基于噪声消除的低噪声放大器架构

提出了一种基于噪声消除与衬底交叉耦合技术的宽带低噪声放大器(LNA)架构,在共栅(CG)与并联反馈组合的噪声消除结构基础上,采用了衬底偏置和衬底交叉耦合技术使输入级的等效跨导增大,提高了噪声消除路径中的消除率,降低了电路的噪声指数.基于噪声消除原理,通过在输入级金属氧化物晶体管(MOS)的衬底上采用无源增益增强的方式,增加了输入级跨导的自由度,改善了原结构输入匹配与噪声指数之间相互制约的问题.根据LNA架构中节点的基尔霍夫电流公式,分析了新架构的增益、输入匹配和噪声指数.与现有噪声消除结构相比,采用衬底交叉耦合技术使这个LNA架构的噪声指数降低了13.3%.     

差分放大器的噪声分析及低噪声运用考虑

噪声控制在电子电路设计中是至关重要的．介绍了噪声机制，构建了差分放大器的噪声模型，分析了其噪声来源，计算出其等效输入噪声，证明了差分放大器的低噪声应用．     

低噪声宽带放大器的设计及应用

本文详细地叙述了UHF频段低噪声宽带放大器的设计及其应用。放大器由三只低噪声双极晶体管2sc3358组成,制作在环氧玻璃纤维敷铜板上,并安装在一个90×50×30mm~3的铝制屏蔽盒内。其性能为:频率范围470～970MH_2,增益>28dB,噪声系数(合混频器)<1.5dB。     

低噪声晶体管放大器的设计

以实现声频放大器低噪声化为出发点，阐述了具体设计的几个方面．从低噪声放大器设计的基本原理和方法入手，对晶体管放大器的噪声模型（Ｅｎ－Ｉｎ模型）作了分析，并推导出一种实用的最佳源电阻Ｒｓｏｐｔ近似求法．还对系统电路的低噪声设计略加探讨．     

SiGe HBT低温敏宽带低噪声放大器设计

采用两级锗硅异质结晶体管(SiGe HBT)低噪声放大芯片,通过ADS2015进行宽带电路匹配设计了一款频率覆盖超短波到L波段的宽带低噪声放大器(LNA).仿真显示该LNA工作频率在0.07～2 GHz,增益Gain>30 dB,噪声系数NF<0.78,增益平坦度Gain Flatness<0.2 dB,输入输出回波损耗Return Loss<-10 dB.实测结果显示常温下该LNA测试指标和仿真结果基本一致,233 K低温下该LNA的Gain实测值比常温下测试结果增大1 dB左右,其它指标基本一致,证实了采用SiGe HBT放大芯片设计的低噪声放大器噪声性能良好且具有低温敏特性.     

光电检测电路中的噪声匹配条件及工程近似估算方法

根据低噪声电路理论,应用解析方法推导出了光电探测器与前置放大器噪声匹配条件的理论修正表达式,并对工程近似估算光电检测电路噪声系数方法进行了讨论。     

X波段低噪声放大器设计

从获取最小噪声系数角度来进行电路设计,采用Avago公司的0.2um GaAs pHEMT工艺芯片(T=18GHz),设计了工作于X波段(9-11GHz)的两级宽带低噪声放大器。测试结果为:在9-11GHz,噪声系数小于1.15dB,最小噪声系数在9.8GHz为1.015dB,功率增益在所需频段9-11GHz大于24dB,输入和输出回波损耗均小于-10dB。     

放大器的噪声及低噪声电路研究

1 晶体管混合п型噪声模型晶体管混合Л型噪声模型如图1所示.图中略去了 C_(b'c)和 Y_b'c.图中 E_b 是由基区体电阻Y_(bb')产生的热噪声 E_(?)是信号源内阻 R_s 产生的热噪声.I_b、I_c 分别是载流子随机发射引起基极电流 I_B 和集电极电流 I_c 瞬间起伏所产生的散弹噪声.I_f 是基极电流 I_B 流经发射结耗尽时产     

射频前端低噪声放大器设计研究

随着无线通信的迅猛发展,提高了对射频技术的要求。针对射频前端的低噪声放大器设计进行了研究和分析,并且利用计算机软件进行仿真和分析。     

射频前端低噪声放大器设计研究

随着无线通信的迅猛发展,提高了对射频技术的要求.针对射频前端的低噪声放大器设计进行了研究和分析,并且利用计算机软件进行仿真和分析.     

5.8GHz CMOS全集成低噪声放大器设计

针对目前在LNA设计中存在需要在任意给定的功耗条件下噪声和输入阻抗同步匹配的问题,本文采用TSMC0.18μm RF工艺,通过利用共源共栅结构和功耗受限下噪声和阻抗同步匹配技术(PCSNIM),提出了一个可支持IEEE802.11a无线局域网(WLAN)标准的5.8GHz CMOS低噪声放大器,在中心频率处所提出的低噪放大器的噪声系数(NF)只有0.972dB。仿真结果表明:在1.8V供电电压下LNA的功耗为6.4mW,增益可达17.04dB,输入1dB压缩点(P1dB)约为-21.22dBm,同时具有良好的输入输出匹配特性。     

低噪声前置放大器集成电路的设计与研制

论述了用于传感器的低噪声前置放大器的线路设计、器件版图设计和利用标准p-n结隔离工艺研制的结果.通过输入级最佳电流的设计及在线路设计和版图设计上采取一系列措施,使该放大器具有低噪声、宽频带等特点。该放大器的平均等效输入噪声电压为2.9nV/Hz~(1/2),单位增益带宽为12MHz。     

0.1-1.2 GHz宽带巴伦低噪声放大器设计

提出了一种可用于0.1-1.2 GHz射频接收机前端的宽带巴伦低噪声放大器(Balun-LNA).采用噪声抵消技术,输入匹配网络的沟道热噪声和闪烁噪声在输出端被抵消,在宽带内可同时实现良好的输入匹配和低噪声性能.通过分别在输入匹配级内增加共源放大器,在噪声抵消级内增加共源共栅放大器实现单端转差分功能.电路采用电流复用技术降低系统功耗.设计基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,LNA的最大增益达到13.5dB,噪声系数为3.2-4.1 d B,输入回波损耗低于-15 d B.在700 MHz处输入1 dB压缩点为-8 dBm,在1.8 V供电电压下电路的直流功耗为24 mW,芯片面积为0.062 5 mm².     

集成放大器噪声分析

分析了通用型集成运放的噪声性能，得出了它的噪声系数，指出了低噪声集成运放的设计原则和应用方法。     

负反馈放大器的噪声分析

提出了采用方框图法分析负反馈放大电路的噪声,得出了负反馈不影响基本放大电路噪声性能的结论,简化了分析的步骤和复杂的计算。举例给出了方框图法分析的具体步骤。讨论了负载电阻噪声对负反馈放大电路噪声性能的影响。     

放大器中的噪声

一般电子教材对噪声论述较少，中通过对四种噪声源的分析，给出了噪声等效电路，并定理计算了一个普通放大器当输入端为零时，输出端产生噪声的大校啊给出了减小噪声的几项措施。     

基于噪声相消和线性度提高的低噪声放大器

鉴于传统共源共栅低噪声放大器由于受共栅级的影响.其噪声和线性度都不理想,为此在共栅级上引入一对交叉耦合电容和电感,以消除共栅级的噪声并提高放大器的线性度.采用特许半导体公司0.25μm射频互补金属氧化物半导体工艺进行了设计.仿真结果表明低噪声放大器在2.4 GHz处的噪声系数仪有1.34dB.该电路能够提供17.27 dB的正向增益、小于-38.37 dB的反向传输系数、小于-27.73 dB的输入反射系数、小于-15.85 dB的输出反射系数,该放大器的三阶交调点为0.58 dBm.消耗的功率为11.23 mW.     

一种高线性的CMOS低噪声放大器结构

采用TSMC0.35μmCMOS工艺,设计了一个5.7 GHz可用于无线局域网的低噪声放大器,电路在采用单端共源共栅结构的基础上为改善线性度而引进低频陷波网络(Low-frequency-trap Net-work),用ADS软件仿真与优化.仿真结果表明,在电源电压1.5 V情况下,噪声系数NF为1.22 dB,输入反射系数S 11为-15 dB,反向隔离性能S12为-32.9 dB,增益S21为17.8 dB,三阶交截点IIP3为 12.7 dBm,功耗为8 mW.