高压下GaAs的电子结构的从头计算

应用密度泛函理论从头计算了不同压强下半导体GaAs闪锌矿结构的电子结构,得到了各个高压下平衡时晶格常数、总能量、键长和能带结构等性质,并且获得了直接带隙结构向间接带隙结构转化的临界压强为8.65 GPa, 与实验值符合得很好,结合实验值详细地讨论了高压下GaAs的电子结构以及电学性质.     

高压下GaAs的电子结构的从头计算

应用密度泛函理论从头计算了不同压强下半导体GaAs闪锌矿结构的电子结构,得到了各个高压下平衡时晶格常数、总能量、键长和能带结构等性质,并且获得了直接带隙结构向间接带隙结构转化的临界压强为8.65GPa, 与实验值符合得很好,结合实验值详细地讨论了高压下GaAs的电子结构以及电学性质.     

高压下GaAs的光学性质的第一原理研究

应用密度泛函理论体系下的平面波赝势(PWP)和局域密度近似(LDA)方法,利用第一性原理对不同压强下半导体GaAs闪锌矿结构的光学性质进行了模拟计算,得到了各个高压下平衡时晶格常数、总能量和吸收光谱等性质,并结合实验值详细地讨论了高压下GaAs的光学性质.     

高压下GaN的光学特性

根据密度泛函理论,采用平面波赝势和广义梯度方法,研究了闪锌矿结构的GaN晶体在不同压强下的光学性质。结果表明,随着压强的增大,直接带隙和间接带隙都逐渐增大;在外界压强为125 GPa时,GaN从直接带隙半导体变成间接带隙半导体,吸收波段出现了蓝移的现象。     

TiO_2电子结构的第一性原理计算

利用基于密度泛函理论的赝势方法对锐钛矿、金红石和萤石结构的TiO2进行模拟,研究了锐钛矿结构、金红石结构和萤石结构TiO2的基本性质参数,包括晶格常数、体弹模量B0和体弹模量对压强的一阶导数B0′。对模型进行结构优化后,应用第一性原理方法比较分析了三种晶型TiO2的电子结构,研究了其能带和态密度的分布情况,得出TiO2的价带主要是由O的2p态贡献的,导带主要是由Ti的3d态贡献的。得到三种晶型的禁带宽度,其中萤石结构的禁带宽度远小于金红石结构和锐钛矿结构,可以预计萤石TiO2光谱的吸收范围扩大,光催化性能会相应有所提高。     

元素掺杂对二维Ga2O2电子性质的影响

基于密度泛函理论的VASP(Vienna ab-initio simulation package)软件包计算5种金属和非金属掺杂对二维Ga₂O₂晶体结构和电子性质的影响. 结果表明： 掺杂B,C,Mg,Si,P元素可使晶体结构发生改变, 并改变掺杂体系的电子性质; 与本征Ga₂O₂晶体相比, 这几种掺杂元素体系的带隙均减小, 这是由于掺杂原子与近邻原子间电荷重新分布所致.     

立方相CdS能带LMTO计算

本文利用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法研究了具有闪锌矿结构的ＣｄＳ的电子能带结构．在计算中,Ｃｄ的４ｄ电子作为价电子考虑,自洽计算得到的平衡晶格常数与测量结果相符合．计算给出了主价带宽度,得出与实验一致的价带特征．能带结构计算表明本文的计算结果与实验符合的较好并和其它理论计算结果相一致．     

Fe和N掺杂NaTaO3电子结构和光学性质的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,运用Materials Studio 8.0软件中的CASTEP模块,计算纯NaTaO3体系、N、Fe单掺NaTaO3体系及Fe-N共掺杂NaTaO3体系的能带结构、能态密度和光学性质.计算结果表明:掺杂前后NaTaO3体系均属于直接跃迁类型,所有掺杂体系的禁带宽度均小于纯Na...     

CdMoO4光催化材料的电子结构和光学性质的第一性原理计算

利用第一性原理密度泛函理论计算了 CdMoO4的结构特征、化学键特征、能带结构、电子态密度、电子轨道、介电常数、复折射率、光吸收光谱、价带和导带边位置.结果表明,CdMoO4晶胞基本结构单元CdO8十二面体发生扭曲,导致CdMoO4晶格畸变和内极化电场产生,这非常有利于光生载流子的分离.Mo与O原子之间主要以共价键形式...     

含氧空位立方HfO2电子结构和光学性质的第一性原理研究

利用基于第一性原理密度泛函理论框架下的平面波超软赝势法,研究了含氧空位立方HfO₂的几何结构、电子结构和光学性质。计算结果表明,氧空位缺陷对晶格参数的影响不明显。能带结构和态密度结果表明在-0.216 eV处出现了氧空位缺陷能级。通过对比纯立方HfO₂的光学吸收边,由于氧空位缺陷能级的出现,含氧空位立方HfO₂的光学吸收边向低能方向移动。此外,氧空位的出现导致了静态介电常数的增加。     

高压下CaF2晶体的电子结构与光学性质

利用第一性原理超软赝势平面波的方法,对氟化钙晶体在0～400GPa范围内进行了几何优化,计算了电子结构与光学吸收谱,计算结果表明,随着压强的增大,晶格减小,能带发生展宽,带隙变大,吸收波段存在蓝移,且压强变化的影响越来越小。     

高压下CaF2晶体的电子结构与光学性质

利用第一性原理超软赝势平面波的方法,对氟化钙晶体在0～400 GPa范围内进行了几何优化,计算了电子结构与光学吸收谱,计算结果表明,随着压强的增大,晶格减小,能带发生展宽,带隙变大,吸收波段存在蓝移,且压强变化的影响越来越小。     

Electronic structures and optical properties of two anthracene derivatives

People have paid extensive attention to the investi- gation of the organic π-conjugated materials with elec- troluminescent (EL) properties during the last two dec- ades. Up to date, the organic luminescent electronicdevice is heading for the promising applications of flat panel displays[1―5]. As well known, the full-color dis- plays require the particular combination of red, green, and blue (named RGB) light emitters. Therefore, it is the principal task for the experimental researchers to…     

环状共聚物的电子特性研究

针对由小带隙的聚乙炔和大带隙的苯作为聚合物单体的聚合物的几种简单环状模型,采用紧束缚近似计算方法,研究了它们的电子能谱和态密度特征,并考虑到环状结构的特点,同时在计算过程中也考虑了聚乙炔链中的最近邻和次近邻跃迁.结果表明:由于考虑了次近邻跃迁,导带和价带的对称性被破坏了,有着明显的不对称特征,能隙稍变窄.随着环状聚乙炔链中的苯环数的增多,电子能谱和态密度均有显著的变化,能谱分布逐渐不均匀,呈现出较明显的4条能带,态密度分布也相应地出现4个峰.     

Electronic structure and physical properties of stable and metastable phases in YN: density-functional theory calculations

Local density functional is investigated using the full-potential linearized augmented plane wave （FP-LAPW） method for YN in the hexagonal structure and the rocksalt structure and for hexagonal structures linking a layered hexagonal phase with wurtzite structure along a homogeneous strain transition path. It is found that the wurtzite YN is unstable and the layered hexagonal phase, labeled as ho, in which atoms are approximately fivefold coordinated, is metastable, and the rocksalt ScN is stable. The electronic structure, the physical properties of the intermediate structures and the energy band structure along the transition are presented. It is noticeable that the study of ScN provides an opportunity to apply this kind of material （in wurtzite[h]-derived phase）.     

First-principles calculations of electronic structure and optical properties of strained Mg<Subscript>2</Subscript>Si

A detailed theoretical study on structural, electronic and optical properties of Mg2Si under the isotropic lattice deformation was performed based on the first-principles pseudopotential method. The results show that the isotropic lattice deformation results in a linear decrease in the energy gap for the direct Γ₁₅–Γ₁ and indirect Γ₁₅–L₁ transitions from 93% to 113%, while the indirect band gap Γ₁₅–X₁ increases from 93% to 104% and then reduces over 104%. When the crystal lattice is 93% compressed and 113% stretched, the magnesium silicide is a zero-gap semiconductor. Furthermore, the isotropic lattice deformation makes the dielectric function shift and the static dielectric constant change.