一种提高多孔硅发光稳定性的有效方法

报道了对多孔硅进行后处理的一种新方法,即真空中微波等离子体辅助的硫钝化处理,傅里叶变换红外谱表明,经处理的样品表面主要是被SiSx和SiOy所覆盖,与未经处理的样品相比,其发光强度增加约3．5倍,PL峰蓝移了40nm,而且在空气条件下存放60d后发光强度没有变化,表明这种方法是增加多孔硅发光强度和提高稳定性的有效方法之一。     

硅基/聚酰亚胺湿度敏感元件研究

硅基/聚酰亚胺湿度传感器是采用集成电路光刻工艺在硅衬底上制成了以PI材料为介质膜,以金、铝为电极的电容式湿度传感器。给出了聚酰亚胺(PI)材料的感湿机理,硅基/聚酰亚胺湿敏电容的结构,以及湿度传感器的制造工艺、湿敏特性、工作原理及应用等。测试结果表明,在相对湿度为10%-90%RH范围内C-%RH曲线线性度良好。     

硅基微电感的研究

阐述了一种在硅杯表面采用浓硼扩散区与镀金属膜形成的欧姆接触电极作为内引线的硅基电感的新制造方法,提出了在硅杯背面用激光器打孔以减薄衬底厚度,从而使电感的Q值得到提高的一种方案,并应用目前普遍采用的电感模型,利用Ansys有限元软件中的电磁分析模块模拟了电感几何参数与磁感应强度、电感值的关系。结果表明,该方法具有制造工艺简单、与IC工艺相兼容的优点,有广泛的应用领域。     

具有高水热稳定性有机-无机杂化中孔硅基材料的合成

以Y型沸石前驱体和不同的有机硅氧烷为硅源,合成了多种具有高水热稳定性的有机官能化中孔硅基材料,这些材料在100℃纯水中处理150 h后,能同时保持中孔结构和孔道表面上有机组分的稳定.Y型沸石前驱体可用廉价的反应物制备,提供了一条制备具有高水热稳定性有机官能化中孔硅基材料的低成本合成路线.     

锂离子电池硅基负极黏结剂研究:现状、挑战及展望

人们对锂离子电池的容量与寿命提出越来越高的要求.开发具有新型结构和优越性能的聚合物黏结剂,可有效提高电极在循环过程中的机械和电化学稳定性,最终助力实现高性能锂离子电池.本文通过阐述近年国内外围绕硅负极用黏结剂种类、特性及复合体系的研究成果,总结了黏结剂的组成及物化参数对电极电化学性能的影响规律,并展望硅负极黏结剂的发展...     

一种实用的数字时基校正器的设计

介绍了数字时基校正器的原理和基本组成。并使用SAA7111A作为视频信号采集器。设计了一种实用的数字时基校正器。     

硅基Si/Si0.65Ge0.35多量子阱APD响应特性的研究

以硅基材料为基底,外延生长20周期Si/Si_(0.65)Ge_(0.35)多量子阱结构的雪崩光电二极管(APD)探测器,分析了硅基量子阱结构的APD探测器能带对光子探测波长和响应灵敏度的影响。利用Silvaco TCAD进行工艺建模和光电性能仿真模拟。仿真结果表明,量子阱结构APD探测器响应峰值波长为0.95μm,探测响应截止波长为1.4μm,探测响应度提高了38%,实现了硅基APD探测器对微弱高频近红外光子的响应。     

一种采用I-nP帧模式的模型基图像编码器

简单回顾了模型基方法在图像编码中的应用与成果.根据应用中存在的一些问题,提出了一种新的模型基图像编码器.计算机模拟结果显示编码器性能较为理想.     

Ag(I)和KF共催化炔基硅与二醋酸碘苯的反应（英文）

在Ag(I)和KF共催化下,炔基硅与二醋酸碘苯在30℃反应,生成α-乙酰氧基酮,产率29%~78%.这是由炔基硅合成α-乙酰氧基酮的有效改进方法,具有操作简单和反应条件温和的特点.     

一种基于改进径向基神经网络的人脸图像识别方法

常用于径向基神经网络中心参数学习的K-均值聚类算法,易受初始参数选取的影响而收敛于局部极小值.将自动终止聚类判据的减聚类算法用于径向基网络的学习,可根据样本集确定径向基函数数目,且其计算量与数据点的数目与考虑问题的维数无关,很适合于人脸这种维数较高的模式.实验证明,应用这种算法训练径向基神经网络识别人脸,从识别精度到识别速度上都优于传统算法.     

硼离子注入对硅基Si3N4薄膜驻极体性质的影响及力学性能的改善

利用硼离子B⁺注入方法来改善Si₃N₄薄膜的力学性质,并就B⁺注入对Si₃N₄薄膜驻极体性质的影响进行了较为系统的研究.实验结果表明,B⁺注入能够有效地降低薄膜的内应力,而对薄膜的驻极体性质有不利的影响;用化学表面修正能够在一定程度上提高材料的抗恶劣环境能力。     

硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心和密度的确定

报道通过表面电位测量和C-V分析来确定硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心及电荷密度的方法。它包括两个非破坏性的测量;首先,通过补偿法测量驻体薄膜自由面的表面电位,然后在样品表面蒸镀金属电极,形成MIS结构,进行电容--电压（C-V）测试,由此得到驻极体薄膜和硅界面的电位。电荷重心和电荷密度可通过计算得出。同时利用这一方法确定了硅基Si3N4/SiO2双层驻极体薄膜中的平均电荷重点,发现电荷重心强烈地依赖于电晕充电以后的老化温度,经过400℃下老化20min,常温正电晕充电驻极体的电荷重心已从近自由面迁移至Si3N4,和SiO2界面附近。     

硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心和密度的确定

报道通过表面电位测量和C V分析来确定硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心及电荷密度的方法.它包括两个非破坏性的测量首先,通过补偿法测量驻极体薄膜自由面的表面电位,然后在样品表面蒸镀金属电极,形成MIS结构,进行电容电压(C V)测试,由此得到驻极体薄膜和硅界面的电位.电荷重心和电荷密度可通过计算得出.同时利用这一方法确定了硅基Si3N4/SiO2双层驻极体薄膜中的平均电荷重心,发现电荷重心强烈地依赖于电晕充电以后的老化温度,经过400℃下老化20min,常温正电晕充电驻极体的电荷重心已从近自由面迁移至Si3N4和SiO2界面附近.     

不同功率激光激发下多孔硅拉曼光谱研究

利用阳极氧化化学腐蚀法得到多孔硅样品,在632.8 nm激光激发下,对多孔硅的拉曼光谱随激光功率的变化进行了研究,分别得到了520cm-1和300 cm-1附近的拉曼光谱图.发现在520 cm-1附近,激光功率较低时,多孔硅的拉曼光谱主要表现为略低于520cm-1的尖锐单峰,随激光功率的增大,拉曼峰出现红移和不对称展宽...     

非晶硅薄膜太阳能电池结构中本征膜的初步研究

本文介绍在近代物理实验室现有设备的基础上,利用等离子刻蚀机改装为成膜主机,用射频辉光放电方法制备了本征非晶硅膜,并利用激光喇曼光谱仪等设备进行了初步分析。     

复合有机底物的化学振荡反应--L-苯丙氨酸-乙酸丁酯体系

本文报导了L-苯丙氨酸-乙酸丁酯为复合有机底物的化学振荡反应．     

插入空穴阻挡层改善有机电致蓝光器件的色度

本文采用插入空穴阻挡层的方法制备了性能较好的有机蓝光器件.器件的结构为：ITO/2T-NATA/NPB/DPVBi/TPBi/Alq3/LiF/Al,当2T-NATA,NPB,DPVBi,TPBi,Alq3,LiF的厚度分别为15、30、15、15、30、0.5nm时,器件的性能最好.在电流密度为508mA/cm^2时,最大亮度达到8461cd/m^2,在电流密度为13mA/cm^2,器件的最大效率为2.99cd/A.且在4～13V较大的范围内,发光色度几乎不随驱动电压或电流密度的改变而改变,稳定在x=0.16,y=0.12附近,是色纯度较好的蓝光器件.     

以白氨酸为有机底物的化学振荡反应

本文指导了以白氨酸为单一有机底物的振荡体系在硫酸介质中的化学振荡现象。     

基片温度对ZnO薄膜结构和发光性能的影响

采用对靶直流反应磁控溅射方法,在不同温度的Si（100）基片上制备了一系列的ZnO薄膜．利用X射线衍射仪和荧光分光分度计对ZnO薄膜的结构和发光性能进行了研究．结果表明：所有的ZnO薄膜都具有六角纤锌矿结构,且都表现出了（002）织构．随基片温度增加,ZnO薄膜结晶质量提高,其颗粒尺寸单调增加,并且薄膜应力状态发生改变,由压应力转变为拉应力．同时光致发光谱实验结果表明：室温沉积的ZnO薄膜出现了365nm和389nm的紫外双峰,并且出现了弱的蓝光发射带．随着基片温度升高到350℃,365nm附近的紫外峰红移到373nm,并且强度增强,而389nm处的紫外峰强度明显减弱．当基片温度增加到500℃时,373nm的发光峰强度减弱并蓝移到366nm处,蓝光带强度减弱并红移到430nm-475nm处,并且出现了396nm的近紫峰．