微测辐射热计阵列结构的制备

为了研究和优化二氧化钒(VO2)微测辐射热计的制备工艺,采用微电子机械系统(MEMS)体硅工艺制备了VO2微测辐射热计,经过研究和改进制备工艺,制得的微测辐射热计结构稳定,成品率高;经测试及计算,其响应率可达34.3 kV/W,探测率为1.2×10~8 cm·Hz~(1/2)/W,响应时间约为65.3 ms.此器件性能达到国内外同类器件水平.     

非致冷微测辐射热计阵列热像仪测温研究

根据热辐射理论与非致冷微测辐射热计阵列热像仪的成像原理,从理论上推导了其测温计算公式,研究了非致冷微测辐射热计阵列热像仪的测温标定方法,进行了测温实验,结果表明所提出公式的正确性及方法的可行性．     

二维微测辐射热计CMOS读出电路及计算机仿真

详细描述了二维微测辐射热计焦平面阵列CMOS读出电路的工作原理和电路结构设计,并通过计算机仿真验证了电路设计的正确性.     

非致冷微测辐射热计红外测温系统及实现

论述先进微测辐射热计红外测温系统的组成，该系统具有体积小、测温精度高、作用距离远、操作简便、工作时间长等特点，特别适应于设备的红外故障检测，对其性能进行了测试并对其测温结果进行了分析.     

带衬底温度补偿的微测辐射热计读出电路

非致冷微测辐射热计具有较大不均匀性,并且输出响应受衬底温度影响很大.提出的读出电路在读出信号的同时能够扩大探测阵列的允许衬底温度.电路采用多列像素共享容式跨阻放大器(CTIA)和DAC,用补偿暗像元扣除静态电流,校正数据经DAC转换送至MOS管的栅极以控制偏置电流达到温度补偿目的.该电路灵敏度高、动态范围大,对于128×128面阵可以达到30Hz以上的帧频,通过PSPICE仿真验证了该读出电路的可行性.     

非致冷微测辐射热计红外测温系统及实现

论述先进微测辐射热计红外测温系统的组成,该系统具有体积小,测温精度高,作用距离远,操作简便,工作时间长等特点,特别适用于设备的红外故障检测,对其性能进行了测试并对其测温结果进行了分析。     

非致冷微测辐射热计阵列热像仪测温研究

根据热辐射理论与非致冷微测辐射热计阵列热像仪的成像原理,从理论上推导了其测温计算公式,研究了非致冷微测辐射热计阵列热像仪的测温标定方法,进行了测温实验,结果表明所提出公式的正确性及方法的可行性．     

关于退火温度对VO2薄膜制备及其电学性质影响的研究

采用真空蒸发-真空退火工艺由V2O5粉末制备VO2薄膜,研究了退火温度对薄膜的影响.经XRD,XPS及电阻-温度测试发现,随退火温度的升高,VO2薄膜先后经历了单斜晶系VO2(B)型→单斜晶系VO2(A)型→四方晶系VO2的变化,在3种类型的薄膜中V均以V4+为主,且在VO2(A)型薄膜中V4+含量最高.薄膜电阻以退火温度460℃时为分界线,低于460℃时,VO2(B)型薄膜电阻和电阻温度系数随退火温度的升高而增大;高于460℃时,四方晶系VO2薄膜的电阻及其电阻温度系数随退火温度的升高呈现相反的趋势.     

电压偏置下考虑了自热效应的非致冷红外测辐射热计响应率的推导

非致冷红外测辐射热计是一种有源器件,工作时器件的自热效应不容忽略。从理论上推导出在电压偏置下考虑了自热效应的非致冷红外测辐射热计响应率的计算公式。     

DC反应磁控溅射制备VO2薄膜及XPS分析

文章通过改变玻璃基温度和靶基间距,采用m(O2)/m(A r)为1∶12.5,溅射功率为190 W,工作真空度为2.2 Pa,用DC磁控溅射法在玻璃基上沉积VO2薄膜,并经真空退火处理,制备的试样通过XPS测试分析薄膜表面的元素组成及成分。测试分析结果表明,基片温度在室温或超过350℃,易于生成VO2薄膜,真空退火可以显著改善制备薄膜的氧缺陷,提高V与O的化学计量比。     

退火条件对氧化钒薄膜电学性能的影响

文中采用射频反应溅射法制备氧化钒薄膜,并用三段式控温退火炉对薄膜进行快速升降温退火处理.文中重点就退火条件对氧化钒薄膜的电学性能的影响进行了研究.研究结果表明:退火时间和退火温度均对薄膜电学性能有较大影响,考虑到氧化钒薄膜热敏性能要求,兼顾微测辐射热计制备工艺(即微电子机械系统(简称MEMS)工艺)要求,退火时间约1～...     

磁控溅射制备的氧化钒薄膜的结构研究

用Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）,原子力显微镜（ＡＦＭ）和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）研究了磁控溅射制备的氧化钒薄膜的宏观、微观和电子学结构。建立了薄膜的相结构与ＸＰＳ谱中Ｖ２ｐ３／２特征峰的结合能之间的定量关系。给出了二氧化钒薄膜的ＡＦＭ像。所得到的二氧化钒热致变色薄膜的结构特性与光电特性相一致。     

掺杂对纳米ZnO薄膜结构的影响

采用真空蒸发法和热氧化制备纳米ZnO薄膜,分析掺杂对薄膜结构的影响。实验发现,掺入一定比例的In,可以得到沿c轴择优取向的纳米ZnO薄膜,薄膜结晶度有所下降,影响薄膜沿c轴的择优取向。掺Sb可以得到沿c轴择优取向的纳米ZnO薄膜掺。Bi可以改善结晶度,获得强烈沿c轴的择优取向的薄膜。实验发现随In含量的增加,薄膜晶粒尺寸逐渐减小,随Sb含量的增加,晶粒尺寸逐渐增加,而Bi含量的变化对晶粒尺寸基本没有影响。     

氧化钒薄膜的掺锆实验研究

以V2O5和Zr（NO3）4．5H2O为原料，采用无机溶胶-凝胶法制备了掺Zr^4＋的VOx（2≤X≤2．5）相变薄膜。通过对掺杂薄膜的物相组成、价态、相结构的XPS和XRD分析及电阻突变量级和电阻突变温度的测试，结果发现：所制备的掺杂薄膜其主要成分是VO2，所掺入的Zr与VOx完全互溶，但其中Zr的价态未发生改变。掺杂薄膜随Zr含量的增加其电阻突变温度下降．同时其电阻突变量级也随之降低。     

纳米结构V2O5薄膜的溶胶凝胶制备与特性研究

采用溶胶 -凝胶技术 ,以V2 O5粉末为原材料制备了纳米结构的V2 O5薄膜 .使用椭偏仪、X射线衍射仪(XRD)、红外分光光度计 (FTIR)、电化学分析、原子力显微镜 (AFM)等方法研究了V2 O5薄膜的特性 .实验结果表明 :薄膜具有纳米多孔结构 ;热处理使得薄膜致密 ,折射率提高 ,薄膜结晶 .红外吸收测量揭示了刚制备的薄膜中钒以 4价离子为主 ,高温热处理后形成 5价钒离子 ,相应出现了V2 O5特征吸收峰 .这种结构的薄膜具有很好的锂离子注入 /退出可逆性和很高的离子注入容量 ,可用作锂离子电池的高性能阴极材料 .     

TiO2薄膜光催化降解二氯乙酸和三氯乙酸水溶液

用常压化学气相沉积法镀TiO2薄膜,以紫外灯为光源,对二氯乙酸和三氯乙酸溶液进行光催化降解,并证实了此过程符合一级反应动力学方程。结果表明:卤代度以及不同的半导体化合物底物均对二氯乙酸和三氯乙酸溶液的降解有影响,卤代度低的二氯乙酸比卤代度高的三氯乙酸降解效果要好;同样条件下半导体的带隙能越低,降解效果越好。     

铁电薄膜的制备及其在器件中的应用

综述了铁电薄膜研究的新进展，分析了铁电薄膜不同制备方法的优缺点。重点介绍了铁电薄膜在铁电存储器及热释红外探测器方面的应用。指出了目前铁电薄膜及器件设计研究需要重点解决的一些问题。     

常温直流对靶溅射制备高TCR氧化钒薄膜

常温下用直流对靶磁控溅射的方法在玻璃基片上制备出了高电阻温度系数（TCR）氧化钒薄膜．通过设计正交试验，系统分析了Ar和O2的标准体积比、溅射功率、工作压强和热处理时间对氧化钒薄膜TCR的影响．对最佳工艺条件下制得的薄膜进行电阻温度特性测试，TCR达到-3．3％／K，室温方块电阻为28．5kΩ，个别样品的TCR达到-40%／K以上．扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）的形貌分析显示，这种制备方法结合适当的退火可以制备出氧化钒多晶薄膜，晶粒尺寸在纳米数量级．X射线光电子能谱（XPS）分析发现，高TCR薄膜样品中钒的总体价态接近＋4价．所有结果表明，制得的氧化钒薄膜电性能满足红外探测器的要求，且该工艺能与CMOS工艺兼容．     

退火条件对氧化钒薄膜微观结构的影响

采用直流对向靶磁控溅射的方法在SiO2／Si衬底上制备了具有（001）择优取向的V2O5薄膜，利用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜和四探针测试方法对退火前后薄膜的表面形貌、物相组分和电阻温度系数进行了测量．结果表明：200℃衬底温度下溅射得到的薄膜为多晶V2O5，膜表面颗粒呈细长针状，经700℃、1h退火后，薄膜中VO2相成分增多，颗粒变为长方形柱状；退火后薄膜的电阻温度系数达到-3.2％／K，与薄膜的微结构和物相组分有很大关系：3h退火后．得到高纯度的V2O5薄膜．     

TiN/AlN纳米混合膜的微结构及力学性能

通过双靶轮流反应溅射的工艺方法制备了ＴｉＮ／ＡｌＮ纳米混合膜．采用ＸＲＤ衍射、ＴＥＭ和显微硬度等测试方法对ＴｉＮ／ＡｌＮ纳米混合膜的微结构和力学性能进行了研究．结果表明,ＴｉＮ／ＡｌＮ纳米混合膜的晶粒大小为１０～２０ｎｍ;薄膜总体表现出硬度增强效果,在ＴｉＮ∶ＡｌＮ（体积比）≈１∶１时,薄膜硬度获得极大值ＨＫ３２．２５ＧＰａ．