锗隧道二极管中的过剩电流

研究了深能级杂质 Au 和 Ni 对锗隧道二极背过剩电流的影响,在掺Au锗隧道二极管中,观察到明显的驼峰电流,而在掺 Ni 锗隧道二极管中只观察到指数过剩电流,用萨支唐解释掺 Au 硅隧道结伏安特性的方法对所得结果进行了解释。另外,还研究了普通隧道二极管中的过剩电流。     

砷化镓隧道二极管伏安特性的若干研究

本文报导了砷化镓隧道二极管的峰值电流I_p,谷值电流I_v,峰值电压V_p,谷值电压V_v四参数温度关系的实验结果;(温度取77°K、195°K、296°K、365°K等四个固定点)分析了砷化镓隧道二极管的反向伏安特性,分析表明:反向伏安特性可用Chynoweth等提出的内场发射电流表示式来描写;也初步分析了正向负阻区后较大偏压范围内的伏安特性.     

磁性隧道结电阻与电流驱动相关性分析

利用离子束高真空复合溅射装置置备具有Ta缓冲层和Ta/Te/Ta覆盖表面层的Fe/Al2O3/FeCo的磁性隧道结，在零磁场下观测隧道结电导和结电阻面积积（RA）与垂直射入隧道结平面的自旋极化发射电流的依赖关系，研究关系，研究发现，磁性隧道结的电导和RA的发射电流驱动效应取决于隧道结的物相成分，微结构和电流强度，在大驱动电流范围观测电到导特性不同的4个区域。     

超导电流的动量守恒与超导电子对隧道效应

讨论了稳恒电流的动量守恒现象,由此分析了直流约瑟夫森隧道效应。指出,描述约瑟夫森隧道效应的2个基本方程遵循稳恒电流动量守恒定律;约瑟夫森隧道结上的超导电子对质心定向运动速度比隧道结2侧超导体内的超导电子对质心定向运动速度大3个数量级：vS2～1 03 vS1;约瑟夫森隧道结上超导电子对的质心定向运动速度和动量很大的原因在于其运动遵循稳恒电流动量守恒定律;约瑟夫森隧道结上超导电子对质心定向运动速度可以达到费米速度的数量级、其定向运动动能可以达到费米能的数量级,从而使隧道结由超导态转变成正常态。     

隧道磁阻效应原理研究取得新进展

磁隧道结是磁随机存储器中的核心部件．寻找具有良好隧道磁阻效应的磁隧道结是制造性能优良的磁随机存储器的关键，是目前的研究热点之一．近年来，人们发现基于氧化镁绝缘层的磁隧道结在常温下具有非常巨大的隧道磁阻，大量的实验研究工作测出了相当多的试验数据．同时，一些研究组也做过相应的理论计算，但是计算结果与实验数据一直符合得不好．     

扫描隧道显微镜在隧道谱微观无损检测中的应用

用扫描隧道显微镜(STM)研究了三种样品扫描隧道谱.记录和分析了三种样品的隧道电流与偏压的相关变化关系的隧道谱谱学性质.结果三种样品的隧道谱重叠得很好,表明STM在隧道谱无损检测研究中有广泛的应用,也为STM在隧道谱学研究提供了实验基础和理论分析方法.     

CoFe/Al2O3/NiFe磁性隧道结的研究

利用离子束溅射技术制备了Ta/CoFe/Al2 O3 /NiFe磁性隧道结 ,研究了它的磁化曲线、磁电阻特性、伏安特性 ,发现它具有明显的巨磁电阻效应 .在研究电流与电压、电流与电阻特性中 ,发现了电流增大到 2 5 μA左右时隧道结呈现伪击穿现象的畸变输运行为 ,还分析了自旋相关散射对电流输运的影响     

锗隧道二极管的实验研制

一、引言隧道二极管在无线电技术领域中,显示了广泛应用的可能性。由于应用上对隧道二极管的基本参数提出了各种要求,因此,有必要探明控制隧道二极管基本特性的可能性。本工作根据隧道二极管的制备原理,为了满足应用上对电流峯谷比大、电压摆幅大和时间常数小的要求,寻找其制备的最佳条件,并在此过程中建立及查明其基本参数的可控制条件。我们是按合金法制备锗隧道二极管的,结合实验室具体情况,分别控制:底片浓度、合金成分、熔合温度三个因素中的任意二个,而改变其它一个。p-n 结     

磁性隧道结自旋极化电子隧穿的温度特性

基于自由电子模型，我们研究了铁磁金属／绝缘体（半导体）／铁磁金属隧道结自旋极化电子隧穿的温度特性。从我们的结论可以定性地解释有关的实验现象。     

约瑟夫森隧道结制作工艺的研究

本文研究了用热氧化法制作约瑟夫森隧道结工艺过程中氧气压力、湿度、氧化时间对隧道结性能的影响。在我们所使用的氧气压力２×１０－２乇—４００乇及氧化时间２分钟—１００分钟的范围内都可以得到典型的约瑟夫森隧道结，但氧气压力和氧化时间对临界电流及结的其他参量有明显影响。 约瑟夫森器件已有许多应用。而制结工艺是实际应用中首先要解决的问题，由于要的势叠层很薄（１０Ａ—３０Ａ），实际制作有很多困难。我们用热氧化法形成势叠，得到了较好的成品率。     

半敞开式隧道火灾的理论分析

为了研究隧道火灾的火羽流特性,验证半敞开式隧道采用自然通风模式下发生火灾时是否安全,在已建成的半敞开式隧道中设计并实施了全尺寸火灾试验,得到了半敞开式隧道火灾的烟气温度变化规律和烟气纵向蔓延数据.用OriginPro7.5软件对实验数据进行处理、拟合,得到隧道火灾烟气温度随着离开火源距离纵向衰减的规律;结合火灾动力学分析建立了预测烟气逆流距离的理论模型.根据隧道火灾实验结果与理论模型预测结果的对比,验证了所建理论模型的有效性.全尺寸火灾实验结果验证了李开源和H.Kurioka等人建立的隧道火羽流模型及其计算公式可以用于半敞开式隧道自然通风的研究.     

锗和砷化镓隧道二极管某些参数的温度关系

§1.引言隧道二极管峰值电流L_p,峰值电压V_p和結电容C等参数随温度变化規律的研究,在理論上及应用上都有一定的意义。理論上可以提供簡并半导体能带結构及簡并p-n結內电流傳輸机构的知識,实用上可以提供設計参数几乎不随温度变化的隧道二极管的資料。锗隧道二极管峰值电流与温度关系已发表了許多研究結果。总括起来,在4.2°K     

P型重掺杂硅薄膜及其在叠层电池隧道结中的应用

本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积出不同掺杂浓度的硅薄膜.利用原子力显微镜(AFM),IR和Raman散射等手段对硅薄膜的微结构进行了研究.通过测试薄膜的暗电导和激活能,对硅薄膜的电学特性进行了分析.为提高隧道结的复合速率,在隧道结的N层、P层之间插入不同掺杂浓度的硅薄膜做复合层,并测试了隧道结的电流-电压特性和透光性.实验结果表明:随着掺杂气体比例R(B2H6/SiH4)的增加,硅薄膜逐渐由微晶硅转变为非晶硅,薄膜的微结构和电学特性随之改变.隧道结复合层的最佳掺杂气体比例R=0.04,在该条件下的薄膜是含有少量品粒的非晶硅.使用该复合层的隧道结具有阻抗小、接近欧姆接触、光吸收少等优点.     

薄膜隧道结的交流约瑟夫逊效应的观测

利用交流约瑟夫逊效应可以精确地测定比值2e/h,本文描述了我们制作薄膜隧道结的过程,测量约氏效应的实验装置以及部分实验结果。     

磁性隧道结自旋极化电子隧穿的温度特性

基于自由电子模型，研究了铁磁金属／绝缘体（半导体）／铁磁金属（ＦＭ／Ｉ（Ｓ）／ＦＭ）隧道结自旋极化电子隧穿的温度特性。从结论可以定性地解释有关的实验现象。     

多声子隧道电流理论

Holonyak在硅的隧道二极管低温电流特性上观察到相应于发射两个声子的“阶梯”(在这偏压值有电流的陡增)。其后,Chynoweth等通过隧道电流对偏压的二次微商的测量更明显地证实在锗、硅中都有联系着多个声子的发射(或吸收)的隧道电流过程。他们的实验结果如下表,第二行是他们根据和声子频谱的比较而确定的所发射的声子的类型;第三行是声子的能量值;第四行是相对强弱。     

少子MIS隧道结发射极晶体管场感应结模型

对少于ＭＩＳ隧道结发射极晶体管提出一种场感应结模型，以此模型为基础，导出该器件的ｈＥＥ与金属功函数及基区掺杂浓度的关系，所得结果与实验数据符合较好。     

GaMnAs/AlAs/GaMnAs构成隧道结的隧道磁致电阻效应

铁磁半导体构成隧道结的研究是凝聚态领域中一个重要的研究方向.k·p模型在处理半导体异质结空穴传输问题时非常有效,利用k·p模型研究GaMnAs/AlAs/GaMnAs隧道结的磁致电阻效应,通过将k·p微扰与多能带量子传输边界相结合的新方法,给出自旋量子轴的转换矩阵.计算了各种空穴的透射系数随能量的变化以及隧道结的磁致电阻,讨论了隧道磁致电阻对自旋量子轴方向的依赖关系,并对计算结果进行了理论分析.     

科学新闻：利用第一原理计算Fe-MgO-Fe三层结构的隧道磁阻效应

寻找具有良好隧道磁阻效应的磁隧道结是制造性能优良磁随机存储器的关键。科学家发现基于氧化镁绝缘层的磁隧道结在常温下具有非常巨大的隧道磁阻,但是计算结果与实验数据一直符合得不好。加拿大McGill大学郭鸿研究组与中科院物理研究所胡亦斌、夏轲合作,运用郭鸿研究组开发的第一性原理输运计算方法和程序,对Fe-MgO-Fe三层结构中基于氧化镁绝缘层的磁隧道结在理论上进行了研究。研究结果表明,基于氧化镁绝缘层的磁隧道结确实     

SISIS结中的电子对隧道效应的某些详细的分析和计算结果

采用Feynman方法分析了超导体－弱连接－超导体－弱连接－超导体结构（SISIS结）中的电子对隧道效应，得到了描述该效应的基本方程组，当两个弱连接结区处于零电压状态时，忽略弱连接结区的电容和电感（如超导桥和点接触的情况），得到了该方程组的严格解。结果表明，在没有任何外部因素（如外电压、外磁场等）影响时，完全由于SISIS结内部的电子对隧道效应，在SISIS结中会出现交流电，这种交变电流用椭圆函数表示。本文给出了这些结论的详细分析和计算结果。通过进一步的讨论还指出，在SISIS结中，并不会伴随着这种用椭圆函数表示的振荡电流的出现而发出电磁辐射。