光晶格势阱中Bose-Einstein凝聚临界温度和凝聚比例

研究了光晶格势场中Bose-Einstein凝聚的临界温度和凝聚比率. 结果表明光晶格势场中临界温度可以用在一个晶格中的等效凝聚温度来表征. 结果可用于纯光阱囚禁的Bose-Einstein凝聚的临界温度和凝聚比例的快速计算. 对于一般势阱深度, 一个晶格中临界温度可以用等效临界温度来估算; q个晶格中的临界温度正比于q^-3/2; 对于深势阱, 任意q个晶格中的临界温度应为一个晶格中的临界温度. 提出了势阱深度或拉比频率的标准和每个晶格中装载的原子数目的极限.     

二维周期型势阱中激子极化激元玻色爱因斯坦凝聚态局域化研究

研究二维情况下受泵浦光激发和周期型势阱囚禁的激子极化激元系统.以冷原子体系为基础,根据含时变分法,由高斯型试探波函数和Euler-Lagrange方程得出高斯型稳定局域态宽度的条件,用虚时和实时演化方法对冷原子凝聚体动力学行为进行数值模拟.考虑到激子极化激元系统中泵浦、耗散和饱和增益项的影响,将研究推广到激子极化激元凝聚体系.研究二维周期型势阱的不同势阱周期对局域凝聚态行为的影响,并与相同条件下冷原子局域凝聚态进行比较;研究周期型势阱在激子极化激元凝聚态演化过程中的作用.在没有周期型势阱下,局域凝聚态仍然能够出现,势阱存在时能对局域凝聚态的密度分布进行修正.     

任意入射高斯波束对偏心球微粒辐射俘获力的理论分析

基于偏心球微粒对任意入射波束的散射以及离轴入射高斯波束对偏心球微粒辐射俘获力的理论研究,对高斯波束任意入射时的辐射俘获力进行了精确地计算与分析.给出了任意入射时偏心球微粒的辐射俘获力的理论表达式.理论退化到双层球微粒并与已有的理论结果进行对比,吻合很好.分析了辐射俘获力随内核半径、球心间距离、入射角度的变化关系;考虑波...     

对称三势阱玻色—爱因斯坦凝聚体的非线性效应

对对称三势阱中的玻色—爱因斯坦凝聚体系(BECs)在平均场近似下得到的非线性薛定谔方程进行数值模拟,得到在不同非线性作用c下,粒子在3个势阱中出现的几率密度和平均几率密度.结果表明,在弱相互作用下,粒子呈现约瑟夫(Josephson)振荡,在强相互作用下,粒子出现自囚禁,特别是当粒子相对势阱不对称放置时,振荡出现明显的...     

一维有限深方势阱中束缚态存在条件的求解

研究了处在中心对称的一维有限深方势阱中的运动粒子,通过求解定态薛定谔方程引入了一个在势阱内部连续的函数,进而利用连续性函数的零点定理对势阱中粒子存在一个或多个束缚态的条件进行了深入分析.结果表明,存在束缚态的数目与一维有限深方势阱的宽度、深度和粒子质量有关,在粒子质量一定的情况下,存在更多的束缚态要求更深的势阱宽度、深度.     

超冷玻色气体中的电磁感应透明

研究了超冷玻色气体中的电磁感应透明现象.利用平均场理论,考虑处于所有能级的原子被光势阱所囚禁,本文导出了系统的色散关系并计算了在超冷原子气体中传播的慢光的群速.     

囚禁有限unitary费米气体的压强与状态方程

目的研究非对称与球对称简谐势阱中有限unitary费米气体的压强与状态方程。方法运用分数不相容统计法。结果求出了非对称与球对称简谐势阱中有限unitary费米气体的压强张量以及压强与内能的关系,导出了球对称势阱中的状态方程并给出了低温强简并近似和高温弱简并近似。结论揭示了有限unitary费米气体系统压强的有限尺度效应,给出了有限尺度效应判据。指出了球对称简谐势阱中有限unitary费米气体的压强在空间3个方向上各向同性与非对称势阱中压强张量在空间3个方向各向异性的特征,阐明了非对称势阱中沿着势阱圆频率低的方向压强张量高,沿着势阱圆频率高的方向压强张量低的规律,揭示了压强张量在空间3个方向各向异性的物理本质。     

He-HCl势能模型对散射截面影响的比较研究

针对He-HCl碰撞体系的3种不同势能模型,采用公认的精确度较高的密耦(close-coupling)近似方法,分别计算了He-HCl体系的微分散射截面、分波散射截面和总截面;并对计算结果进行了比较及分析.研究表明:势能球平均零点能位置、势阱深度、排斥势的强度以及势能在势阱附近的方向性都对散射截面特别是激发截面有较大的影响.从而为根据散射截面准确地确定He-HCl碰撞体系的相互作用势提供了一种新方法.     

光晶格调制中的偶极物质波孤子

文章采用虚时间传播方法,研究了光晶格中势阱和缺陷在形成偶极物质波孤子中的作用.基孤子和偶极孤子都稳定地存在于晶格的中间位置.两种孤子的宽度都随着势阱深度的增加而急剧下降,并随着势阱深度超过某个阀值而趋向于一常数.增加系统的原子数目和增大势阱深度都可以让孤子更加稳定.我们还研究了缺陷对基孤子的影响.当缺陷的幅值超过某个临界值的时候,孤子被偏移晶格的中间位置,并且随着势阱的增大,缺陷的临界幅值也跟着增大,不过增大的幅度却逐渐减缓.     

科学家首次在太空中发现巴基球踪迹有助科学家解释在宇宙尘埃中已经探测到还无法解释的化学信号

加拿大科学家在茫茫太空中首次探查到了巴基球(buckyball)C60及C70的踪迹.新发现发表在7月23日出版的<科学>杂志上. 自从25年前C60偶然在实验室被发现后,科学家就认为,巴基球可能漂浮在宇宙中,但是,直到今天才真正捕捉到它. 天然的碳能够以多种形式存在,众所周知的是石墨和钻石,但还存在一种被称作"富勒烯"的第三种类型,其中,最常见的两种富勒烯是C60和C70.     

含氮的Fe-Mn-Si基合金共格界面能的理论计算

利用改进的离散点阵平面模型（MPLD），引入Smirnov的统计模型，将间隙原子和置换原子对界面能的贡献分开，可计算含有间隙原子的多元合金体系的共格界面能．含N（ωN〈0．5％）的Fe-Mn-Si基合金{111}fcc／／{0001}hcp共格界面能的计算结果表明，N增加合金的共格界面能。间隙原子增加了相界面的结合强度．置换原子对界面能的贡献随温度的上升而增加，而间隙原子的贡献与之相反，两者综合的结果是共格界面能随温度上升而增加．间隙原子C对共格界面能的影响程度大于N，原因是C、N同置换原子的交互作用不同．     

氢原子n=4能级的斯塔克效应

利用微扰论,精确求解了氢原子在无外场时n=4的16重简并态能级波函数;并对处在电场中的氢原子n=4能级斯塔克效应进行了计算和分析.     

快速高温热退火对InGaNAs/GaAs量子阱的影响

从系统自由能角度,阐明了MBE生长的InGaNAs量子阱材料在高温热退火过程中的结构和物理性能的变化。在热退火时,In-Ga互扩散和N-As互扩散引起spinodal分解,N原子趋向于与In结合形成In-N键,使InGaNAs材料的带隙增加,从而引起PL谱峰值的蓝移。     

在Gramicidin膜通道中碱金属离子与多肽基团之间的相互作用

以Grimicidin A做为生物膜金属离子通道模型,在给定的通道结构参数条件下,用量子化学ASED-MO法研究了K~+,Na~+离子在通道内沿中心轴移动时,能量剖面,金属离子与肽骨架上各原子的相互作用规律。发现(1)Na~+离子在通道中总能量的下降较K~+离子情况的低,但受到周围的排斥作用较前者大;(2)金属离子与通道上原子的排斥能在中间区域表现为小波动变化,与前人结论是一致的。着重分析骨架原子的净电荷分布及其受金属离子的影响,讨论了金属离子与骨架原子排斥能周期性变化的原因。     

分子动力学研究SiC材料中的辐照损伤过程

利用分子动力学方法模拟了SiC材料的辐照损伤过程,对缺陷的产生规律以及电子能损的影响进行了研究。模拟中,SiC原子之间的作用势采用Tersoff经验势,入射离子采用了10keV的Si和200keV的Au。在200keV的Au原子入射的情况下,利用iontrack模型考虑了电子能损的效应。结果表明电子能损的影响主要体现在级联碰撞过程中移位原子的峰值的增大,对系统稳定后最后的缺陷数量影响不明显,缺陷对个数与核能损仍然保持幂函数的关系。     

超导体二硼化镁电子结构和掺杂研究

利用基于密度泛函理论(DFT)的线性缀加平面波方法(LAPW)对多频带双能隙超导体二硼化镁进行电子结构研究,研究了二硼化镁的电子能带图、态密度(DOS)和电荷密度.对二硼化镁进行电子掺杂和空穴掺杂,分别用铝原子代替镁原子,碳原子代替硼原子,对其能带和电荷密度的改变进行探讨.     

Ni-Mo四近邻作用能对Ni75Al14Mo11合金沉淀行为影响的微观相场

基于微观扩散方程,采用微观离散格点相场法研究Ni-Mo原子间四近邻相互作用能对Ni75Al14Mo11合金沉淀过程微观机制的影响。通过原子尺度的结构演化图、表征浓度和有序度的成分序参数和长程序参数分析沉淀相的有序化、簇聚、镍原子反向析出及粗化行为等。研究结果表明:最近邻、第三近邻原子间作用能增大,可促进沉淀相的簇聚及有序化,但抑制后期镍基原子团簇的反向析出及粗化;次近邻、第四近邻原子间作用能增大的影响则与之相反;在相同条件下,外层作用能对沉淀相的有序化和簇聚影响最大。     

奇异原子能级与光学模型势

为进一步研究K^-介子原子和∑^-超子原子2类奇异原子中的相互作用和能量问题,基于二阶线性偏微分方程的差分数值解法求解了Klein-Gordon方程和Dirac方程,得到K介子原子和∑-超子原子的相应能级．其结果与实验数据的最大误差分别仅为-0．051％和0．035％,这表明光学模型势应用于奇异原予能级计算能够提高理论结果的准确性．此结果连同π^-原子、P原子的情况支持了Batty光学模型势在奇异原子中应用的正确性,进而表明核子间的强相互作用力为排斥力．     

被动型氢原子钟储存泡口原子分布计算及应用

为了获得被动型氢原子钟高、低能态氢原子经四极磁选态器偏转后在储存泡口的分布规律,建立了更加贴近实际情况的分布模型.利用统计学方法,一定温度下的氢原子出射速度采用麦克斯韦分布,出射角度近似采用均匀分布,并结合氢原子在四极磁选态系统中的运动规律,通过数值计算得到了距四极磁选态器出口一定距离处高、低能态氢原子的三维分布密度.应用该分布模型,计算得到收集高能态氢原子的泡口优化半径与聚焦距离之间的关系,为储存泡的加工和聚焦距离的设计提供了依据,可以使得高能态原子被最大程度聚集,低能态原子被偏离,从而提高谐振腔内跃迁信号的功率.