复合氧化物晶体晶格能的近似计算

本文以 Born-Harb 循环为依据,推导了复合晶体晶格能和与其相应的各二元化合物晶体晶格能之间的关系,并由此给出了复合氧化物晶体晶格能近似计算的新公式。对20种复合氧化物晶体晶格能计算结果的分析表明:用本文所给公式对复合氧化物晶体晶格能进行近似计算是可行的。     

碱金属化合物晶格能计算的新方法

本文提出了一种碱金属化合物晶格能计算的新方法，对碱金属卤化物，硫化物，硫酸盐、硝酸盐等十九类82种化合物的计算结果表明，计算值与实验值的一致性令人满意，计算精度优于文献上已有方法。     

分子电负性距边连接性标量指数（∧）在金属卤化物的结构表达和性质预测中的应用

基于化合物分子的拓扑图结构建立的分子电负性距连接性指数（a novel scalar index of molecular electronegativity distance-edge connectivity,Imedc,∧），在对有机物的定量构效关系（QSAR／QSPR）研究中，具有高度选择性、相关性、稳定性和良好的预测能力；本文尝试将其扩展到无机物：以分子电负性距边连接性指数（Imedc,∧)实现对金属卤代化合物的结构性质的表征及相关研究。运用多元线性回归（MLR）方法，以此分子电负性距边连接性指数建立20个碱金属卤代化合物的晶格能（U）和34个过渡族金属卤代化合物的标准生成焓（△fH^θ）结构性质相关模型，对于碱金属卤代化合物的晶格能相关模型的相关系数为RMX=0.9732(n=20），对于过渡族金属卤代化合物的标准生成焓RMX=0.8907(n=34),取得令人满意的结果。     

晶格能和玻恩——哈伯循环及其在无机化学中的应用

本文中详细地介绍和讨论了晶格能、玻恩——哈伯循环及其在无机化学中的应用.玻恩——哈伯循环结合晶格能计算可用来求物种的电子亲合能和质子亲合能,离子化合物的生成焓和热化学半径。特别是它可用以指导无机合成。     

分子电负性距边连接性标量指数(∧)在金属卤化物的结构表达和性质预测中的应用

基于化合物分子的拓扑图结构建立的分子电负性距边连接性指数(a novel scalar index of molecular electron-egativity distsnce-edge connectivity,Imedc,∧),在对有机物的定量构效关系(QSAR/QSPR)研究中,具有高度选择性、相关性、稳定性和良好的预测能力;本文尝试将其扩展到无机物:以分子电负性距边连接性指数(Imedc,∧)实现对金属卤代化合物的结构性质的表征及相关研究.运用多元线性回归(MLR)方法,以此分子电负性距边连接性指数建立20个碱金属卤代化合物的晶格能(U)和34个过渡族金属卤代化合物的标准生成焓(△fHθ)结构性质相关模型,对于碱金属卤代化合物的晶格能相关模型的相关系数为RMX=0.973 2(n=20),对于过渡族金属卤代化合物的标准生成焓RMX=0.890 7(n=34),取得令人满意的结果.     

碱土金属化合物晶格能计算的新方法——离子贡献法

本文提出了一种计算碱土金属化合物品格能的新方法——离子贡献法。该方法只需本文提供的离子贡献值即可计算得到晶格能,而不需要任何实验数据。对碱土金属氧化物、卤化物、氢化物、氢氧化物、硫酸盐、碳酸盐、磷酸盐等十九类75种化合物的计算结果表明,计算值与实验值之间的一致性令人满意,计算结果的平均相对误差仅0.79%,小于目前已有的所有方法的计算误差。     

晶格能的理论计算

介绍了晶格能的实验测定方法,讨论了晶格能的理论计算方法     

晶格能计算方法的教学探讨

本文通过总结晶格能计算方法教学体会,对全国一些具有代表性的统编教材中计算晶格能的方法进行了比较,推荐一种简单、直观、易懂的计算方法。     

论陨石系列受晶格能控制的规律

利用计算方法求陨石的晶格能,从铁陨石、碳质球粒陨石、球粒陨石到无球粒陨石晶格能依次增高,陨石形成受晶格能控制并按晶格能由低到高的顺序出现,与地球上矿物和岩石结晶过程具有相同的晶格能控制规律。陨石晶格能系数与其平均克原子量,满足的函数关系。     

晶格能的理论计算

介绍了晶格能的实验测定方法,了晶格能的理论计算方法。     

晶格能与离子化合物的稳定性

讨论了各类离子型化合物的稳定性,从理论上分析了其稳定性与晶格能的关系。     

关于晶格能的计算

晶格能U是晶体最重要的性质之一。并且利用他还可以计算各种性质(例如电子亲和势)。在研究很多化学及物理过程时(特别是热化学过程)这个量是十分重要的。自Partington一书出版及Pritchard评论性文章发表以后,几年来又发表了一些有关计算晶格能U的文章。这就说明了研究者们力图寻找比较简单的计算晶格能的方法,并修正及充实最基本的晶格能数据。以下我们将对最近发表的工作作一简短的概述。提出方程式:     

晶格能与离子化合物的稳定性

讨论了各类离子型化合物的稳定性，从理论上分析了其稳定性与晶格能的关系。     

卤化物的稳定性

本文利用热力学原理，计算晶格能和自由能变，根据晶格能及自由能变来判断离子型卤化物的稳定性。     

过渡金属化合物的CNDO计算(Ⅰ)——某些络离子与原子簇的电子结构

本文研究了含过渡金属化合物的CNDO-SCF-MO理论方法。同时报导了作者使用自编的含过渡元素的CNDO计算的ALGOL语言程序计算一些络离子与原子簇化合物电子结构结果。     

细粒多晶金属流压系统的原子相互作用应力应变系关

引言离子晶格能的计算方法在教课书中是早已成型了的〔1〕,在已建立起的完整晶格能的计算方法的基础上,已得到相互作用能曲线,又由它可以计算出相互作用力,从而解释了一些现象,包括完整晶体的一些力学行为.本文要学习的问题,是由相互作用的角度来解决细粒多晶金属在均向压力或均向张力作用下的一切力学性质.至于离子晶格能的计算方法不能够原封不动地用于实际的多晶金属,细粒多晶金属一般视为是各向同性,而离子晶体的离子键是球对称的.因此本文作的分析,在性质上有些象离子晶体晶格能问题,但与此又大有区别:     

硅的类过渡金属配合物的量子化学研究

对类低配位过渡金属化合物SiL和SiL_2(L=CO,N_2)及夹心化合物SiCp_2和Si(C_5Me_5)_2进行了量子化学计算,讨论了其电子结构和化学键,并与过渡金属同类化合物进行了比较。     

三核锇羰基化合物的理论研究

研究对第3长周期过渡金属配合物最优的理论计算方法,预测有可能被实验合成的新三核锇羰基化合物的结构.采用3种密度泛函方法和2种有效核势基组对中性三核锇羰基化合物Os3(CO)n(n=12,11,10,9)进行理论计算,优化出18个稳定异构体.通过Os3(CO)12理论计算与实验数据的比较,说明MPW1PW91密度泛函方法与有效核势基组相结合,在预测第3长周期过渡金属羰基化合物分子构型和振动频率方面具有很好的可靠性.用该计算方法得到了不饱和三核锇羰基化合物Os3(CO)n(n=11,10,9)的优化结构,并与相应的铁羰基化合物进行了比较.     

稀土——过渡金属化合物的晶场参数计算公式的推导

利用点电荷模型的晶场理论,讨论了稀土——过渡金属化合物晶场参数的计算方法。区分了4f电子有效半径内外的电荷分布对晶场参数的贡献,指出在稀土——过渡金属化合物的磁晶各向异性的分析中,应该考虑正弦Stevens等效算符的贡献。     

晶格能和Born—Haber循环及其应用

离子晶体格能是相互分离的气态正负离子结合成一摩尔离子晶体时所释放出的能量。其理论计算涉及多种方法,本文试图进行讨论,并对某些实际应用进行归纳。 一、晶格能的计算 品格能是离子晶体中离子间结合力(离子键强度)大小的一个量度。晶格能越大,离子晶体越稳定。由于离子晶体是由正负离子靠静电引力相结合,假设离子是电荷被集中在球心处的点电荷,则可根据静电吸引理论计算。