Mo2C膜表面粗糙度随温度和时间变化规律的研究

对以羰基金属气相沉积制备的Mo2 C膜表面粗糙度进行了测量 ;在测量基础上进行统计 ,找出了表面高度分布并确定表面粗糙度随时间和温度的变化规律 .结果表明 :Mo2 C膜表面粗糙化属快速粗糙化 ,粗糙度随时间的变化具有标度函数的特征 ;粗糙度随基底温度升高而增大     

Mo2C膜脱附激活能随沉积温度的变化规律

介绍了用金属有机气相沉积(MOCVD)制备Mo2C膜的过程和对膜的颗粒粒径的测量结果,建立物理模型,导出粒子脱附激活能的计算公式,探讨了Mo2C膜的脱附激活能随沉积温度的变化.结果表明:沉积温度低于380 ℃时,Mo2C膜的脱附激活能随温度升高而增大较快;而高于380 ℃时,激活能随温度升高而增大的速度变小.     

Mo2C膜电阻率的研究

介绍了Mo2C膜的制备过程和对其电阻率的测量结果，探索了其导电机理以及沉积时间、基底温度和生长过程对电阻率的影响。利用Gibbs函数极小的原理探索了膜中Mo原子的含量随温度的变化规律，并对电阻率随温度的变化规律给予了解释。结果表明：它的电阻率取决于生长过程和Mo原子的含量；电阻率随基底温度、沉积时间呈非线性变化。     

MOCVD制备的Mo2C膜粗糙度研究

介绍了金属有机气相沉积制备Ｍｏ２Ｃ膜的过程和对膜表面粗糙度的测量结果,在测量基础上进行统计,找出Ｍｏ２Ｃ膜的高差分布;应用非平衡统计理论导出表面高差分布公式,结果表明实际测量与理论推导结果一致。     

粗糙矩形平板挤压膜的表面粗糙度效应

提出了粗糙平板挤压膜的数值分析方法，研究了不同边长比 Ｌ／Ｂ时表面粗糙度幅值和纹向对矩形粗糙平板挤压膜挤压特性的影响，表面粗糙度幅值越大，流体膜的沉降速度就越快，从而缩短了流体膜的保持时间．反之，表面粗糙度幅值越小，流体膜保持性越好。表面粗糙度纹向对挤压特性的影响与边长比有关，就流体膜保持性而言，表面粗糙度存在最佳纹向，最佳纹向参数γｏｐｔ可按近似公式γｏｐｔ＝（Ｌ／Ｂ）４，５估计，但表面粗糙度纹向的影响要小于幅值的影响。     

Mo原子表面扩散激活能的计算及Mo2C膜成膜机理

应用Ｃｏｌｌｉｎｓ模型,计算了Ｍｏ原子表面扩散激活能。根据实验结果,论证了如下结论：在制备Ｍｏ２Ｃ膜的过程中,Ｍｏ（ＣＯ）６的变化遵从先被基底吸附,发生相变再进行级联式分解的两步机制;其成膜过程是Ｍｏ（ＣＯ）６先分解,再由Ｍｏ碳化为Ｍｏ２Ｃ成膜。用Ｇｉｂｂｓ函数最小的原理,探讨了成膜的适宜温度。     

高速高效低粗糙度磨削表面粗糙度和质量的试验研究

本文介绍了一种用普通砂轮和高速磨床进行高速高效低粗糙度磨削的新型超精密磨削加工技术。在大量的试验中对磨削表面粗糙度和质量进行系统地研究,并且获得了镜面(R_(zmin)=0. 048μm)。与传统的低速超精密磨削相比,采用这种新技术将会使磨削表面粗糙度大大降低和获得良好的表面质量。此外,也对其磨削机理进行了一定的探讨。     

氮离子注入对W6Mo5Cr4V2钢表面粗糙度的影响

运用Talysurf－6型轮廓仪,详细测量和分析了氮离子注入参数对W6Mo5Cr4V2钢二维和三维表面粗糙度评定参数（如高度参数Ra、Rq、Rtm,间距参数Sm、S、λq和形状参数Δq、Tp％、Rsk、Rku等）的影响结果表明,随注入能量和注入剂量的不同,各评定参数的变化趋势也不同氮离子注入使W6Mo5Cr4V2钢粗糙度高度参数值普遍下降,间距参数值有时增大、有时减小,出现不规则变化同时对不同注入参数的注入表面还进行了自相关函数和功率谱函数分析,发现随注入能量和剂量的提高,在所观察到的频带范围内,各种频率的强度普遍降低,高频成分减少,表面自相关系数减小,使注入试件的表面变得光洁.     

Cu纳米粒子化学势随粒径和温度变化规律研究

采用固体理论,导出粒子化学势的表示式.以Cu纳米粒子为例,研究了粒子化学势随粒子半径和温度的变化规律.结果表明:纳米粒子的化学势与粒子半径、原子相互作用势、温度等有关;球形纳米粒子的化学势要比平面块状金属的化学势要大,且粒子线度愈小,两者相差愈大;粒子的化学势随粒径的减小而增大.随温度升高而减小,但变化不显著.粒子线度对化学势随温度变化规律的影响很小.     

CVD方法制备Mo2C膜的化学反应机制和组分含量的热力学计算

报道了采用ＣＶＤ方法制备Ｍｏ２Ｃ膜的方法,在实验上证实了Ｍｏ２Ｃ膜的化学反应机制包括Ｍｏ（ＣＯ）６的分解和Ｍｏ的碳化两个过程,根据自由能极小原理对薄膜中各组分的含量与沉积温度的关系作了计算,计算值的变化趋势与测量值基本一致     

单层和多层Ehrlich-Schwoebel势垒对薄膜粗糙度随温度变化的影响

以Cu为原型,利用动力学蒙特卡洛(KMC)方法模拟了在一定的沉积速率下,单层、多层台阶Ehrlich-Schwoebel(ES)势及温度对成膜质量的影响.结果表明,在一定沉积速率和ES势垒下,薄膜的粗糙度在一定范围内随着温度的升高而降低,当多层ES势垒大于单层ES势垒时,此温度范围受单层ES势垒的影响,而与多层ES势垒关系不大;当单层ES势垒大于多层ES势垒时,多层ES势垒与粗糙度下降的起始温度密切相关,单层ES势垒与粗糙度趋于平稳的温度相关.     

金属离子对导电聚苯胺薄膜电阻-温度关系的影响

在含有不同金属盐的酸盐溶液中利用原位聚合法制备了一系列导电聚苯胺薄膜样品，测量并研究了不同样品的电阻随温度变化的关系。实验结果表明反应过程中金属离子的存在能够改善样品的电传输行为，表现为在金属盐酸盐的溶液中制备的样品具有更小的R60/R285和更低的TMOtt。     

退火温度对溅射氧化锌薄膜的影响

利用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了高度C轴择优取向的纳米氧化锌(ZnO)薄膜,采用扫描电子显微镜和X射线衍射仪研究了退火热处理温度对ZnO薄膜形貌、结构和内应力的影响规律.结果表明:热处理可以明显改善薄膜的结晶质量,薄膜的晶粒变得致密,尺寸也变得均匀;(002)衍射面的晶面间距和内应力均低于未经热处理的样品;当温度高于450℃以后,薄膜的致密度反而下降,部分晶粒异常长大,随着退火温度的逐渐升高,ZnO薄膜(002)衍射面的晶面间距和内应力先减小,到450℃达到最小值,后又逐渐增大,可见450℃热处理后,薄膜的表面形貌、结构和内应力均得到很大的改善.     

TiO_2薄膜的制备方法研究

通过对各种TiO2薄膜制备方法的对比,得到:磁控溅射法是目前制备TiO2薄膜的最佳方法;离子束溅射法和热解法尽管相关研究较少,但是值得进一步研究.     

基片温度对ZnO薄膜结构和发光性能的影响

采用对靶直流反应磁控溅射方法,在不同温度的Si (100)基片上制备了一系列的ZnO薄膜.利用X射线衍射仪和荧光分光分度计对ZnO薄膜的结构和发光性能进行了研究.结果表明:所有的ZnO薄膜都具有六角纤锌矿结构,且都表现出了(002)织构.随基片温度增加,ZnO薄膜结晶质量提高,其颗粒尺寸单调增加,并且薄膜应力状态发生改变,由压应力转变为拉应力.同时光致发光谱实验结果表明:室温沉积的ZnO薄膜出现了365 nm和389 nm的紫外双峰,并且出现了弱的蓝光发射带.随着基片温度升高到350℃,365 nm附近的紫外峰红移到373 nm,并且强度增强,而389 nm处的紫外峰强度明显减弱.当基片温度增加到500℃时,373 nm的发光峰强度减弱并蓝移到366 nm处,蓝光带强度减弱并红移到430 nm～475 nm处,并且出现了396 nm的近紫峰.     

温度对铁电薄膜极化反转的影响

基于Landau-Khalatnikov运动学方程,研究含有表面过渡层的铁电薄膜的极化反转性质与温度的依赖关系。研究结果表明温度的升高会降低铁电薄膜的平均极化,降低反转电流的峰值,并且缩短铁电薄膜的极化反转时间。     

不同温度下脉冲激光沉积LiCoO_2薄膜的微观结构和表面形貌

使用脉冲激光沉积技术,不同的衬底温度,在单晶Si(100)衬底上沉积了锂离子电池正极材料Li-CoO2的薄膜.用XRD对样品进行晶体结构分析,用SEM观察了样品的表面形貌.结果显示,衬底温度对LiCoO2薄膜的微观结构和表面形貌都有明显影响.在500℃以上的衬底温度下生长的样品结晶质量较好;晶体的颗粒尺寸随着温度的升高而增大.     

低温增强型非晶铟镓锌氧薄膜晶体管特性研究

在室温下利用射频磁控溅射沉积非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜作为有源沟道层,分别制备了顶栅和底栅结构的薄膜晶体管(a-IGZO-TFTs)原型器件,同时研究了沟道层生长参数及后退火工艺对器件特性的影响。研究及实验结果表明:当增加底栅结构a-IGZO-TFTs器件IGZO沟道层氧气流量时,器件输出特性由耗尽型转变为增强型;当沟道宽长比为120∶20时,获得了4.8×10~5的开关电流比,亚阈值摆幅为1.2V/dec,饱和迁移率达到11cm~2/(V·s)。沟道层氧气流量为2cm~3/min的底栅结构a-IGZO-TFT器件在大气中经过300℃退火30min后,器件由耗尽型转变为增强型,获得4×10~3的开关电流比。