基于氮化物半导体的远红外量子级联激光器

给出基于GaN量子阱材料的远红外量子级联激光器,其优越性表现在AlGaN/GaN量子阱中,超快的纵向光学声子散射能够迅速的消除激光低能态的布居数,GaN的大纵向光学声子能量(～90 meV)能有效地减少高温下产生激光低能态的热布居.理论分析显示,用一个相对较低的阈值电流密度(832 A/cm2)就能在室温下产生50/cm的阈值光学增益.还发现这种结构的特征温度T0高于136 K.     

半导体光电化学法测定半导体材料的物理参数

光电化学技术以它许多独特的优点为半导体性能测试提供了一种灵敏、方便,有时是其它方法也难以达到的综合性测试方法,尤其是对多层及异质结构材料多数的剖面分布测量.因此,它已广泛应用于材料性能测试和器件工艺.本文总结了半导体材料特性参数的光电化学测试技术,包括导电类型、p-n结位置、载流子浓度、少子扩散长度、深能级、禁带宽度、材料组份,以及部分参数的剖面分布的测定.介绍了国内外的研究进展.     

宽禁带半导体——基本性质和现代光子和电子器件

该书汇编了来自日本学术与工业界的宽禁带半导体领域的奠基人及开创者对氮化物半导体材料生长与应用等方面极其深入的阐述，同时该书也包含SiC，金刚石薄膜、ZnO的掺杂、Ⅱ-Ⅳ族半导体及BeZnSeTe／BAIGaAs材料体系的性质与应用等内容。     

III族氮化物半导体异质结构中载流子的量子输运和自旋性质

III族氮化物半导体具有宽的直接带隙,很强的极化电场,优异的物理特性,是发展高频、高温、高功率电子器件和光电子器件的优选材料．同时,III族氮化物半导体有很长的电子自旋弛豫时间以及很高的居里温度,也成为近年来半导体自旋电子学研究的重要材料体系之一．本文介绍了用量子输运和自旋光电流方法对Gain基异质结构中载流子的量子输运和自旋性质的研究进展．对III族氮化物半导体中的能带结构,子带占据和散射,自旋分裂及自旋轨道耦合机制等进行了讨论．     

多场调控氮化物半导体量子结构及其固态光源应用

简要回顾了氮化物半导体发光二极管技术的发展历程,总结了多物理场作为有效调控和裁剪氮化物量子结构关键特性的重要手段,着重介绍了近年来厦门大学在半导体固态光源量子结构材料和器件方面的研究进展,特别是在氮化物半导体量子结构关键技术开发中,率先联合调控化学势场、光场、极化场以及电场等获得的有影响的重要创新成果.     

半导体光电子材料中的缺陷

介绍近年来在Ⅲ族氮化物和Ⅲ-Ⅴ化合物缺陷等方面的一些研究进展。并着重展示对Ⅲ族氮化物中黄色发光带、纳米管、穿透位错、龟裂和沉积物,以及Ⅲ-Ⅴ化合物Fe杂质和DX中心能级精细结构等研究的结果。     

离子液体中氮化物半导体材料的电沉积机理及取向控制研究

"离子液体中氮化物半导体材料的电沉积机理及取向控制研究"是沈阳师范大学化学与生命科学学院田鹏教授主持的国家自然科学基金面上项目(项目批准号:     

芘类有机半导体材料研究进展

由于芘具有大环共轭和易于修饰的特性,近年来,芘类共轭衍生物成为有机半导体的重要组成部分.最主要的文献报道为芘类电致发光材料,它们从化学结构上可分为四类材料：小分子、寡聚物、树枝状大分子和聚合物.其中小分子芘衍生物又可分为单取代衍生物、双取代衍生物和四取代衍生物.同时,近年来也有部分文献开始报道芘类材料在场效应晶体管、太阳能电池和其他方面的应用.文中按以上内容,分别进行了比较分析,最后提出了该类材料的未来发展方向.     

光催化分解水制氢半导体材料评述

综述了半导体光催化分解水制氢的基本原理以及近年来一些研究进展.对目前报导的光催化材料进行了整理和分类,评述了各种光催化材料的特点和性能;对光催化分解水的研究工作和发展方向进行了展望.     

半导体材料禁带宽度测试装置的研制

根据光电导方法，研制了 ＤＢ－１型半导体材料禁带宽度测试装置。该装置经测 试验证及用户使用表明：整个测试系统具有测量数值精确、测试速度快、样品安装方 便、装置的稳定性和重复性好等优点，实现了对半导体材料禁带宽度的测定，可为进 一步研究半导体材料的能带模型提供实验数据。     

连续激光辐照半导体材料的温度场

根据连续激光加热靶材的实际情况,建立了连续激光辐照半导体材料的一维物理模型。采用数值计算方法——有限差分隐格式法,利用matlab软件数值模拟了连续激光辐照半导体材料的温升过程,分析了激光参数和辐照时间对半导体材料温升的影响。结果表明：靶材温升区域主要集中在激光辐照区,靶材的温升随着激光功率密度和辐照时间的增加而升高．     

金属氧化物半导体纳米气敏材料研究进展

由于社会需求紧迫,金属氧化物半导体纳米气敏材料成为当今研究的热点。本文综述了从材料元素的组成、形貌及尺寸的控制以及制备方法等方面来提高金属氧化物半导体纳米材料气敏性能的研究进展。     

Te—Bi—Se稀散元素化合物半导体制冷材料的合成及应用研究

用陶瓷工艺方法合成Ｔｅ－Ｂｉ－Ｓｅ化合物多晶陶瓷半导体材料,用法测得热导率为１０ｍＷ／ｃｍ．Ｋ,用四探针法测得材料电导率为９００－１０００Ω＾－１ｃｍ＾－１;热电法测得材料的温差电动热率达到１８８－２００μＶ／Ｋ,优质系数Ｚｐ,Ｚｎ达到３．５＊１０＾－３／Ｋ。     

短波长半导体发光材料与器件的研究进展

叙述了GaN及ZnO发光材料与器件的研究进展,同时简单介绍了GaN发光器件的应用.     

半导体量子结构和Si基光电子材料设计的新进展

评述近年来在半导体量子结构电子态理论应用于Si基光电子材料设计方面的重要进展。着重对有直接高技术应用背景的论题进行讨论和展望。最近关于Si纳米晶光增益和纳米硅/氧超晶格材料超稳定电致发光等具有突破性发现的实验研究成果具有重要意义。对本课题组在该领域的主要贡献及最近关于Si/O超晶格结构的理论研究进展也作简要报道。这些研究正酝酿着信息领域光电子集成技术的重大突破。     

四探针测量任意方形样品电阻率的修正因子

采用三维无限电像分布,推导了?点接触、任意形状排列探针测量任意大小方形样品电阻率的普遍表达式,作为特例,计算了点接触直线四探针的修正因子,并与实验比较,结果表明所推导的公式可准确计算任意大小方形材料的电阻率;当样品边界与探针的距离都大于探针间距四倍时,可近似看作半无穷大样品。