电子束蒸发a—Si1—xCrx薄膜的光吸收

本文研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素Ｃｒ的非晶硅基薄膜ａ－Ｓｉ１－ｘ－Ｃｒｘ的光吸收特性。研究结果表明，这类薄膜的组分变化，对近红外长波的吸收特性影响较大，０．１０ａｔ．％＜ｘ＜２．０ａｔ．％的组分变化区，是薄膜光吸收特性变化的灵敏区。在研究的组分范围内，薄膜的光学带隙随Ｃｒ组分的增大而变窄，由１．５０ｅＶ（ｘ＝０）减小到０．８４ｅＶ（ｘ＝１０．０ａｔ．％）。薄膜对不同波长的入射波，其吸收系数ａ有     

电子束蒸发a－Si_（1－x）Cr_x薄膜的电导特性研究

本文研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素Ｃｒ的非晶硅基薄膜ａ－Ｓｉ_（１－ｘ）Ｃｒ_ｘ的变温电导特性。实验结果表明，ｘ≤１０ａｔ％的组分范围内，室温电导率由８．７×１０－７增大到７．２×１０－１Ω－１·ｃｍ－１；在２９０Ｋ到５００Ｋ的范围内，薄膜的电导机制为载流子激发到导带扩展态的传导导电和ＥＦ附近的杂质定域态的载流子热激活的跳跃导电，Ｃｒ３＋离子在非晶薄膜中的存在形式，它对硅悬挂键的补偿以及掺Ｃｒ引人的结构无序是决定薄膜电导特性的主要因素。     

a—Si：H/a—SiN_x：H超晶格薄膜的光声谱

我们应用光声技术,研究 a-Si:H/a-SiN_x:H 超晶格薄膜中载流子的非辐射复合和量子尺寸效应,发现载流子的非辐射复合与超晶格薄膜中的缺阱有关;超晶格薄膜的光学能隙随着势阱宽度减小而增大.     

a－Si_（1－x）N_x：H光敏材料的研究

讨论了用射频辉光放电装置制备的掺氮非晶硅（ａ－Ｓｉ＿（１－ｘ）Ｎ＿ｘ：Ｈ）光敏薄膜材料的光电特性。结果表明，合理地控制氮气（Ｎ＿２）与硅烷（ＳｉＨ＿４）气体的流量比例（即Ｖ＿（Ｎ２）／Ｖ）以及其他有关的工艺参数，能够制备出暗电阻率ｐ＿Ｄ＞１０￣（１４）·ｃｍ，光、暗电导率比≥１０￣２，光电性能稳定的ａ－Ｓｉ＿（１－ｘ）Ｎ＿ｘ：Ｈ光敏薄膜材料。     

a-Si∶H/a-SiN_x∶H超晶格薄膜的光声谱

我们应用光声技术,研究a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜中载流子的非辐射复合和量子尺寸效应,发现载流子的非辐射复合与超晶格薄膜中的缺阱有关;超晶格薄膜的光学能隙随着势阱宽度减小而增大。     

用电阻法研究超导体YBa2Cu3O7—x的高温特性

本文报道用测量电阻的方法,研究高温超导体YB_(a2)Cu_3 O_(7-x)的高温电阻率,正交一四方结构相变和氧在晶格内的扩散,并对实验结果进行了分析和讨论。     

（Ba_（1－x）Nd_x）TiO_3系陶瓷的电性能

研究了不同Ｎｄ３＋浓度（０．１ｍｏｌ％～２ｍｏｌ％）掺杂的ＢａＴｉＯ３陶瓷的电性能．结果表明，当Ｎｄ３＋浓度为０．１ｍｏｌ％～０．２ｍｏｌ％时，轻度Ｎｄ３＋掺杂的ＢａＴｉＯ３陶瓷是半导性，而当Ｎｄ３＋为０．６ｍｏｌ％～２ｍｏｌ％时呈绝缘性．ＢａＴｉＯ３陶瓷室温下的体电阻车ρＶ随Ｎｄ３＋浓度的变化呈Ｕ型特性曲线，当Ｎｄ３＋＝０．１５ｍｏｌ％时材料具有最低的ρＶ和最佳的正温系数（ＰＴＣＲ）效应，相应于最大的平均晶粒尺寸ＡＧＳ和介电常数ε。随着Ｎｄ３＋浓度的增加．材料的ε和居里常数Ｃ下降，同时ε与Ｃ值密切相关．ＳＥＭ照片显示了Ｎｄ３＋含量对材料晶粒尺寸的强烈影响．此外，还分析了ＺｒＯ２对（Ｂａ１－ｘＮｄｘ）ＴｉＯ３系陶瓷电性能的影响．     

LiTa_xNb_(l-x)O_3晶体的低温介电性和热释电性

研究了LiTa_xNb_(1-x)O_3单晶在300K至40K温度范围內的介电和热释电性质。介电常数和热释电系数两者都随温度降低而下降,无反常变化。在300K至200K范围内热释电伏值保持相当高的数值,这具有实用价值。     

四元(AlxGa1-x)0.51In0.49P(x=0.29)合金的PLE及极化PL谱

对与 Ga As晶格匹配的四元合金 (Alx Ga1-x) 0 .51In0 .4 9P(x=0 .2 9)作了 PL E及极化 PL谱的测量 .进一步探讨有序结构 Al Ga In P中在 55～ 84 K出现的峰值蓝移的温度反常现象的来源 .PL E谱的测量表明子能带的存在 ,其能级的差异正好处在高温区激活能内 ,是引起温度反常现象的原因 .通过从 17K到 112 K的极化 PL谱测量并未发现价带中 Г4 和 Г5,6子带的分裂 .推测在 Al Ga In P中 ,由晶格有序的超晶格效应引起晶体导带从 L点到布里渊区的Г点的折叠效应 .在温度大于 55K时 ,导带的载流子获得足够的能量从Г带跃迁到 L带 ,而导致了 PL谱的温度反常行为 .     

a-Si:H/a-Si_(1-x):Ge_x:H PIN二重结太阳电池的设计与计算

本文根据a-Si材料的性能参数,计算了pin器件中的结电场分布ε(x)及其极小值ε_(min),求出在一定条件下的满足全收集的最佳(大)i层厚度,并在这个基础上较严格地计算了E_(g1)=1.9eV的a-Si:H和E_(g2)=1.5eV的a-Si:Ge:H两种材料的pin单结太阳电池及由它们组成的二重结器件的光伏特性,在条件相近的条件下,a-Si:Ge:H pin单结太阳电池的效率与Mitchell的实驻结果相当接近。我们的二重结计算结果与DMM在相近条件下估算的结果接近。     

(W,Ti)C自蔓延高温合成

研究了原料粉末中杂质、预热温度对（Ｗ,Ｔｉ）Ｃ自蔓延高温合成的影响,并利用ＸＲＤ和ＳＥＭ技术对合成产物进行了相组成、产物形貌和粒径的分析．结果表明：原料Ｔｉ粉中挥发性杂质能阻碍ＴｉＣＷＣ的固溶,而预热则可强化ＴｉＣＷＣ的固溶;当预热至６００℃时,可使ＴｉＣＷＣ充分固溶,合成的（Ｗ,Ｔｉ）Ｃ粉末粒径可达１～３μｍ．该研究对进一步生产（Ｗ,Ｔｉ）粉末有一定的实际意义     

一种无定形SiO_2上沉积含氢的非晶硅氧改善硅平面管特性的方法

本文报导的是在无定形SiO_2上沉积含氢的非晶硅氧修复特性较差的硅平面管的方法,该方法可使特性较差的管子起死回生。     

Er_(1-x)(Gd,y)_xAl_3(BO_3)_4晶体生长及其光谱特性

采用 Li_2B_4O_7、 K_2M为_3O_(10) 两种助熔剂生长了新型 Er_(1-x)(Gd,y)_xAl_3·(BO_3) _4激光晶体。研究了助熔剂的蒸发特性,测量了它们的蒸发活化能。用x 射线衍射法测量了晶体的结晶温度。详细地测量了该晶体的光谱并给出了Er~(3+)在该晶体中的能级结构图。     

退火冷却速率对a—Si_(1-x)Ge_x:H薄膜电导的影响

本文比较全面地研究了退火冷却(即热淬火)对反应溅射a—si_1_rGe_x:H薄膜电导的影响,测量了热淬火态引起的热诱导电导.结果表明:电导的改变强烈地依赖于热历史:热诱导电导向平衡态的弛豫过程遵从指数衰减规律;弛豫时间是热激活式的.     

(Ba_mMg)_(2/(m+1)Al_(10)O_(17):Eu和(Ce,Tb)Mg_nAl_(11)O_(18+n)的光谱特性

报道了β-Al_2O_3型的(Ba_mMg)_(2/(m+1))Al_(10)O_(17):Eu(BMA)(其中m为0.8～1.4)和磁铅矿型的(Ce,Tb)Mg_nAl_(11)O_(18+n)(CTA)(其中n为0.6～1.2)的光谱特性,碱土金属离子的含量和配比对材料的光谱特性有较大的影响,且会引起发光性能的差异。作者分析和讨论了这种差异对三基色混合粉的光效、显色性和红绿组分配比的影响。