首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 60 毫秒
1.
超细NiB非晶态合金的结构及催化性能   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用XAFS、XRD和DTA技术研究了化学还原法制备的超细NiB非晶态合金的结构及退火晶化行为.结果表明,NiB非晶态合金的退火晶化分两步进行在598K形成晶态的Ni3B和纳米晶的Ni;652K退火导致Ni3B分解以及纳米晶Ni聚集.在623K退火处理后的NiB样品的苯加氢活性最高.活性组分的苯加氢催化性能高低顺序为纳米晶Ni>超细Ni-B非晶态合金>晶态Ni.超细Ni-B非晶态合金的活性中心主要为纳米晶的Ni和Ni富集的NiB非晶态.超细NiB非晶态合金催化剂在反应过程中失活的原因主要是纳米晶Ni的聚集和积碳而所导致活性表面降低.  相似文献   

2.
利用低温EXAFS和XANESD方法研究了晶态Se在机械球磨过程中的结构变化,结果显示在球磨过程中引入链状分子间的中程无序,破坏了分子间的结合,而分子内Se原子以共价键结合,不易被打破。  相似文献   

3.
为了研究淬火速度及Mn掺杂对纳米复合Nd-Fe-B磁性材料微结构的影响,利用XAFS技术对不同淬火速度的Nd9Fe84.5B6Mn0.5样品及退火和未退火的Nd9Fe84.5B6Mn0.5(x-0.5和1.0)样品,进行了Fe原子局域结构的分析。结果表明,纳为复合Nd9Fe84.5B6Mn0.5噘性材料随着淬火速度的增另,Fe原子的最近邻配位距离单上,而配位无序度的变化较为复杂。退火前,掺杂微量Mn原子进入磁体的Nd2Fe14B主相晶体结构,掺杂量不同对主相局域结构的影响有明显差异。退火后,Mn原子退出磁体的主相结构,进入晶界或产生富集,没有发现掺杂量不同对主相局域 结构的影响,但对整个磁体的磁性仍然有不同的影响。  相似文献   

4.
爆炸焊在块体非晶态合金制备中的应用研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
非晶态合金的初始状态多为粉末或薄条带 ,这样大大限制非晶合金的许多优异性能发挥以及在工业中应用 .所以研究块体非晶合金有其重大的理论和应用价值 .简单介绍了粉末冶金技术、固态反应、从液相中直接制取等技术 ,重点研究了爆炸焊接在非晶态条带直接复合中的应用  相似文献   

5.
利用原位XAFS技术研究了在273K下化学还原法制备Ni70B30纳米非晶态合金的升温晶化过程.结果表明,NiB初始样品中存在Ni和B原子的局部富集,Ni原子的局域结构类似于非晶态Ni,并且Ni原子第一近邻B原子的平均配位数只有0.7左右,远低于其化学计量比7:3应有的配位数3.6.在升温至498K时,部分NiB开始晶化生成fcc-Ni;在523~598K温度范围内,NiB晶化比例随着温度的升高呈线性增加;在温度高于598K时,NiB纳米非晶态合金的晶化基本完成.  相似文献   

6.
用化学还原法制备Co-Si-B粉末,采用X射线衍射(XRD)、差示扫描量热分析(DSC)、透射电镜(TEM)及X 射线光电子能谱(XPS)对粉末试样进行表征,结果证实所制备的粉末为非晶态纳米合金粉末.粉末组元除了以合金形态存在外,还有一部分是以氧化态存在的.Co元素的氧化仅仅发生在粉末表面,而且氧化比较轻微.粉末颗粒表面以下不同距离处的合金态B数量与氧化态B数量之比几乎为常数,约为1.2.合金态的Si在总Si量中的相对含量随距颗粒表面距离的增加而提高.  相似文献   

7.
利用原位XAFS技术研究了在273 K下化学还原法制备Ni70B30纳米非晶态合金的升温晶化过程.结果表明,NiB初始样品中存在Ni和B原子的局部富集,Ni原子的局域结构类似于非晶态Ni,并且Ni原子第一近邻B原子的平均配位数只有0.7左右,远低于其化学计量比7:3应有的配位数3.6.在升温至498 K时,部分NiB开始晶化生成fcc-Ni;在523~598 K温度范围内,NiB晶化比例随着温度的升高呈线性增加;在温度高于598 K时,NiB纳米非晶态合金的晶化基本完成.  相似文献   

8.
负载型Ni-B非晶态合金的制备及其催化加氢活性研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
通过化学还原沉积法将超细Ni B非晶态合金负载于介孔分子筛 (MCM 4 1,HMS)上 ,以丙烯腈加氢生成丙腈为目标反应 ,考察了上述催化剂的催化活性和热稳定性 ,并与Ni B/SiO2 和非负载型Ni B非晶态合金做了比较 .研究发现 ,上述 4种催化剂的催化活性依次为 :Ni B/MCM 4 1>Ni B/HMS >Ni B/SiO2 >Ni B .结合比表面测试 (BET) ,电感耦合等离子光谱 (ICP) ,X射线衍射 (XRD) ,差示扫描量热法 (DSC) ,选区电子衍射 (SAED)以及氢吸附等表征手段 ,发现高比表面和具有规整结构是Ni B/MCM 4 1具有较高活性的原因 .  相似文献   

9.
用动电位极化方法研究了3种不同化学镀工艺得到的Ni-P非晶态合金镀层,在1mol/1NaOH碱性介质中的阳极极化行为,并通过XPS分析了不同极化电位下的表面膜.结果表明:在所研究的体系中不存在随P增加阳极溶解电流下降的规律;尽管合金表面存在H_2PO_2~-和PO_4~-离子,但并没有有效地抑制Ni-P合金的阳极溶解。P的强烈的水化作用可能是导致非晶态Ni-P合金的阳极溶解电流比纯Ni更大的主要原因。  相似文献   

10.
测量了以氯化亚铁、次磷酸二氢钠为主盐的电镀Fe-P非晶态合金电解液的性能,包括阴极电流效率、镀液分散能力、覆盖能力和阴极极化曲线。研究了次磷酸二氯钠含量、镀液pH值、添加剂对镀液性能的影响。Fe~(2+)离子的氧化造成镀液不稳定是镀铁及铁合金的一个重要问题,对影响Fe~(2+)离子氧化的因素进行了试验。分析了镀层化学成分,确定了镀层结构,通过差热分析和硬度测量研究了镀层结构的转变。直流电镀所得Fe-P非晶态合金镀层很脆,用交直流迭加电流电镀可以使镀层韧性得到很大改善。  相似文献   

11.
采用铜模铸造法研究了Fe-Nd-Al系合金块状非晶的成分范围、合金元素对非晶形成能力的影响、Fe-Nd-Al系块状非晶的形成能力与约化晶化温度的关系.研究结果表明,Fe-Nd-Al系合金的非晶形成能力很强,成分在Fe50~42.5NdyAl7.5~17.5范围内能制得直径达2~3 mm的非晶棒材;添加B,Ni,Co,Y,Zr,Si,Ti替代部分Al可以提高合金的GFA;合金的Tx/Tm值愈高,非晶形成能力越强.  相似文献   

12.
设计了46个模拟非晶态合金SiC和ZrC的原子簇,在密度泛函理论(DFT)水平上,定义了原子簇的相对结合能RBE,依据RBE确定出平衡原子簇构型,并由此讨论了SiC增强剂的作用及SiC和ZrC相互转化的可能性.在平衡原子簇基础上更高精度的量子化学计算结果表明,Zr原子向C原子的电荷转移对ZrC层非晶态合金的稳定性有重要作用。  相似文献   

13.
XAFS Study on Solid State Amorphization of Alloys by Mechanical Alloying   总被引:2,自引:0,他引:2  
IntroductionMechanicalalloying(MA)ofelementalpowdermixtureandmechanicalmilling (MM )ofinter metallicpowderhavebeensuccessfullyemployedinrecentyearsasamethodforsynthesizingamor phousandnano crystallinealloys[1~ 3 ] .XAFSmethodwassuccessfullyusedforunderstandi…  相似文献   

14.
以碳为阻晶元素,利用磁控溅射方法获得非晶不锈钢薄膜。用X-射线衍射、透射电镜和动电位极化方法研究了碳含量与薄膜结构及耐蚀性的关系,并用AES和XPS分析了钝化膜成分。结果表明;碳含量对薄膜的结构和耐蚀性有显著影响;当碳含量超过6.2wt%时,薄膜转变为非晶态结构。  相似文献   

15.
大块非晶合金由于其在科学技术上的重要意义而广受关注.从大块非晶合金的发展历史出发,综述大块非晶合金形成的各种判据、特性、微观结构分析及其应用,并对今后发展的方向进行展望.  相似文献   

16.
近年来,Mg基非晶合金以低密度、高非晶形成能力等优点受到人们越来越多的关注。介绍了Mg基非晶合金的发展现状和现有的合金体系,综述了其力学性能的优势,指出了其应用过程中存在的问题。对其作为生物医用材料应用进行了探讨,并对今后发展进行了展望。  相似文献   

17.
本文研究Fe_(80)B_(20-x)Si_x(x=6,8,10,12)非晶态合金的退火脆性规律,给出了合金成分原料纯度,薄带厚度以及薄带表面状态对非晶态合金退火脆性的影响。铁基非晶态合金在低温退火过程中已明显变脆。这种退火脆性是由非晶态合金亚稳特性决定的结构弛豫所致。  相似文献   

18.
大块非晶合金力学性能研究进展   总被引:9,自引:0,他引:9  
对大块非晶合金力学性能研究领域的最新进展进行了综述,介绍了新型不同系列大块非晶合金的结构和成分特点,特别是与传统晶态合金相比,相同成分的大块非晶合金具有优异的力学性能,其弹性比拉伸断裂强压缩断裂强度、弯曲断裂强度、摆锤冲击断裂能、断裂韧性和弯曲疲劳强度均较高,同时,对此类合金的应用前景进行了简要评述。  相似文献   

19.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号