14MeV中子（n，α）反应截面的系统学研究

在对实验数据分析、评价的基础上，研究了14MeV中子（n，α）反应截面的系统学特性，给出了截面的系统学公式σn，α＝（A1／3＋1）2αexp［β（N－Z＋1）／A］．利用给出的公式，计算了从139La到180Hf的中等和重质量核的14．7MeV中子的（n，α）截面，为聚变技术的研究提供了一定参考数据．     

13.5～14.8 MeV能区中子引起的~(203)Tl(n，2n)~(202)Tl反应截面的测量

用活化法以^93Nb（n，2n）^92mNb反应截面作为中子注量的标准测量了13．5—14．8MeV中子引起的^203Tl（n，2n）^202Tl的反应截面值．14MeV中子由T（d，n）^4He反应得到，中子能量通过^93Nb（n，2n）^92mNb和^90Zr（n，2n）^89m＋9Zr截面比法测定．测得了分别由（13．5±0．3），（14．1±0．2），（14．8±0．3）MeV中子引起的^230Tl（n，2n）^202Tl反应截面值分别为（1829±83），（1884±109），（2016±105）mb．并与其他人的测量结果和JEFF-3．1评价数据库进行了比较．     

14MeV中子(n,~3He)反应截面的系统学计算

对14MeV中子的(n,~3He)反应截面的系统学特性作了研究,并得列了反应截面随不对称参数(N—Z)/A的增加而缓慢下降的趋势.在对实验数据分析、评价和拟合的基础上给出了一套经验参数.利用导出的系统学经验公式计算了一些核素的(n,~3He)反应截面,与实验结果比较符合较好.最后讨论了(n,~3He)反应的机制.     

13.5～14.8 MeV能区中子引起的203T1(n,2n)202T1反应截面的测量

用活化法以93Nb(n,2n)92mNb反应截面作为中子注量的标准测量了13.5-14.8 MeV中子引起的203T1(n,2n)202T1的反应截面值.14MeV中子由T(d,n)4He反应得到,中子能量通过93Nb(n,2n)92mNb和90Zr(n,2n)89m gZr截面比法测定.测得了分别由(13.5±0.3),(14.1±0.2),(14±8±0.3)MeV中子引起的203T1(n,2n)202T1反应截面值分别为(1 829±83),(1 884±109),(2016±105)mb.并与其他人的测量结果和JEFF-3.1评价数据库进行了比较.     

14 MeV中子反应和远离核研究

指出了中子源的重要性,扼要地说明了加速器中子源的特点。简单地介绍了14MeV中子引起的核反应,发现了14MeV中子可以引起重核的奇异(n,2p)反应,并以此为基础,形成了合成和研究重丰中子新核素的一条物理思想和生成、分离鉴别技术路线;先后合成和研究了^185Hf、^237Th、^175Er和^197Os等四种重丰中子新核素。     

195Os衰变性质的观测

由14 MeV中子照射天然铂靶,通过^198Pt（n,α）反应产生^195Os.用γ（X）-γ符合方法搜索了^195Os的衰变γ射线,结果,没有找到可以属于它衰变的γ射线.     

Hf同位素新衰变γ射线的观测

利用14MeV中子轰击天然钨靶,通过^180,182,183,184,186W（n,2pxn）反应,产生铪的放射性同位素,以γ（X）谱学方法鉴别出铪,观测到了能量为75．2keV和88．7keV的2条新1射线,测定其半衰期为（3．6±0．6）min。     

250MeV以下能区中重核能谱和双微分截面的计算方法

给出了在中能区(≤250 MeV)多次粒子发射过程中计算6种出射轻粒子(n,P,a,d,t,3He)及各种 反冲核之能谱和双微分截面的方法.对p+208Pb反应给出了发射中子能谱和双微分截面的部分计算结果与实验数据的比较.     

14MeV快中子数字照相初步实验研究

14MeV快中子具有强穿透力,14MeV快中子照相技术适用于大尺寸金属外壳内部结构,尤其是内部含氢材料等的检测,在某些样品质量检测中是唯一可行的技术手段,在国内处于起步阶段．采用D．T加速器为中子源,用ZnS（Ag）和聚丙烯均匀混合材料研制了快中子荧光屏,耦合科学级CCD数字成像系统,在加速器中子产额为4．3×10^10～6．8×10^10n／s之间,进行了14MeV快中子数字照相技术的初步实验研究．在物屏距离1cm时获取了聚丙烯、ZnS（Ag）材料1：1和1：1．5配比转换屏1,2,3和4min的积分曝光图像,对荧光屏相对效率进行了测量;在源屏距离为30cm时,获取了多种样品的14MeV快中子照相图像,分析获得了系统点扩散函数和调制传递函数．实验分析揭示14MeV快中子照相对含氢材料和金属材料都有一定的检测能力,聚丙烯、ZnS（Ag）材料1：1配比转换屏的效率优于1：1．5配比转换屏的效率,分辨率可以达到1mm左右,为深入进行14MeV快中子照相技术及其应用研究奠定了基础．     

热中子俘获反应对相应的快中子(n,2n)反应截面测量的影响

以14 MeV快中子引起的52Cr(n, 2n)51Cr反应截面的测量为例,研究热中子俘获反应对相应的快中子(n,2n)反应截面测量的影响.为比较热中子俘获反应50Cr(n, γ)51Cr对相应的快中子52Cr(n, 2n)51Cr反应截面测量的影响,在对样品包镉和不包镉两种情况下,分别测量了14 MeV中子引起的52Cr(n,2n)51Cr反应截面.单能中子用T(d, n)4He反应获得,中子通量用监督反应93Nb(n, 2n)92mNb测量,而中子能量通过93 Nb(n, 2n) 92mNb和90Zr(n, 2n) 89m＋gZr截面比法测定.将本实验结果与尽可能收集到的其它作者发表的数据进行了比较.     

ST401塑料闪烁体中子探测效率刻度及相对发光产额的测定

作者在四川大学原子核科学技术研究所2.5MeV静电加速器上，利用^3H(p,n)^3Li和^2H(d,n)^3He核反应作为中子源，在0.6-5MeV中子能区内的5个中子能点，对直径为40mm，厚度分别为5mm,10mm和20mm的ST401塑料闪烁体的中子探测效率进行了刻度，并测定了相对发光产额。在实验中，中子注量是采用金活化法并用长计数器计数归一的方法确定的。     

从14MeV中子辐照过的锇靶中分离钨

用14MeV中子轰击天然锇靶,取道^192Os(n,α)反应生成^189W。利用改进的锇蒸馏装置蒸馏O8O4,完成锇与反应产物的分离;通过四苯砷铼沉淀除去铼。使用HPGe探测器测量了分离的钨样品的γ射线谱,该γ射线谱显示钨样品中杂质元素的去污是令人满意的。     

一个重要极限的推广、应用及快捷计算方法研究

在分析重要极限limn→∞（1 1/n)^n=e的6个基本特征基础上,给出了4个推广命题,指出了1^∞型极限的快捷计算方法,给出了该极限公式在金融领域的简单应用．     

14.8 MeV中子引起的172Yb(n,p)172Tm,173Yb(n,p)173Tm,170Yb(n,2n)169Yb和176Yb(n,2n)175Yb的核反应截面测量

用活化法以93Nb(n,2n)92mN反应截面为中子注量标准,然后对172Yb(n,p)172Tm,173Yb(n,P)173Tm,170Yb(n,2n)160Yb,176Yb(n,2n)175Yb的反应截面进行了测量,测得由(14.84±03)MeV中子引起的173Yb(n,p)172Tm的反应截面为(9.4±L0.9)mb,173Yb(n,p)173Tm的反应截面为(3.64±0.2)mb,170Yb(n,2n)169Yb的反应截面为(2 130±81)mb,176Yb(n,2n)175Yb的反应截面分别为(2169±81)mb.把测量的数据和其他作者的数据进行了比较,且利用HFTT程序计算了中子能量在7～18 MeV范围内两个(n,2n)反应和中子能区在5～30 MeV内两个(n,p)反应的截面,给出了这4个核反应的激发函数曲线.     

类氢离子基态,激发态的电子碰撞电离截面及系统学规律研究

利用扭典波玻恩交换（ＤＷＢＥ）近似方法对类氢离子Ｈｅ＾＋，Ｃ＾５＋，Ｏ＾７＋。Ｎａ＾１０＋，Ａｌ＾１２＋，Ｃｌ＾１６＋，Ｆｅ＾２５＋，Ｃｕ２８＋等离子的基态及激发态的电子碰撞电离截面进行了计算。在此基础上研究了电离截面随入射电子能量和靶电荷变化的系统学规律，首次对类氢等电子系离子给出了精度较高的电离截面拟合公式和相应的拟合参数，对于快速获得大量电离截面以满足一些高技术项目的需要有重要的实用意义。     

具有半对称度量ρ-联络的共形平坦Yamabe孤立子的特征

利用Riemann流形上的微分算子、 协变导数算子和Lie导数算子的性质及曲率张量场公式, 讨论在紧致条件下具有半对称度量ρ-联络的n(n>3)维共形平坦Yamabe孤立子的特征, 并给出具有该结构的Yamabe孤立子截面曲率为常数的一个充要条件. 结果表明, 具有该结构的Yamabe孤立子的截面曲率为常数-1, 孤立子常数为-n(n-1), 且孤立子场为Killing型向量场.     

对集不交的循环赛图K11^（i）与对集的算法

给出了边矩阵和循环赛图的定义。提出了求解完全图K（2n＋1）的△（G）＋1个对集最的算法，以及对集互交的循环赛图K11^（1），K11^（2），…，K11^（i）的构造方法。讨论任意对集Ei及循环图K（2n＋1）^＊的个数问题。介绍了14个对集不交的循环赛图K11^（1），K11^（2），…，K11^（14）的构造过程。     

基本不等式及其推广的一个共同证法

基本不等式及其推广的（1）n(a1^m a2^m … an^m)≥(a1^k a2^k … an^k）（a1^m-k a2^m-k … an^m-k)（2）（a1^2 a2^2 … an^2)(b1^2 b2^2 … bn^2)≥（a1b1 a2b2 … anbn)^2等的共同证法。     

关于正整数的六边形数补数

对于任意的正整数n,设a(n)表示n的六边形数补数,即a(n)是使n+a(n)为一六边形数m(2m-1)的最小的非负整数.运用初等方法研究了六边形数补数列{a(n)}的均值性质,并给出了它的两个渐近公式.     

Lehmer型同余式在多重调和级数上的推广

证明了若a为正整数且满足2na≤p-4,则∑ 1≤ll〈…ln≤p-1/2 1/ll^2a…ln^2a≡（-1）n＋1 1/n（1-1/2^2na＋1）2^2na 2na/2na＋1 Bp-a-1p（mod p^2）其中a=2a1＋…＋2an.推广了Lehmer关于幂次和的一类同余式,同时给出更多关于调和级数的同余式．