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相似文献
 共查询到14条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
研究了一种二极管激光器泵浦的高光束质量的Tm,Ho:YAP激光器。选用中心输出波长为793.6 nm的二极管激光器作为泵浦源;c轴切割的Tm,Ho∶YAP晶体作为激光晶体,激光晶体中Tm3+掺杂浓度为5 at.%、Ho3+掺杂浓度为0.5 at.%,且采用液氮对激光增益介质进行制冷。在实验中,改变激光器的谐振腔参数及泵浦参数,Tm,Ho:YAP激光器获得了13.1 W的输出功率,相应的斜率效率和光光转换效率分别为40.9%和38.4%,输出波长为2 044 nm;选用刀口法对Tm,Ho:YAP激光器的光束质量进行了测量,获得激光光束质量的M2≈1.1。  相似文献   

2.
采用谐振腔内光束传输矩阵模拟的方法,对工作物质为Nd:CNGG晶体的谐振腔进行设计,考虑了Nd:CNGG晶体的热透镜效应,将Nd:CNGG晶体等效为薄透镜,利用Matlab软件进行了谐振腔内高斯光束的模拟.热透镜效应会对谐振腔的稳定性产生影响,并且影响输出激光的光束质量.热透镜效应严重时将破坏谐振腔的稳定性,使激光器无法输出激光.  相似文献   

3.
4.
报道用正电子湮没寿命谱学法研究在引上法生长Nd∶YAP单晶中引入的“浸泡”工艺对晶体质量的影响,证实了“浸泡”工艺可以改善晶体质量.  相似文献   

5.
掺钕钇铝石榴石是一种性能优异的激光晶体,它可以分别产生1.06μm、1.32μm等波长的激光.其中,1.32μm附近的激光在光纤通信、医疗等方面具有重要的应用.但是,由于高增益的1.06μm谱线的竞争,使得1.32μm难以形成激光振荡.  相似文献   

6.
利用激光谐振腔处于稳态时的速率方程导出了准三能级Nd:YAG 946nm起振时透射损耗与最佳激光晶体长度的关系,我们直观地给出了其计算机模拟,在与1064nm透射损耗相比较的基础上,形象给出了一系列情况下的最低镀膜要求(对这个问题系统、细致的讨论在以往的文献中还没有见过),并且计算机模拟了阈值、输出功率和它们各自相关量的关系,为设计室温下高效运转的946nm激光器提供了必要的理论数值参照.这种分析方法对此类低增益,准三能级或三能级系统有借鉴意义。  相似文献   

7.
利用化学气相沉积法(CVD)在Si(100)衬底上成功制备了掺镓ZnO微米棒.从场发射电子显微镜可看出具有六角棱柱形的棒长度约为70μm.能谱结果说明该样品中镓掺杂浓度较高.X射线衍射结果表明其具有六角纤锌矿结构.在背散射拉曼光谱中观测到由于镓掺杂而引起的63l cm~(-1)峰,同时没有发现与结构缺陷有关的E_1(LO)模,说明样品的晶体质量较高.利用变温光致发光研究了样品的光学性质,发现在室温时仍能观察到明显的中性施主束缚激子(D~0,X),表明Ga已经形成了稳定的施主能级.微米棒的生长遵循气-固原理.  相似文献   

8.
强脉冲电子束引发气相沉积过程的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
近年来,随着等离子体技术的迅速发展,等离子体化学气相沉积在微电子、超导、光纤通讯等新技术领域里被广泛用于材料表面改性,制备各种具有特殊性能的薄膜等.作者在这方面作了一些有意义的工作.本文将介绍一种类似于激光产生化学气相沉积的新手段,即在低压气体环境中,利用强脉冲电子束轰击靶物质,在衬底表面生成固体薄膜的实验结果,以及用AES,ESCA.电子显微镜等分析手段观察,探讨样品表面的化学组成和结构变化.  相似文献   

9.
利用声光调制器对He—Ne激光束进行调制,实现了激光对彩色全电视信号的大气传输。本文结合作者最近研制的实验样机,从原理上进行了简要的论述并对仪器进行了具体的介绍。  相似文献   

10.
作者就调Q-YAG激光诱导硅PIN结构二极管产生等离子体的理论和实验进行了研究,首次得到了激光诱导硅光二极管产生等离子体的M-Z干涉图及有关的计算结果。  相似文献   

11.
Marling等用多光子解离2,2-二氯-1,1,1——三氟乙烷(Freon 123)来分离氢同位素已作了仔细的研究[1].他们所使用的CO2激光器脉冲宽的主峰半高宽(Fullwidth athalf maximum)(简称脉宽)分别为2ns,12ns,80ns及100ns,发现富集系数随脉宽的增加而降低.  相似文献   

12.
激光照射后的大豆幼苗的生长,叶和根的生长均有促进作用,照射次数赵多,照射时间越长,效应越强,激光照射后12天的大豆幼苗子叶,上胚轴,下胚轴和根的过氧化物同工酶谱均发生了变化,并讨论了激光对大豆幼苗的生物学效应。  相似文献   

13.
热释光真伪测定是一个重要的考古技术.但是一些现代伪造的复制品已经对常规的热释光测定年代提出了挑战.本文叙述了α剂量热释光断代方法.由于α剂量不能伪造,所以这个方法是可靠的.本方法在模拟陶器碎片和古代砖头上进行实验,测量结果与真实情况符合良好.  相似文献   

14.
本文对干氧中Si热氧化的快速初始氧化提出了一种新模型.该模型既考虑了界面反应速率系数,又考虑了增强扩散效应对快速初始氧化的影响;避免了Schafer-Lyon的"氧化物内固定正电荷影响界面反应速率系数"模型所存在的问题;同工艺模拟程序SUPREM-Ⅲ中所用的薄氧化模型相比,具有较明确的物理意义;所用模型公式在形式上同线性-抛物线氧化模型公式相似,特别适用于VLSI CAD.另外,用本模型还可以解释为什么Si在湿氧气氛中没有快速初始氧化现象,以及为什么非掺杂多晶硅初始氧化速率比晶向的单晶硅还要快.  相似文献   

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