交流等离子体显示屏任意驱动波形壁电荷测量方法

为了解决交流等离子体显示屏 (ACPDP)在任意驱动波形下壁电荷测量的难题 ,提出了一种新的测量ACPDP显示屏壁电荷的方法 .该方法采用ACPDP显示屏中几何结构完全相同的 2组放电单元 ,分别串联 2个完全相同的电容器构成测量电路和参考电路 .测量电路包含的放电单元在常规驱动电压下能够放电 ,参考电路包含的放电单元在常规驱动电压下不会放电 ,2个电路并联构成平衡电路以消除位移电流的影响 .对测量电路和参考电路施加相同的驱动波形 ,测量 2个串联电容器之间的电压差即可得到壁电荷的值 .采用该方法 ,对 3电极表面放电ACPDP显示屏壁电荷进行了实际测量 ,首次获得了准备期、寻址期和维持期的壁电荷波形 .该方法对于ACPDP驱动波形的设计和优化具有重要的科学意义和应用价值     

交流等离子体显示板寻址和维持放电的二维流体模拟

采用二维流体模型对表面放电型交流等离子体显示板的放电过程进行了数值模拟，放电气体为Ne 5%Xe(体积分数)混合气体，模拟时间包括寻址脉冲及其后一个维持脉冲。通过模拟，得到了放电过程中粒子密度和壁电荷等物理量随时间和空间的变化规律，结果与实际的物理过程相符合。计算结果表明，寻址放电产生的壁电荷在维持和扫描电极间形成的壁电压超过了150V，维持期间施加-170V电压可维持放电的继续进行。     

Ar/air介质阻挡放电丝的时空相关特性

采用特殊的水电极介质阻挡放电实验装置,测量了大气压下氩气和空气混合气体放电的击穿电压;利用光学方法测量了介质阻挡放电中放电丝的时空特性.发现随着空气体积分数的增加,击穿电压也随之升高,总光电流脉冲半宽度变窄,放电丝间的时空相关性变弱,放电丝的直径逐渐减小,亮度变暗.     

气体放电中几种四边形斑图的发光特性

采用双水电极装置,在大气压下介质阻挡放电系统中得到了3种不同的四边形斑图,为了明析它们的区别,对其中放电单元的发光特性进行了研究.结果表明:随着电压的升高,构成斑图的放电单元面积变大,其光信号经历了每电压半周期1次到2次再到多次的变化过程.分析表明,壁电荷在其中起到了重要的作用.     

铝衬底微等离子体阵列的制作与光电特性测量

在铝衬底上采用光刻工艺制作了带有氧化铟锡(ITO)透明电极的微等离子体阵列,实验研究了该微等离子体阵列在30～100 kPa氖气中的放电特性和发光特性.不同微腔尺寸的微等离子体阵列实验结果表明,对于微腔直径为150μm的器件,击穿电压随着工作气压的升高先下降后上升,并且在53.2 kPa时达到最小值212 V.通过对微腔直径为50μm和30μm器件的击穿电压比较发现,在气压较低时,微腔尺寸大的器件更容易击穿,当气压较高时,微腔尺寸小的器件更容易击穿,并且微腔尺寸小的器件随着气压的升高击穿电压下降得更快.与目前商业等离子体显示器件(PDP)的击穿电压相比,微腔器件的击穿电压更低,而且在高气压下,采用更小的微腔作为PDP的显示单元,可以提高PDP的分辨率.     

气体成分对等离子体斑图的影响

采用双水电极介质阻挡放电装置,在大气压下研究了氩气和空气混合气体中气体成分对等离子体斑图(包括四边形斑图和六边形斑图)的影响.四边形斑图和六边形斑图的电压范围随着空气含量的增加而逐渐增大.实验测量了击穿电压随空气含量变化的关系.结果发现:击穿电压随着空气含量的增加而增大,但不成简单的线性关系.在氩气放电中,击穿电压值随着放电间隙的增大而增大.     

介质阻挡放电中介质温度对放电时间特性的影响

在大气压氩气介质阻挡放电中,研究了不同电介质温度对放电时间特性的影响.实验发现当外加电压较低时,正负半周的放电时间波形没有明显的差别;而当外加电压较高时,正负半周的放电脉冲个数明显不同.分析表明,电介质温度可以改变其介电常数而影响壁电荷的积累,进而使放电特性发生改变.     

介质阻挡放电系统中狭缝边界内放电特性

利用双水电极介质阻挡放电装置,在空气和氩气的混合气体中,研究了狭缝边界内的放电特性.采用高速录像机对放电进行10μs曝光录像.通过观察高速录像机短曝光录像照片,发现此放电包含体放电和沿面放电2种放电形式.采用光电倍增管采集光信号发现,随着电压的升高体放电的放电次数逐渐增加.通过观察放电照片可知,电压升高放电丝平均间距也逐渐增大,经分析得出体放电位置处壁电荷积累量逐渐增大.     

静电防护用典型气体的放电特性及其机理

针对火炸药生产、存储、运输以及使用过程中的静电放电问题,为了寻找抑制静电放电电压过高的可行办法,对空气、二氧化碳、氦气在0、20、40℃3种温度条件下以及压强范围0.05～0.15 MPa之间的静电击穿特性展开研究,并计算对比了静电击穿能量。结果表明:随着气压的升高,3种气体的静电击穿电压随之升高,其中二氧化碳的静电放电电压在相同条件下最高,静电放电能量最大,氦气放电电压在3种气体中最低;随着温度的升高,3种气体的静电击穿电压随之下降,在40℃、0.05 MPa下,3种气体静电击穿电压达到最小,因此应选择低压、较高温度、低击穿场强气体的环境作为静电防护气氛环境。本文的研究结果可为火炸药生产过程中保护气氛环境的选择提供数据基础和理论支撑。     

脉冲叠加直流激励辉光放电特性

辉光放电产生的低温等离子体具有广泛的应用前景,日益成为研究热点。本文提出了一种采用脉冲叠加直流的方式来激励辉光放电的实验装置。选取氩气作为反应气体,本实验在低气压下进行,利用参数可调的高频脉冲电源和直流电源进行激励。研究了不同激励方式下击穿电压和电流的变化规律。实验发现：直流辉光放电击穿电压最低,约为380 V,但是在放电过程中放电管发热比较严重;脉冲辉光放电所需击穿电压为450～600 V,但其存在反复击穿;而脉冲叠加直流激励辉光放电则降低了脉冲击穿电压,最低约为400 V,且改善了放电管发热严重的问题。     

Franck－Kertz实验的讨论

本文讨论３Ｆ－Ｈ实验方案的设计思想，并选择适合的工作条件及合理的数据处理方法，使Ｆｒａｎｃｋ－Ｈｅｒｔｚ实验获得满意的实验结果。     

中性点不接地系统中几种电压不平衡现象的分析

主要通过对电压互感器接线的分析 ,查找出电压表错误反映的原因。     

割集电压与独立节点电压之间的关系

整个推导过程都是以现代网络场论中积分形式的两组独立方程组为源,没有依靠线图。文中介绍关联矩阵、独立割集矩阵的概念．据此得到支路电压,分别与割集电压、独立节点电压之间的关系式．推导出割集电压与独立节点电压之间的关系．同时还举出1个验证示例,以说明所得结论的正确性。     

论电压串联负反馈放大器放大系数的条件

本文推导了二级电压串联负反馈放大器电压放大倍数，指出了Kf＝1十Rf／Rel成立的条件，并提出了电路的改进措施     

双栅MOS场效应晶体管的短沟道效应

一引言早在1965年就由Ditrick,Mitchell和Dawson等人研制出世界上第一批具有实际应用价值的双栅MOS四极管,也称双栅MOS场效应晶体管,它具有频率高、噪声低、增益可控和工作稳定等特点。关于DG—MOSFET′S在我国正处于开发和研制阶段,笔者虽早已做出管芯并已发了有关文章。但对它的特性和应用还有待进一步深入研究,特别是对它的阈电压和击穿电压等随沟道长度的缩短而降低。这种现象和本质,即所谓短沟道效应,要进行深入研讨,以进一步扩大其应用领域。二短沟道效应 DG—MOSFET′S同SG-MOSFET′S一样,为了提高频率和开关特性,除增大g_(ms)/c_(gs)的比值、减小寄生电容c_(ps)等外,最有效的办法就是减小沟道长度L_1和L_2.当L_1和L_2减小到可以同它的源漏耗尽层厚度相比拟时,也会出现所谓短沟道效应(SCE),即阈电压V_(th)和击穿电压BV随L_1和     

倍压整流电路电容参数的优化设计

对两种常用倍压整流电路参数进行了优化。基于MULTISIM的倍压电路仿真结果表明，电容的功能和对输出的影响是不同的，可通过降低某一特定电容值来达到节约成本的目的。     

基于网压预测的并网换流器前馈控制

在换流器控制中,直接电压前馈被广泛用来抑制电网电压畸变.但系统中的延时环节导致前馈电压和实际电压并不同相,严重影响了电压畸变抑制效果.为了减小延时环节对直接电压前馈性能造成的影响,提高抑制电网电压畸变的能力,提出了基于网压预测的前馈控制方法.利用上一周波的电压采样值来预测PWM装载时刻的实际电压值,保证了前馈电压和实际电网电压较好的同相性.仿真和实验结果表明:采用预测电压进行前馈控制,将3、5、7、11次谐波电压抑制能力由94%、84%、72%、42%提高到99%、97%、94%和85%,提高了电网电压畸变时换流器的输出电流质量.     

同步发电机励磁系统在大扰动电压稳定中的作用分析

在大扰动电压稳定模型的基础上,通过典型系统计算,分析和比较了不同类型同步发电机励磁系统在电压稳定中的作用,从大扰动电压稳定角度对励磁系统类型和参数提出要求。     

电力系统静态电压稳定的三维分析与临界电压

从统一关联的角度,重新审视静态电压稳定的机理,并以图形的方式加以直观解释,获得静态电压稳定判据.通过三维图形分析,指出静态电压稳定是由电源侧特性与负荷侧特性共同决定的,各种二维平面分析可以统一到三维空间中.     

利用热电偶鉴别汽车配件

基于热电偶的基本工作原理,通过对自由电子运动规律的深入探讨,得出接触电势和单一导体温差电势的公式,并对其产生的同材料系数关系和同材质之间的关系进行了探讨,推导出热电偶回路的总电势.将待测材质的材料同已知材质的两种材料分别组成两个热电偶,并推导出总热电势.巧妙地利用两热电偶的比值,除去温度的影响,将其同单片计算机内预存参数相比较,确定出汽车配件的金属材质.