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本文阐述了硅单晶电阻率对硅功率器件温度特性的影响,指出了如何根据硅功率器的额定结温和反向不重复峰值电压两项指标正确、恰当选取硅单晶的电阻率,这对硅功率器件的设计,特别是对高温硅功率器件的设计是有重要意义的。 相似文献
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本文是根据晶体管的发射结偏压随温度变化的关系,来代换扩散硅压力传感器中利用扩散电阻进行温度补偿的原理和优越性。 相似文献
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简单介绍了信号处理过程中非线性转换的原理,并提供了一种简单实用的非线性补偿方法,该方法对生产实践具有指导意义. 相似文献
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采用微型机械电子系统技术制作出了具有高精度、高频响特点的耐高温硅隔离压阻力敏芯片.根据压阻力敏芯片的版图设计结构,基于弹性薄板小扰度弯曲理论计算分析了压阻力敏芯片的结构尺寸和固有频率.采用静电键合工艺将压阻力敏芯片封装在硼硅玻璃环上,形成倒杯式弹性敏感单元,通过有限元仿真分析了玻璃环对压阻力敏芯片性能的影响.根据温度实验数据及计算结果,得到压阻力敏芯片各温度点的热零点漂移的绝对值均小于0.02%FS·℃-1,说明该压阻力敏芯片的准确度等级优于0.1%FS·℃-1,且零点稳定性好. 相似文献
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针对由于光电耦合器中发光二极管和光敏三极管的伏安特性 ,在光耦隔离传输中存在非线性失真这一问题 ,设计了一种简单的非线性补偿电路 ,并介绍了它的工作原理 相似文献
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SOS压力传感器温度的补偿 总被引:3,自引:0,他引:3
分析了硅 蓝宝石(SOS)压力传感器的温度特性,表明测量范围较宽时,传感器的输出易受环境温度的影响,并且成非线性·提出一种基于神经网络共轭梯度算法的硅 蓝宝石压力传感器温度补偿方法·利用神经网络共轭梯度算法具有逼近任意非线性函数的特点,通过训练使神经网络建立在不同环境温度下传感器输出与其实际感受的电压值之间的非线性映射关系,实现硅 蓝宝石压力传感器温度补偿·计算机仿真表明,该方法不仅能有效地消除温度的影响,而且能在神经网络的输出端得到期望的线性输出· 相似文献
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基于RBF神经网络模型和SVM模型的压力传感器 总被引:1,自引:0,他引:1
压阻式压力传感器由于受环境温度影响会产生较大的温度漂移,测量精度明显降低,不利于其他依赖于压力数据的测控环节的工作。简要分析了当前常用的压力传感器温度补偿方法,然后采用RBF神经网络模型和支持向量机模型对压力传感器因温度变化所产生的非线性进行补偿。结果显示:传感器的温度漂移分别降低到0.6%F.S和0.5%F.S.,大大提高了压力传感器的性能和测量精度。最后,通过补偿结果的对比分析,讨论了两种算法的优劣性。 相似文献
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用双电桥法减小压力传感器输出的温度漂移 总被引:1,自引:0,他引:1
论述了温度对压力传感器输出灵敏度的影响,为了减小传感器输出的温度漂移,采用双惠斯登电桥方法,在300-373K的温度范围内对传感器进行测试,结果表明传感器输出的温度漂移可以降低70%以上。 相似文献
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由于压力传感器的物理特性,使它会产生零点热漂移,这种温度漂移在很大程度上会影响压力传感器的精度。因此,对零点热漂移的补偿就成为压力传感器的一个重要研究方向。本文从电路的角度分析了压力传感器产生零点热漂移的原因,为压力传感器进行温度补偿提供了理论基础,同时文章中也给出一些温度补偿的方法。 相似文献
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热激励谐振式硅微结构压力传感器 总被引:2,自引:0,他引:2
针对一种以矩形硅膜片为一次敏感元件、硅梁谐振子为二次敏感元件采用电阻热激励、压敏电阻拾振的谐振式压力微传感器 ,简述了其工作机理 ;从谐振式硅微传感器整体优化设计、闭环系统优化设计、微弱信号检测、敏感元件工艺实践、开环特性测试等方面介绍了该传感器研究与研制过程中近期取得的阶段性研究结果 相似文献
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压阻式压力传感器零点温漂补偿公式的推导 总被引:2,自引:0,他引:2
滕敏 《河南师范大学学报(自然科学版)》2011,39(1):101-103,112
导出一套压阻式压力传感器零点温漂的补偿公式.从电桥平衡出发,提出对电桥桥臂一串一并的十几种补偿方法归结为两种,从而简化了数学计算和补偿工作的繁杂性,并对导出的公式的使用方法,加以说明,理论和实验得到了较好的验证. 相似文献
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硅-兰宝石集成压力传感器是一种无隔离结的固态压阻式传感器,它具有耐高温,耐腐蚀,抗辐射等许多硅集成压力传感器所无法比拟的优点。本论文在简要分析了硅-兰宝石压力传感器原理的基础上,就宝石杯的加工,P型硅膜的外延,及敏感桥路制作的重要关键工艺进行了较详尽的探讨、分析,并分别给出了相应的解决方法。此外,还就传感器的结构设计进行了扼要的探讨,并予以解决。本论文为硅-兰宝石压力传感器的研制、开发、应用提供较全面的基础。 相似文献
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本文提出关于扩散硅压力传感器误差补偿的一种新方法,重点介绍该方法对零点温度漂移、灵敏度温度漂移以及非线性的补偿。 相似文献