氧化铝陶瓷／金刚石膜复合材料的表征及介电性质研究

采用ＭＰＣＶＤ和ＨＦＣＶＤ在氧化铝陶瓷基片上沉积金刚石薄膜,用抛电镜,Ｘ躬一衍射和Ｒａｍａｎ散射分析表征了沉积膜的质量,并测这和分析了氧化铝／铝金刚石膜复合材料的介电性质。     

金刚石薄膜热敏器件特性

本文采用热丝ＣＶＤ方法和在以石英为衬底的金属钛梳状微电极上制备出的均匀致癌，结晶完整的金刚石薄膜，制成了金刚石薄膜热敏器件，对其热敏特性的测试结果表明，该热敏元件具有检测温度范围宽、响应快，灵敏度高，性能稳定等优点。     

微波等离子体CVD方法制备金刚石薄膜

采用微波等离子体化学气相沉积方法分别在ＣＨ４／Ｈ２，ＣＯ／Ｈ２和（ＣＨ４＋ＣＯ）／Ｈ２气体体系下合成了金刚石薄膜。结果表明，所合成的金刚石薄膜具有明显的柱状生长特性和较高的品质。（ＣＨ４＋ＣＯ）／Ｈ２体系合成的金刚石薄膜具有较高的生长速率和晶面定向生长的特性。     

Si衬底上金刚石薄膜的成核和生长机理

以酒精为碳源,用热丝CVD法,对不同表面状况的Si衬底作金刚石沉积比较.讨论了薄膜的成核、生长机制,认为CH_2是成核的主要气相种类,H原子直接参与了成核和生长,它们在薄膜沉积中起了极为重要的作用.解释了毛糙表面的Si衬底上金刚石易成核的现象.     

用原子力显微镜观察金刚石膜核化过程

对衬底负偏压热灯丝ＣＶＤ金刚石膜核化过程进行了研究。利用原子力显微和扫描电子显微镜观察和分析结果表明,在衬底负偏压下正离子对Ｓｉ衬底表面轰击导致产生了大量的小坑几尖劈端,以此作为核化点,从而促进了核化过程。     

聚合物浓溶液中气液平衡的估算──UNIFAC－FV模型参数考察

应用ＵＮＩＦＡＣ－ＦＶ模型估算了低密度聚乙烯一溶剂体系中以重量分率表示的溶剂亨利常数，Ｈ；”．以及低密度聚乙一溶剂和聚苯乙烯一溶剂中无限稀释的溶剂活度系数Ｏｉｃ．结果表明，通过调节ＣＩ，ＵＮＩＦＡＣ－ＦＶ模型能较好地估算Ｈ７和Ｄ７．估算溶剂亨利常数时，低密度聚乙烯一溶剂体系：芳烃取ＣＩ—１１，脂肪烃取ＣＩ—２·０，低密度聚乙烯一极性溶剂体系中ＣＩ随溶剂不同而变化；估算无限稀释的溶剂活度系数时，ＣＩ值随聚合物一溶剂体系而变，且模型估算误差较前者为大；参数ｂ值随ＣＩ和温度而变；对脂肪烃、环已烷和极性溶剂之Ｄ７的估算，ＵＮＩＦＡＣ－ＦＶ模型有待进一步改进．     

光照对金刚石薄膜压阻效应的影响

分析研究ＣＶＤ方法制备的多晶金刚石薄膜的压阻效应，结果表明光照对金刚石膜的压阻效应有显著的影响，并对所得结果进行了讨论。     

丙酮对金刚石膜生长速率的影响

采用灯丝热解化学气相沉积方法，在不同的碳源气体氢气中合成金刚石薄膜，并研究不同工艺条件下金刚石膜生长速率。结果表明，在较低的灯丝分解气体温度和较近的灯丝与衬底距离条件下，以丙酮为碳源气体合成的金刚石膜具有 的生长速率的较好的质量。     

MOCVD生长的InP外延层的输运及发光特性

使用ＭＯＣＶＤ生长技术，在ｎ型及半绝缘衬底上生长了ＩｎＰ外延层，通过对迁移率和低温光致发光，光反射谱的分析，得出了样品纯度与有关生长条件的关系。     

热阴极辉光PACVD金刚石厚膜的生长特性

对用热阴极辉光ＰＡＣＶＤ方法合成的金刚石厚膜，采用扫描电子显微镜进行了观察，研究了金刚石的生长机制。     

噻吩浓度对陶瓷和石英为基底的CVD法制备碳纳米管的影响

采用二甲苯为碳源,二茂铁为催化剂,分别在陶瓷和石英基底上进行化学气相沉积(CVD),制备出多壁碳纳米管(MWNTs)及大面积的碳纳米管列阵膜。结果表明,噻吩的加入量对能否生成碳纳米管及其产量具有重要影响。对于不同基底,噻吩浓度对碳纳米管生长的影响亦不同,石英基底对噻吩浓度的敏感性更强,在石英基底上能够生长出碳纳米管列阵膜。     

溅射沉积InP薄膜的研究

本文报道了以射频溅射仪溅射沉积非晶态InP薄膜.并用X光衍射法、反射电子衍射怯、扫描电镜、红外分光光度计及俄歇能谱仪等研究了薄膜结构、貌相、组分及吸收边光谱等.并与富In的InP多晶薄膜作比较.     

硅烷外延生长速率和衬底取向的关系

用硅烷热分解方法生长硅膜时,硅膜的生长速率与衬底取向及材料无关.不同衬底在低温区具有相同的生长激活能.作者认为硅烷外延生长和四氯化硅外延不同,其生长机制是硅烷气相分解产物通过滞流层向衬底的定向扩散并在衬底上堆积.     

单壁碳纳米管的纯化

采用硝酸氧化结合高速离心的方法提纯电弧放电法制备的单壁碳纳米管.UV-vis-NIR吸收光谱和Raman光谱研究表明此方法能有效去除碳纳米管粗品中的金属催化剂、无定形碳、碳纳米聚合物及石墨卷曲体等杂质.     

利用AFM和碱溶液在单晶硅表面微加工及其电化学机理

用AFM在单晶硅片(100)表面上加工出一微结构表面,而且加工过程中单晶硅的表面生成很薄的二氧化硅保护层,使其置于氢氧化钾溶液中刻蚀加工可得到微结构(长×宽:10μm×10μm)。加工过程中利用二氧化硅和单晶硅与氢氧化钾溶液化学反应速率的不同,以及单晶硅不同晶面与氢氧化钾溶液反应速率的各向异性达到加工目的,并应用化学键理论—能带理论对在KOH水溶液中加工反应的机理进行了分析。     

铟掺杂一维半导体氧化锌纳米螺旋制备及表征

利用化学气相沉积的方法,在硅衬底上生长了铟掺杂的氧化锌纳米螺旋结构.通过X-射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、选区电子衍射等手段对样品的形貌和结构进行了表征.结果表明,合成的纳米螺旋由纳米带旋转而成,曲率半径为几个微米.纳米带宽约200 nm,厚约几十纳米,铟杂质的引入使其生长方向沿(1010)方向.     

涂层碳纤维的抗拉强度与断裂特性

利用化学气相沉积法在碳纤维表面获得SiC、C+SiC、Si、C-Si梯度等涂层的基础上,研究了涂层对碳纤维强度的影响,分析了涂层及碳纤维原丝的相结构,观察了涂层碳纤维的拉伸断口形貌,并进一步探索了涂层碳纤维的断裂过程与断裂方式,实验结果表明:不同涂层碳纤维的强度各异,且其断口形貌与断裂方式也不尽相同.