属和非金属材料的切削加工.本文利用CVD金刚石涂层刀具和硬质合金刀具对石墨进行切削试验,将两种刀具寿命作比较,结果表明：CVD涂层刀具有高硬度、低摩擦系数、高耐磨和高导热的优异性能,与未涂层刀具相比,大幅提高了刀具的耐用度.     

钎焊金刚石工具研究进展

 从钎焊材料和钎焊工艺两个方面, 综述了钎焊金刚石工具的研究现状, 探讨了钎焊技术提高金刚石工具性能的机理, 分析了当前钎焊金刚石工具研究存在的问题, 并对其今后的研究方向, 特别是对钎焊镍基孕镶金刚石工具的研发进行了展望。     

Atomic scale KMC simulation of {100} oriented CVD diamond film growth under low substrate temperature—Part Ⅰ Simulation of CVD diamond film growth under Joe-Badgwell-Hauge model

The growth of {100} oriented CVD (Chemical Vapor Deposition)diamond film under Joe-Badgwell-Hauge (J-B-H) model is simulated at atomic scale by using revised KMC (Kinetic Monte Carlo) method. The results show that: (1) under Joe's model, the growth mechanism from single carbon species is suitable for the growth of {100} oriented CVD diamond film in low temperature; (2) the deposition rate and surface roughness () under Joe's model are influenced intensively by temperature ()and not evident bymass fraction of atom chlorine; (3)the surface roughness increases with the deposition rate, i.e. the film quality becomes worse with elevated temperature, in agreement with Grujicic's prediction; (4) the simulation results cannot make sure the role of single carbon insertion.     

直流等离子体CVD金刚石薄膜涂层设备的研制

在已有的30kW金刚石膜设备基础上,研制出了直流等离子体CVD金刚石薄膜涂层设备。这套设备用直径为200mm的喷嘴能够沉积出直径为190mm均匀度误差小于15%的金刚石膜。     

改建CVD系统制备金刚石薄膜

用一台常规的真空镀膜机改建为化学气相沉积 (CVD)系统 ,并用以制备金刚石薄膜 .采用SEM、XRD、Raman测试表明 ,金刚石薄膜质量较好 .     

Atomic scale KMC simulation of {100} oriented CVD diamond film growth under low substrate temperature-Part II Simulation of CVD diamond film growth in C-H system and in Cl-containing systems

The growth of {100}-oriented CVD diamond film under two modifications of J-B-H model at low substrate temperatures was simulated by using a revised KMC method at atomic scale. The results were compared both in Cl-containing systems and in C-H system as follows: (1) Substrate temperature can produce an important effect both on film deposition rate and on surface roughness; (2) Aomic Cl takes an active role for the growth of diamond film at low temperatures; (3) {100}-oriented diamond film cannot deposit under single carbon insertion mechanism, which disagrees with the predictions before; (4) The explanation of the exact role of atomic Cl is not provided in the simulation results.     

钎焊金刚石磨粒焊接强度

利用高频感应钎焊技术制备单层金刚石静强度实验样块和磨削砂轮,比较了单颗金刚石磨粒在磨削过程中所承受的平均法向和切向载荷分别与其钎焊后的静压强度和静剪切强度大小,结合对磨削过程中磨粒的磨损形态的观察,揭示钎焊金刚石砂轮在磨削过程中金刚石磨粒的磨损机理. 实验结果表明:一般磨削过程中金刚石磨粒所承受的载荷远小于其静强度;钎焊后磨粒的静强度主要受钎焊时的真空度和钎焊加热时间的影响,真空度越高,静强度越大,钎焊时间越长,静压强度损失越大,而静剪切强度却存在一个最佳的钎焊时间;利用高频感应加热方式制备金刚石工具的磨粒焊接强度,完全能满足一般磨削加工要求,在磨削过程中磨粒以微破碎为主,很少有脱落和整颗折断现象.     

化学气相沉积金刚石膜的硬度

使用力驱动静态超微压痕测量仪器（Ｆｏｒｃｅ Ｄｒｉｖｅｎ Ｓｔａｔｉｃ Ｍｅａｓｕｒｉｎｇ Ｕｌｔｒａ Ｍｉｃｒｏ－ Ｉｎｄｅｎ－ｔａｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍ ）－ ＵＭＩＳ－ ２０００ 对由直流等离子体喷射法沉积的金刚石膜进行测量。结果显示金刚石膜的硬度不仅与晶体生长方向和晶粒大小有关,还与厚度有关。生长面和与基底接触面的金刚石膜硬度也有区别。后者被认为由于随机取向的微小晶粒占优势,其硬度比生长面略高。在所进行的测量中,硬度值在９０ＧＰａ左右。