VDMOS-NMOS兼容功率集成电路结构

提出一种完全新型的ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ全兼容功率集成结构的设计方法．该结构采用与ＶＤＭＯＳ工艺兼容的对接（ＢｕｔＪｏｉｎｔ）沟道结构形成ＮＭＯＳ器件，利用ＶＤＭＯＳ工艺中ｐ＋区反刻过程形成ＮＭＯＳ器件的有源区，利用ＶＤＭＯＳ工艺中刻双扩散窗口过程形成ＮＭＯＳ器件的栅区及多晶硅互连线．对ＭＯＳ电路中的小跨导器件图形的设计及ＶＤＭＯＳ与Ｅ／ＥＭＯＳ的界面设计进行了分析和讨论     

77K MOS器件计算机模拟及软件实现

本文分析了半导体器件物理参数的低温模型，对低温器件计算机模拟方法作了具体的考虑，提出了适于低温器件模拟的误差限方法，并将该方法以及低温模型参数插入ＭＩＮＩＭＯＳ４．０进行数值试验，得到了低温ＭＯＳ器件模拟软件ＤＷＭＯＳ。本文给出了ＤＷＭＯＳ部分运行结果。     

VDMOS—NMOS兼容功率集成电路结构

提出一种完全新型的ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ全兼容功率集成结构的设计方法。该结构采用与ＶＤＭＯＳ工艺兼容的对接沟道结构形成ＮＭＯＳ器件，利用ＶＤＭＯＳ工艺中ｐ＾＋区反刻过程形成ＮＭＯＳ器件的有源区，利用ＶＤＭＯＳ工艺中刻双扩散口有成ＮＭＯＳ器件的栅区及多晶性互连线。     

L—B单分子膜制备的MIS结构和电容电压特性

利用Ｌ－Ｂ单分子功能膜的绝缘性制作ＭＩＳ器件，通过对它的结构和电容－电压特性曲线的研究，发现ＬＢ膜可以改善ＭＯＳ器件的性能和消除ＭＯＳ器件的“异常”Ｃ－Ｕ特性现象，利用ＣＵ特性曲线可以检测Ｌ－Ｂ膜成膜质量，利用零偏压时的电容值可以计算各成膜材料的介电常数。     

L－B单分子膜制备的MIS结构和电容电压特性

利用Ｌ－Ｂ单分子功能膜的绝缘性制作ＭＩＳ器件．通过对它的结构和电容－电压（Ｃ－Ｕ）特性曲线的研究，发现Ｌ－Ｂ膜可以改善ＭＯＳ器件的性能和消除ＭＯＳ器件的“异常”Ｃ－Ｕ特性现象，利用Ｃ－Ｕ特性曲线可以检测Ｌ－Ｂ膜成膜质量，利用零偏压时的电容值可以计算各成膜材料的介电常数．     

MOSFET低温热载流子效应

与常温下相比，低温工作ＭＯＳ器件具有许多优点，但低温热载流子引起的器件蜕变却明显增强，本文简要研究了这种效应，包括低温热载流子的行为和界面态的产生及其对器件特性蜕变的影响，最后，从器件结构和工作条件等方面提出了抑制低温热载流子效应的设计考虑。     

MFS和MFOS结构的C—V特性研究

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构。利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面态，可实现极化存储，并可望制成铁电场效应晶体管。     

MFS和MFOS结构的C－V特性研究

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构．利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面态，可实现极化存储，并可望制成铁电场效应晶体管．     

集成CMOS流量传感器

本文提出了一种与硅栅ＣＭＯＳ工艺相兼容的集成ＣＭＯＳ流量传感器，该器件由于采用了交叉差分恒流源技术，与硅双极型流量传感器相比，具有相近的灵敏度。     

用于集成超声传感阵列的PVDF—MOSFET新结构

本文报道一种用聚酰亚胺膜垫高扩展栅的聚偏氟乙烯压电膜－ＭＯＳ晶体管传感器单元结构。和一般ＰＯＳＦＥＴ结构相比。这种新结构大大减少了扩展栅电容，明显地提高了器件灵敏度。详述了这种结构的制造过程，特别是ＰＩ膜制备条件对ＣＥＧ和器件性能的影响。     

SOI RESURF器件高压互连线效应的二维解析模型

高压互连线效应是影响集成功率器件性能的重要因素之一.首先提出一个高压互连线效应对SOI横向高压器件的漂移区电势和电场分布影响的二维解析模型,进而得到漂移区在不完全耗尽和完全耗尽情况下的器件击穿电压解析表达式,而后利用所建立的模型,研究器件结构参数对击穿特性的影响规律,定量揭示在高压互连线作用下器件击穿多生在阳极PN结的物理本质,指出通过优化场氧厚度可以弱化高压互连线对器件击穿的负面影响,并给出用于指导设计的理论公式.模型的正确性通过半导体二维器件仿真软件MEDICI进行了验证.     

水平环缝内低温工质自然对流传热实验装置的研发

针对工业领域中常见的低温工质自然对流传热现象,该文研发了一套用于水平环缝内低温工质自然对流传热实验的装置,介绍了实验装置的结构和原理,并进行了初步的性能测试。结果表明,利用该装置测得的实验数据精度较高,能够满足相关实验要求。该装置可同时用于水平同心和偏心环缝内低温工质自然对流传热实验研究。     

Micrometre-scale silicon electro-optic modulator

Metal interconnections are expected to become the limiting factor for the performance of electronic systems as transistors continue to shrink in size. Replacing them by optical interconnections, at different levels ranging from rack-to-rack down to chip-to-chip and intra-chip interconnections, could provide the low power dissipation, low latencies and high bandwidths that are needed. The implementation of optical interconnections relies on the development of micro-optical devices that are integrated with the microelectronics on chips. Recent demonstrations of silicon low-loss waveguides, light emitters, amplifiers and lasers approach this goal, but a small silicon electro-optic modulator with a size small enough for chip-scale integration has not yet been demonstrated. Here we experimentally demonstrate a high-speed electro-optical modulator in compact silicon structures. The modulator is based on a resonant light-confining structure that enhances the sensitivity of light to small changes in refractive index of the silicon and also enables high-speed operation. The modulator is 12 micrometres in diameter, three orders of magnitude smaller than previously demonstrated. Electro-optic modulators are one of the most critical components in optoelectronic integration, and decreasing their size may enable novel chip architectures.     

Electronics using hybrid-molecular and mono-molecular devices

The semiconductor industry has seen a remarkable miniaturization trend, driven by many scientific and technological innovations. But if this trend is to continue, and provide ever faster and cheaper computers, the size of microelectronic circuit components will soon need to reach the scale of atoms or molecules--a goal that will require conceptually new device structures. The idea that a few molecules, or even a single molecule, could be embedded between electrodes and perform the basic functions of digital electronics--rectification, amplification and storage--was first put forward in the mid-1970s. The concept is now realized for individual components, but the economic fabrication of complete circuits at the molecular level remains challenging because of the difficulty of connecting molecules to one another. A possible solution to this problem is 'mono-molecular' electronics, in which a single molecule will integrate the elementary functions and interconnections required for computation.     

广义互联大系统的相似结构和鲁棒镇定

运用Lyapunov方法和广义系统的第一等价形式,研究了具有非线性互联项和不确定性的广义互联大系统·以导数比例状态反馈和受限等价为基础定义了受控系统的相似结构,并根据标称系统的能控性给出了相似结构的一个简明判别法·设计了具有相似结构的鲁棒分散控制器,使得闭环系统正常化且渐近稳定·由于分散控制器的相似结构,只需一个控制器和相似参量,就可以得到所有的控制器,因此易于工程实现·     

低温乏汽回收利用装置的结构参数研究

通过实验研究了收缩角,喉嘴面积比和汽、水喷嘴面积比3个结构参数变化对低温乏汽回收利用装置性能的影响规律.研究发现存在最佳汽、水喷嘴面积比使装置的性能最好,但不同进口工质参数下的最佳汽、水喷嘴面积比值不同;随着收缩角(14°~22.7°)的增大,引射系数逐渐降低,而阻力系数呈现出升高的趋势,并且不同收缩角对应的最佳汽、水喷嘴面积比值随着收缩角的增大逐渐减小;引射系数随着喉嘴面积比(1~5.44)的增加而升高,阻力系数却先降低后升高.这些研究结果为低温乏汽回收利用装置的优化设计和工业应用奠定了基础.     

植物Annexins研究进展

综述了植物膜联蛋白的结构与功能．植物膜联蛋白具有膜联蛋白家族的基本结构，但其三维结构与动物膜联蛋白有所差异．同动物膜联蛋白一样，植物膜联蛋白可能参与植物细胞的分泌作用、胞吐作用、液泡化过程及低温信号转导过程，也可能具有愈伤葡萄糖合成酶、ATPase／GTPase及过氧化物的活性．植物膜联蛋白可能与果实的成熟有关。     

竖轴水轮机式潮流能发电装置开发现状与发展趋势

 世界能源日趋紧张,而环境污染不断加剧。潮流能作为清洁无污染的绿色可再生新能源,具有储量大、分布广、可预测性强、环境污染小等特点,开发利用潮流能对缓解能源紧张、降低环境污染具有重要的现实意义。潮流能利用的主要形式是利用潮流能发电装置发电,其原理是：潮流冲击水轮机,将潮流水平流动的动能转换为水轮机的机械能,水轮机经机械传动装置,带动发电机发电,将机械能转换为电能。潮流能发电装置根据水轮机结构形式的不同,分为水平轴式、竖轴式和横轴式。与水平轴水轮机式和横轴水轮机式潮流能发电装置相比,竖轴水轮机式潮流能发电装置具有适应流向性强,适合大规模阵列布置等特点,具有独特的应用优势。本文针对竖轴水轮机式潮流能发电装置,阐述发电装置的开发现状,分析不同结构形式发电装置的特点,指出竖轴水轮机式潮流能发电装置的发展趋势和关键技术,为竖轴潮流能发电装置的理论研究与工程应用提供参考和借鉴。     

Strong quantum-confined Stark effect in germanium quantum-well structures on silicon

Silicon is the dominant semiconductor for electronics, but there is now a growing need to integrate such components with optoelectronics for telecommunications and computer interconnections. Silicon-based optical modulators have recently been successfully demonstrated; but because the light modulation mechanisms in silicon are relatively weak, long (for example, several millimetres) devices or sophisticated high-quality-factor resonators have been necessary. Thin quantum-well structures made from III-V semiconductors such as GaAs, InP and their alloys exhibit the much stronger quantum-confined Stark effect (QCSE) mechanism, which allows modulator structures with only micrometres of optical path length. Such III-V materials are unfortunately difficult to integrate with silicon electronic devices. Germanium is routinely integrated with silicon in electronics, but previous silicon-germanium structures have also not shown strong modulation effects. Here we report the discovery of the QCSE, at room temperature, in thin germanium quantum-well structures grown on silicon. The QCSE here has strengths comparable to that in III-V materials. Its clarity and strength are particularly surprising because germanium is an indirect gap semiconductor; such semiconductors often display much weaker optical effects than direct gap materials (such as the III-V materials typically used for optoelectronics). This discovery is very promising for small, high-speed, low-power optical output devices fully compatible with silicon electronics manufacture.     

“凝固点降低法测定分子摩尔质量”的实验改革

通过机电一体化的凝固点装置与低温恒温槽的联用和引进凝固点实验数据采集处理系统软件,实现了采用水作溶剂准确而稳定测定尿素和蔗糖的摩尔质量。新的体系无毒无污染,符合绿色化学理念。已经将其用于大面积本科实验教学并取得了良好的实验教学效果。