ZnS:R_E~(3 )薄膜交流场致发光特性的研究

为研究ZnS中稀土杂质的光学行为,以单质Er掺杂制成ZnS:Er~(3 )薄膜交流场致发光器件。对其发射光谱、亮度—电压特性及极化效应等进行观测。结果表明:Er~(3 )虽处在不同的晶体环境中,但所得光谱位置却基本一致,只是相对峰值不同。亮度—电压logB～1/V~(1/2)曲线表明Er~(3 )中心的激发为电子碰撞激发,根根亮度与电压的关系可认为器件中存在非单一深度的陷阱。器件在单向脉冲作用下呈现亮度递减的现象,可用极化效应解释。     

掺铒硅基纳米发光薄膜的形成过程与性能研究

采用MEVVA离子源强束流离子注入机,将稀土Er离子注入单晶硅、Si和Er离子双注入单晶硅及热氧化硅,Er在硅基薄膜中的掺杂原子分数可达10％,即数密度约10^21cm^-3,注入态样品快速退火后有纳米晶Si形成;77K和室温时用441．6nm光激发有Er^3 较强的1．54μm特征发光发射,探讨了在硅基材料中高浓度Er掺杂薄膜中纳米结构的形成与Er^3 的光致发光性能。     

Ni(mpz)_4I_2型化合物的光谱及EPR参量

本文利用d~8(D_4~*)全组态混合EPR理论,对Ni(mpz)。I:型化合物的吸收光谱、基态零场分裂参量D略及顺磁g因子进行了统一的理论计算,理论结果与实验值基本一致。分析表明,Ni(mpz)。12中Ni抖离子的环境配位构型明显偏离D。点群对称。     

形如1/2(11~(2~n)+1)的孤立数

孤立数一直是数论研究的一个重要课题。最近,在孤立数研究方面取得了一些进展。2006年,沈忠华证明了1/2(5~(2~n)+1)都是孤立数;2007年,蒋自国、曹型兵证明了1/2(3~(2~n)+1)都是孤立数;2011年,张四保、吕明富证明了1/2(7~(2~n)+1)都是孤立数;2012年,管训贵证明了1/3(2~p+1)都是孤立数。本文运用初等数论的方法证明了:1/2(11~(2~n)+1)都是孤立数,这里n是任意的正整数。     

Nd:KY(WO4)2晶体的光谱及上转换发光

在室温下,测试分析了Nd:KYW晶体的吸收光谱,确定Nd3 离子的能级结构.使用波长为808nm激光二极管作为激发光源,观察912、1 069、1 351 nm荧光光谱.采用不同波长(594、812 nm)的氙灯光泵浦晶体,获得了紫、蓝、绿和红色上转换荧光,并分析了上转换发光的过程和比较它们的发光特点.     

薄膜电阻传感器(ρck)~(1/2)值标定精度的实验研究

本文分析讨论了薄膜电阻传感器■值的电脉冲标定技术及其标定关系式。着重探讨了引起■值测量误差的各种因素,找到了提高标定精度的一些途径和方法。本文解决了文献[3]提出的一个难点,即低标定温升会引起△V～t曲线的信噪比变坏,以致限制了标定精度的进一步提高。由于这一问题的解决,提高了信噪比,获得了低标定温升下的光滑曲线,再加以其它措施,使传感器■值的标定精度可达到±5%以内。     

非晶掺氧氮化硅薄膜中N-Si-O发光缺陷态的研究

在室温下利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备出非晶掺氧氮化硅(a-SiN_x∶O)薄膜.通过改变硅烷(SiH_4)和氨气(NH_3)流量比R,可实现薄膜光致发光(PL)峰位在2.06~2.79eV可见光能量范围内的波长调制.光吸收谱中光吸收峰位与PL峰位重叠,表明薄膜发光来源于光吸收边以下0.65eV左右处的缺陷态.通过对傅里叶变换红外光谱(FTIR)的键浓度分析和X射线光电子能谱(XPS)Si 2p峰的分峰拟合,发现薄膜PL强度的增强与N-Si-O键合浓度的升高紧密相关.R=1∶4时,PL强度与N-Si-O键合浓度同时达到最大.进一步证明了a-SiN_x∶O薄膜中的发光缺陷态与N-Si-O键合结构密切相关.此外,PL峰位随流量比R的增大而发生红移的现象可能源自于N-Si-O组态转变造成的缺陷态密度最大位置处的能级偏移和光学带隙变窄引起的价带顶上移.     

发光材料〔Cd_xMg_(6-x)Al_2(OH)_(16)〕~(2+)〔S·2H_2O〕~(2-):Mn~(2+)发光性质研究

研究了Mn2 +离子含量对发光材料〔CdxMg6-xAl2 (OH) 16〕2 +〔S·2H2 O〕2 -:Mn2 +发光强度的影响 ,并对基质中Cd2 +离子的含量、硫化时间、灼烧温度等合成条件对发光强度的影响进行了研究     

(CrO_4)~(4-)的X_a研究

本文采用自旋极化的多重散射X_α方法,对Cr:Mg_2SiO_4晶体中(CrO_4)~(4-)的电子结构进行了计算,得到了该络离子的能级结构。计算中对Cr-O距离的影响作了研究。     

(4/π)(2~(1/2)-1)≤EN_F(ω)-(2/π)InN≤(4/π)(2-2~(1/2))——随机系数代数方程实根平均个数的界

<正> 随机变量为系数的随机代数方程 在假定a_1(ω)(i=0,1,2,…,N-1)为遵从标准正态分布N(0,1)的条件下,实根的平均个数EN_F(ω)的估计有(参看文献〔1〕及其参考文献): 1938年 Littlewood, offord得到的EN_F(ω)≤25(1nN)~2+121nN); 1943年 Kac, M.改进的 1965年 Stevens, D. C.在他的纽约大学博士论文中的 1980年 骆振华又把它改进为     

Sr_2MgSi_2O_7/Eu_(0.01)~(2+),RE_(0.02)~(3+)长余辉发光材料的微波合成

首次应用微波法合成了系列蓝色长余辉发光材料Sr2MgSi2O7/Eu02.＋01,RE03.0＋2（RE^3＋=Dy^3＋,Ho^3＋,Ce^3＋,Er^3＋,Nd^3＋）,对材料进行了XRD,SEM、激发和发射光谱、余辉衰减曲线的测定.结果表明：激发峰是由250～450 nm的宽激发带组成,其中,掺杂Dy^3＋,Er^3＋,Nd^3＋荧光粉的激发光谱均为主激发峰位于310,356 nm处的宽带谱,掺杂Ce^3＋的激发光谱为主发射峰位于280,330,360 nm处的宽带光谱,掺杂Ho^3＋的激发光谱为主发射峰位于315,360,400 nm的宽带光谱;发射光谱为主发射峰位于465 nm处的宽带发射谱,该发光归属于Eu2＋的4f65d→4f7的允许电偶极宽带跃迁,并且随着Er^3＋,Dy^3＋,Nd^3＋,Ce^3＋,Ho^3＋的顺序发光强度逐渐降低.余辉衰减曲线显示初始发光亮度最高,余辉时间最长的是Sr2MgSi2O7/Eu02.0＋1,Nd03.0＋2.     

H_0~3(Ω)→L~(2n/n-6)(Ω)的最佳嵌入常数

给出了 S =inf{ ∫Rn D(Δu) 2 dx u∈H3 loc(Rn) ,∫Rn u 　2nn- 6 dx =1}达到函数 ,并得到了H3 0 (Ω)L　2nn- 6 (Ω) 的最佳嵌入常数 .     

对硫系玻璃Ge_(15)Te_(81)S_2Sb_2中掺Mn特性的研究

本文对掺Mn的硫系玻璃Ge_(15)Te_(81)S_2Sb_2样品,进行了电导率与温度关系、ESR信号和X衍射强度曲线的测量,并研究了Mn杂质对非晶态半导体导电和结构的影响。     

SO_4~(2-)-TiO_2-SO_4~(2-)-ZrO_2催化合成四乙酰呋喃核糖的研究

对用复合固体超强酸SO2 - 4 TiO2 SO2 - 4 ZrO2 催化肌苷制备 1,2 ,3,5 O 四乙酰 β D 呋喃核糖进行了研究 .研究结果表明 ,将TiO2 和自制的ZrO2 分别用硫酸溶液浸泡 ,在一定温度下焙烧 ,制成SO2 - 4 ZrO2 和SO2 - 4 TiO2 ,再将SO2 - 4 ZrO2 和SO2 - 4 TiO2 按一定质量比混合制成复合固体超强酸催化剂 ,用肌苷和乙酸酐为原料 ,在一定条件下进行催化酯化反应 ,可使 1,2 ,3,5 O 四乙酰 β D 呋喃核糖的收率达到 84 .6% .     

~(147)Nd高能组分β跃迁的研究

本文利用中间成象β谱仪研究了~(147)Nd的最大能量为896keV和804keV的两组β衰变。基态β跃迁(896keV)是唯一型一级禁戒跃迁,到~(147)Pm第一激发态的804keVβ跃迁为具有非容许型描绘的非唯一型一级禁戒跃迁,在C(W)=k(1+aW)表达式中的形状修正因子a=-0.24±0.04(m_0C~2)~(-1)。两组β衰变的强度比是S(896)/S(804)=0.0026±0.0010,基态β跃迁的分支比估计为(0.22±0.10)％。     

(CrO_4)~(4-)的X_α研究

本文采用自旋极化的多重散射X_α方法,对Cr:Mg_2SiO_4晶体中(CrO_4)~4-的电子结构进行了计算,得到了该络离子的能级结构.计算中对Cr-O距离的影响作了研究.     

氧化铝自溶液中吸附Cro_4~(2-)特性研究

用不同浓度的H_2SO_4,NaOH处理Al_2O_3制取pH为4.70-9.64的吸附剂,然后在25℃下进行了吸附试验,发现对CrO_4~(2-)的最大吸附发生在pH为6.90处,并在不同温度下进行吸附和吸附速度试验,用熵增加的概念解释了实验结果,并讨论了吸附机理。     

Nd_xBi_(2-x)Ti_4O_(11)体系的喇曼光谱及软模行为的研究

本文合成出了系列样品Nd_xBi_(2-x)Ti_4O_(11),得到了它们在常温常压下的溂曼光谱。实验结果表明,体系在x=0.3和1.2处经历了两次相变。且第一次相变与最低频声子模随Nd~(3+)的浓度x“软化”有关。