利用电子辐照退火法筛选抗辐射晶体管的研究

利用电子辐照退火法筛选抗辐射晶体管的研究林茂清（原子核科学技术研究所）随着空间技术和核技术的发展，半导体器件的核加固已取得不少成果．在制造工艺中加固的晶体管抗辐射平均水平有了较大提高．然而，由于材料和工艺的复杂性，即使用同一材料同时加固的同批晶体管，...     

半导体和半导体器件中的击穿现象

碰撞离化、雪崩和击穿效应是许多重要的半导体器件的基础。如雪崩光二极管、雪崩晶体管、抑制器、锐化二极管（击穿被延迟的二极管）、Impact和俘获等离子雪崩触发渡越二极管等。为了获得最快的速度和最大的功率，许多半导体器件必须在击穿或十分接近击穿的条件下工作。     

EDMOS的工艺和电性模拟

EDMOS晶体管广泛地用于半导体器件在很多领域内，如高压MOS场效应管。EDMOS含有一个轻掺杂漏极区域来提升击穿电压．正归功于它们的优越性，这类晶体管正作为功率器件在智能型功率集成电路领域快速地取代双极晶体管．     

有机电子的物理化学性能研究

至上世纪80年代，聚合物电荷传导获得突破，发现此研究的人获得2000年诺贝尔奖。人们疑惑：有机物是否可以如有机半导体一样得到广泛应用。至1987年有机发光二极管（OLED）问世以来，有机电子材料为人们所广泛关注。有机分子目前被认为在半导体器件方面是一种活性成分，然而有机分子产生的光（有机发光二极管）已经工业化，就有机分子在晶体管中应用来控制电流电压目前还处于发展阶段。     

单电子晶体管(SET)及其应用

当电子器件的尺寸接近纳米尺度时，量子效应对器件工作的影响变得格外重要，就需要采用具有新机理的晶体管结构，单电子晶体管（SET）就是其中一个典型的结构，文中对比传统晶体管（MOSFET）的工作原理，分析了单电子晶体管SET的工作机理，简要概述了SET的一些应用。     

半导体技术的回顾与展望

简要回顾了半导体技术在五十多年的发展历史，介绍了晶体管、集成电路、功能半导体器件以及半导体材料的研究发展过程和当前的水平，并展望２１世纪初半导体技术的发展方向及其在信息社会中将起的作用。     

半导体器件模拟中的时间拓展

利用计算机进行半导体器件模拟时，最大限制是所需CPU时间特别长。对此，提出了一种适应于半导体器件电磁波效应计算机模拟研究的时间拓展方法，可在满足精度（10％）的范围内将计算时间缩短45％以上。     

高性能非平面沟道场效应晶体管

半导体器件的高速化、集成化要求其特征尺寸不断缩小,不可避免地导致短沟道效应,从而使得器件性能退化。提出了一种非平面沟道晶体管,利用二维半导体器件仿真软件SILVACO对其阈值电压退化、亚阈值特性和衬底电流进行了研究,并通过能带图、电势分布图和电场分布图探讨了其物理机理。研究表明非平面沟道晶体管可以很好地抑制阈值电压退化,改善器件的亚阈值特性,降低漏电流和衬底电流,提高击穿电压,从而抑制短沟道效应,提高器件的可靠性。     

实验室晶体管的筛选

一、管子的筛选在晶体管电路中的重要性: 1、半导体器件由于电压的波动,晶体管的老化、温度的变化都可引起晶体管参数的变化。其中以温度的变化为最显著、影响最大,它的几个重要参数β、Iceo、Ube等都是温度的灵敏函数。主要的原因是温度的变化影响了晶体管内部载流子的运动,从而使反向饱和电流Icbo、发射结正向压降Ube和电流放大倍数β发生了变化。     

用光电导衰退法测量锗中少数載流子的壽命

引言半导体材料中少数载流子~(**)的寿命是一个非常重要的参数,它标志着半导体材料的性能及品格的完整性,而且在半导体器件特別是晶体管的制造时,半导体材料中少子寿命的大小对晶体管的性能有重大的影响。因此半导体材料中少子寿命的测量     

基于CMOS晶体管的太赫兹探测器研究进展

随着太赫兹波的广泛应用,太赫兹探测技术成为研究的热点,探测器件主要以肖特基二极管,量子阱二极管,CMOS晶体管为主,CMOS晶体管探测器件具有响应度高,信噪比好,等效功率高等优点.首先介绍了太赫兹探测器的技术指标,接着从结构及材料两方面对近年来CMOS晶体管的改进方案进行了综述对比,最后介绍了太赫兹探测器的应用并对应用前景及未来发展方向进行了展望.     

AEC－Ⅱ型模拟电子技术学习机的研制

本文利用集成电路Ｗ７８１２、Ｗ７９１２、Ｗ１１７、Ｗ１３７、μＡ７４１和三极管、二极管、稳压管等元器件，研制模拟电子技术学习机     

硅半导体放电加工中的肖特基势垒特性研究

金属夹具与半导体接触会形成肖特基势垒,为了研究该势垒对半导体放电加工的影响,利用二极管和电阻模型建立了等效电路.固定端和放电端形成的肖特基势垒,都可等效成二极管,在放电回路中一个处于正向偏置,另一个处于反向偏置.本文通过两端金属进电的方法,研究了肖特基势垒对放电电流的影响,理论研究发现了半导体放电伏安曲线的3个特征量:导通角、击穿点和击穿角,并通过实验方法测量伏安曲线,找到了这3个特征量的关系.击穿角由电路中的电阻决定,与肖特基势垒无关,而导通角和击穿点由肖特基势垒决定,与电阻无关.     

高功率半导体激光器标准列阵单元及散热器的设计与制作

对高功率半导体激光器的标准列阵单元及散热器进行了设计和制作．采用该标准列阵单元及散热器对不同占空比的二维半导体激光器列阵的测试表明，中间通过插入不同厚度的无氧铜散热片，可有效地把不同负载的热量散发出去，保证器件有效工作，增加可靠性．并且可以通过简单地改变标准单元之间的散热片的厚度，从而改变激光器列阵的散热能力，控制不同的占空比因子。     

MOSFET与IGBT的驱动和保护方法

半导体场效应晶体管MOSFET和绝缘栅双极晶体管IGBT都具有低损耗开关特性,但其驱动方法和保护方法却有明显的区别。本文从其结构。速率、驱动功率、开关损耗、驱动要求及保护方式等方面阐述它们的差别。     

具有有源缓冲电路的软开关脉宽调制式变流器

提出了一种新的零电压转换脉宽调制式(PWM)直流——直流变流器．该变流器加设了一个新的有源缓冲器．该变流器中所有半导体器件都能在精确的或接近于零电压开关(ZVS)或零电流开关(ZCS)的情况下开通和关断．主开关和主二极管中无附加的电压和电流应力出现，辅助开关和辅助二极管中出现的电压和电流应力也在容许值之内．该变流器结构简单，成本低，易于控制，在轻载条件下也能正常运行．文章详细分析了其工作原理，提出了有源缓冲单元电路的设计过程，并通过一个脉宽调制式升压变流器的实验原型验证了该变流器的预期工作原理和理论分析．在满输出功率情况下，其主开关的损耗和整个电路的损耗大大降低，由此提升了变流器的总效率。     

半导体纳米材料CdSe/ZnS在显示器件中的应用

以半导体纳米材料CdSe/ZnS作为发光层, ZnO作为电子传输层, 用Al和氧化铟锡（ITO）分别作为两极材料, 采用旋涂和真空蒸镀膜技术制备半导体发光二极管, 并对其光学性质进行表征. 结果表明: 该器件发射黄光, 峰位为575 nm, 半峰宽30 nm, 最大发光强度2 000 cd/m²; 在较高的电流密度下, 该器件的电致发光效率无
明显衰减; 当半导体纳米材料CdSe/ZnS及ZnO分别作为发光层和电子传输层时, 可制备具有高电流密度且稳定的发光二极管主体材料.     

半导体发光二极管的研究与分析

在简介半导体发光二极管的辐射复合基础上，。详细讨论了包括Ⅲ-Ⅳ，Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料和多孔硅（PS）等新发光材料在内的各种发光材料的发光机理，发光二极管的结构与特性，并介绍了半导体发光二极管在近代科学中的应用。     

测量晶体管特性的新方法

给出了测量晶体二极管伏安特性，三极管输入特性的一种简单，直观的方法，分析了此方法的线路连接，操作及原理。     

Academic and industry research progress in germanium nanodevices

Silicon has enabled the rise of the semiconductor electronics industry, but it was not the first material used in such devices. During the 1950s, just after the birth of the transistor, solid-state devices were almost exclusively manufactured from germanium. Today, one of the key ways to improve transistor performance is to increase charge-carrier mobility within the device channel. Motivated by this, the solid-state device research community is returning to investigating the high-mobility material germanium. Germanium-based transistors have the potential to operate at high speeds with low power requirements and might therefore be used in non-silicon-based semiconductor technology in the future.