加CdS薄层的白色有机电致发光器件色度的优化

文章讨论了利用蓝色磷光小分子铱配合物[iridium(III)bis-(4',6'-difluorophenylpyridinato)tetrakis(1-pyrazolyl)borate(Fir6)]与黄色荧光染料Rubrene复合发光产生白光的设想.通过引入CdS薄层而增加电子注入,利用结构为ITO/2-TNATA/NPB/Rubrene/CBP/CBP:Fir6/CBP/Bphen/CdS/LiF/Al的器件,通过增加激子阻挡层CBP,获得了色度较好的白色有机电致发光器件.当两层激子阻挡层CBP厚度均为3 nm时,电压从启亮电压3.4 V开始至9 V为止,器件的色坐标从(0.36,0.36)变化到(0.32,0.31),使器件的色度获得了很好的改善.     

喷墨打印制备全氟化离聚物掺杂空穴注入层有机发光二极管阵列

为了提升印刷器件的性能,从印刷OLED显示像素制备的需求角度出发,采用喷墨打印工艺在像素坑中精准沉积含全氟化离子交联聚合物掺杂的空穴注入层PEDOT∶PSS∶PFI来提高空穴注入效率,而后在其上蒸镀其他功能层得到OLED像素阵列器件。与喷墨打印制备的PEDOT∶PSS空穴注入层器件对比发现,含全氟化离子交联聚合物掺杂空穴注入层的器件具有较好的发光均匀性,器件最大亮度达到4 325 cd/m²,最大电流效率达到5.5 cd/A。研究结果为多层印刷OLED显示器件的制备积累经验。     

ZnO 空穴缓冲层对OLED 性能的影响

本文利用无机材料ZnO作为空穴缓冲层,制备了结构为ITO/ZnO/NPB/Alq3/Al的有机电致发光器件。用计算机控制的KEITHLEY2400-PR655系统测量器件的电压-电流-亮度特性。研究结果表明,当ZnO薄膜的厚度为2 nm时,器件的电流效率可达1.65 cd/A,最大亮度为3 449 cd/m2;而没有加入缓冲层的同类器件,最大亮度仅为869.7 cd/m2,最大电流效率为0.46 cd/A。由此可以看出,加入ZnO空穴缓冲层后,最大亮度提高3.97倍,最大电流效率提高3.59倍。分析认为适当厚度的ZnO薄膜降低了发光层空穴的浓度,提高了电子和空穴的复合率,从而降低了电流密度,提高了器件的电流效率,改善了器件性能。     

调整空穴注入层MeO-TAD厚度改善蓝色OLED的性能

主要介绍结构为MeO-TAD(xnm)/NPB(40nm)/DPVBi(30nm)/Alq(30nm)/LiF(0.5nm)/AL的蓝色有机电致发光器件,空穴注入层MeO-TAD的厚度x按照0nm、1.0nm、1.5nm、2.0nm变化,其它层保持不变.当x=2nm时,其器件性能最好,在15V时亮度达到最大,为5876cd/m2.器件的开启电压较低,在5V的驱动电压下亮度达到10.5cd/m2,器件在8V电压时电流效率达到最大,为3.22cd/A;且器件的色坐标稳定,在5V到13V的驱动电压下几乎不发生改变,稳定在x=0.17、y=0.18附近,属于很好的蓝光发射.     

利用双发光层结构提高N-BDAVBi掺杂器件的效率

制备了基于N-BDAVBi的高效率双发光层蓝色有机电致发光器件(OLED),器件中将蓝色荧光染料NBDAVBi作为客体发光材料分别掺入主体材料TCTA和TPBi中,器件结构为ITO/m-MTDATA(40 nm)/NPB(10nm)/TCTA:N-BDAVBi(15 nm)/TPBi:N-BDAVBi(15 nm)/TPBi(30 nm)/LiF(0.6 nm)/Al(150 nm),最大电流效率达到8.44 cd/A,CIE色坐标为(0.176,0.314),并且在12 V的电压下,亮度最大达到11 860 cd/m2,分别是单发光层结构器件的1.85倍和1.2倍.器件性能提高主要归因于双发光层扩大了载流子复合区域,主客体间的Forster能量转移.     

复合电子传输层结构非掺杂的蓝色有机荧光电致发光器件

采用TPBi/Alq3作为复合电子传输层,制备了发光层非掺杂结构的蓝色有机荧光电致发光器件.器件的最大电流效率为3.0 cd/A,对应的发光亮度为6 178 cd/m2,发光色坐标位于(0.167,0.161).器件的最大发光亮度为14 240 cd/m2.电压从6 V增加到14 V过程中,器件的色坐标变化量ΔCIExy仅为(0.001,0.002).通过插入的激子探测层研究发现,器件的激子形成区域主要位于DOPPP/TPBi界面处.     

利用CuI掺杂NPB结构增强有机磷光电致发光器件的空穴注入

增强空穴注入能力是提高有机电致发光器件(OLEDs)光电性能的一个重要因素.采用碱金属化合物Cu I掺杂NPB结构作为器件的空穴注入层,制备了空穴注入能力增强的有机磷光器件.当发光亮度为1 000 cd/m2时,器件的驱动电压为6. 44 V,相比于参考器件降低了约2. 11 V;器件的最大功率效率为7. 7 lm/W,相比于参考器件提高了约71%;器件的最大亮度达到41 570 cd/m2.上述实验结果表明,优化的Cu I:NPB结构有效促进了器件的空穴注入和传输能力,从而降低了驱动电压,提高了发光亮度,改善了功率效率.     

9,9’-bianthrancene为发光层的蓝色OLED的研究

报导了蓝色有机电致发光材料9,9'-联二蒽(9,9'-bianthracene,简称BA)作为发光层,研制了结构为ITO/PVK:TPD/BA/Alq3/Al的蓝色有机发光器件.对该器件的发光及电学性能进行了研究.启亮电压约为12 V,在24 V外加电压下亮度达到最大值2 433 cd/m2.     

在空穴传输层中掺杂F4-TCNQ提高绿色有机电致发光器件性能

研究了在空穴传输层2T-NATA中掺杂不同浓度的p型氧化剂F4-TCNQ制备高性能的绿色有机电致发光器件(OLED).F4-TCNQ在空穴传输层2T-NATA中的掺杂浓度为8%(质量百分比)时(驱动电压为22V),其亮度达到4256cd/m~2,同时与未掺杂的器件相比,其最大发光效率由2.9cd/A增大到3.4 cd/A.分析结果表明,OLED性能的改善主要归因于:首先,掺杂F4-TCNQ使得器件做到了欧姆接触,使消耗在ITO/空穴传输层界面的电压达到最小;其次,掺杂F4-TCNQ提高了载流子形成激子的几率,最终使器件性能得到了很大程度的改善.     

多发光层白光OLED的制备

通过对器件结构的优化设计,改善了白光有机电致发光器件的色度.该器件的结构为ITO/2T-NATA/NPBX/DPVBi/CBP:Ir(ppy)3/Alq3:DCJTB/BCP/Alq3/LiF/Al.当驱动电压为6 V时,器件的最大电流效率为5.94 cd/A.器件在驱动电压为19 V,电流密度为570 mA/cm2时,最大亮度达到13540 cd/m2,色坐标为(0.31,0.39).而且,当器件的亮度由数十cd/m2增大到最大亮度时,器件的色坐标稳定在(0.31,0.37)附近.     

基于N-BDAVBi的非掺杂高效蓝色OLEDs

采用真空蒸镀方法,制备了以N-BDAVBi为发光层的高效率非掺杂蓝色有机电致发光器件,器件的结构为ITO/2T-NATA(40 nm)/NPB( 10 nm)/N-BDAVBi( (3+d) nm)/ADN(7 nm)/N-BDAVBi( (3+d) nm)/ADN (7 nm)/Alq3 (30 nm)/LiF(0....     

Pure and stable white organic light-emitting device with an ultra-thin layer

Due to high brightness, low viewing angle, low driving voltage and short response time, organic light-emitting display is appraised as one of the most promising flat displays in the near future. Full-color technology is the bottle neck for industrializati…     

利用瞬态电致发光研究有机小分子发光器件中延迟荧光的发射机理

制备了两种基于Alq3的有机小分子发光器件,其结构分别为:ITO/NPB/Alq3/LiF/Al和ITO/NPB/Alq3:DCM/Alq3/LiF/Al.利用瞬态电致发光技术,研究了这两种发光器件中延迟荧光的发射机理.发现在Alq3的双层器件中,延迟荧光较弱,且主要是由电荷延迟注入所形成的单重态激子退激产生;而在Alq3:DCM染料掺杂器件中,延迟荧光较强.通过分析Alq3:DCM掺杂器件的延迟荧光对反偏压和脉冲偏压脉宽的依赖关系,进一步发现掺杂器件的延迟荧光主要来自于发光层中受陷电荷释放后的再复合过程以及DCM客体分子中的三重态-三重态激子淬灭(Triplet-Triplet Annihilation,TTA)过程.其中,TTA过程是Alq3:DCM掺杂器件中延迟荧光产生的主要机制.     

Electroluminescence and photoluminescence of dioctylfluorene and 4,7-dithien-2-yl-2,1,3-benzothiadiazole copolymers

Dioctylfluorene (DOF) and 4,7-dithien-2-yl- 2,1,3-benzothiadiazole (DB T) copolymers synthesized in our lab with different compositions of DBT (1%, 5%, 15% and 25%) were utilized to fabricate bilayered light emitting diodes. Extern al quantum efficiency (QE) of the diode fabricated from the copolymer with 15% D BT content reaches 1.4% (ph/el), over 1.0 cd/A in luminance efficiency at the driving voltage of 4.2 V. The highest luminance can reach 3780 cd/m2 at 8.2 V. Devices emit a saturated red light centered at 675 nm with chromaticity coordinate changed from x = 0.66, y = 0.32 for PDOF-DBT1 (1% DBT) to x = 0.70, y = 0.28 for PDOF-DBT25 (25% DBT).     

Fabrication and spectra characteristics of high efficiency white organic light-emitting diodes with single emitting layer

High-efficiency white organic light-emitting devices with single emitting layer are demonstrated. N,N‘-diphenyI-N,N‘-bis(1,1‘-biphenyl)-4,4‘-diamine (NPB) is used as hole transport layer, while 4,7-diphenyl-l,10-phenan-throline (BPhen) as electron transport layer and 9,10-di-(2-naphthyl)-2-terbutyl-anthracene (TADN) doped with the fluorescent dye 4-(dicyanomethylene)-2-t-buty1-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl) (DCJTB) as single emissive layer. The effects of performance by the concentration of DCJTB and the thickness of emissive layer are studied. The device with a structure of indium tin oxide/NPB (50 nm)/TADN: 0.2% DCJTB (15 nm)/BPhen (40 nm)/Mg: Ag shows a maximum brightness of 11400 cd/m^2, a peak current efficiency of 5.6 cd/A and power efficiency of 4.1 Ira/W, while the low turn-on voltage of 3.1 V and the stability of the Commission International De L‘Eclairage coordinate. The spectra through color filter of the device are also studied.     

基于CBP掺杂DPIHQZn的有机电致黄光器件

采用锌金属配合物DPIHQZn((E)-2-(4-(4,5-diphenyl-1H-imidazol-2-yl)styryl)quinolin-Zinc),将其掺杂到CBP中作为黄光发射层,制备了黄色有机电致发光器件(OLED),器件结构:ITO/2T-NATA(20 nm)/CBP:x wt.%DPIHQZn(30 nm)/Alq3(40 nm)/LiF(0.5 nm)/Al,研究了4种不同掺杂浓度(x=5,10,15,20)对黄光器件性能的影响,利用黄光发射层中主体材料与客体材料之间能量转移特性,得到了性能较好的有机电致黄光器件.在相同条件下,当掺杂浓度为15%时,其性能在4组器件中达到最佳,在驱动电压为14 V时呈黄光发射,器件最大亮度达到4 261 cd/m2,最大电流效率为0.84 cd/A,器件的色坐标稳定.     

Influences of fluorine auxochrome in fluorene molecular electroluminescent material on optoelectronic property

The UV-Vis absorption and photoluminescence （PL） spectra of 2,3-bis（9,9-dihexyl-9H-fluoren-2-yl） quinoxaline （Py）, 2,3-bis（9,9-dihexyl-9H-fluoren-2-yl）-6,7-difluoroquinoxaline （F2Py） and 2,3-bis（9,9- dihexyl-9H-fluoren-2-yl）-5,6,7,8-tetrafluoroquinoxaline （F4Py）, which are fluorene molecular derivatives with conjugated structure, were investigated. For further investigation of the influences of fluorine suxochrome in fluorene molecular electroluminescent material on optoelectronic property, the electroluminescence （EL） characteristics of materials were studied by double-layer organic light-emitting diodes （OLEDs） using N,N＇-Di-[（1-naphthalenyl）-N,N＇-diphenyl]-（1,1＇-biphenyl）-4,4＇-diamine （NPB） as a hole transporting layer （HTL） with the conventional vacuum deposition method. The results showed that the absorption and PL spectra of materials in film state red shifted with fluorine substituenta increased in molecule configuration. The performance of OLEDs is as follows： at a bias voltage of 5 V, Py emitted a blue-green light at 508 nm with the Commission Internationale d＇Eclairage （ClE） coordinates of （0.23, 0.43） and full width at half maximum （FWHM） of 100 nm. The device had a turn-on voltage （defined as the drive voltage at the luminance of 1 cd/m^2） of 4.8 V, a luminance of 129 cd/m^2 with a current density of 59 mA/cm^2 at 10 V, and a maximum luminous efficiency of 0.18 lm/W at 5.4 V. F2Py and F4Py emitted a green light peaking at 544 nm and a yellow light at 570 nm at 5 V, with the CIE coordinates of （0.38, 0.56） and （0.44, 0.49）, and FWHM of 103 and 117 nm, respectively. The F2Py and F4Py devices had a turn-on voltage of 4 and 2 V, a luminance of 557 and 3300 cd/m^2 with a current density of 100 and 880 mA/cm^2 at 10 V, and a maximum luminous efficiency of 0.22 lm/W at 7.6 V and 0.53 lm/W at 2 V, respectively.     

新型双核铕配合物电致红光材料

合成并用元素分析、红外光谱和核磁表征了共振配合物EuY(DBM)4(Ma)phen2(C1)和Eu2(DBM)4(Ma)phen2(C2).用真空蒸镀组装了发光器件,其结构是:Al0.9:Ag0.1/Alq/Eu-complex/TPD/ITO.在18V电压和55 mA cm-2电流下,器件C1的最大发光亮度是342 cd m-2;在18V电压和57mAcm-2电流下,器件C2的最大发光亮度是267 cd.m-2.在18V电压和55 mA cm-2电流下,器件C1的最大发光亮度是342 cd m-2.C1的发光亮度比C2大,其原因是Y3 的配体吸收的能量通过马来酸根迁移给了Eu3 .