高功率线阵列激光器的模拟

本文通过高功率阵列半导体激光器的等效电路对线阵列进行了模拟计算。研究了各单元器件的不同参数的均匀性与其组成的阵列器件的参数的关系,从而从理论上给出了单元器件不同参数差异对阵列器件电导数参数的影响。为导数测试技术评价阵列半导体激光器的质量给出了理论指导。     

用于强功率半导体激光器的石英柱微透镜阵列

采用光刻热熔法及离子束溅射刻蚀制作面阵石英柱微透镜阵列,表面探针和扫描电子显微镜的测试表明,在不同的工艺条件下制成的柱微透镜的表面轮廓具有明显的差异,给出了描述柱微透镜制作 过程中的几个重要参量的拟合关系式。     

半导体激光器阵列发光面光束均匀度的特性测试

针对高功率的半导体激光器阵列,提出一种测试其发光端面均匀度特性(包括光强分布均匀度及光谱特性均匀度)的测试方法和测试系统.激光光束通过光纤传输后由光纤尾端的探测器或光谱仪接收用以获得测试点的光强或波长,利用电移台带动光纤扫描整个发光面得到发光面上每一点的光强或波长,从而获得其发光面光束均匀度特性.实验表明该方法和系统是可行的,可以作为评价半导体激光器阵列光束质量和性能的一种有效手段.     

高功率半导体激光器阵列远场光束特性研究

为研究高功率半导体激光器阵列(HLDA)远场光束分布和传输特性,基于亥姆霍兹方程的远场解,提出HLDA的远场分布模型.实验表明:测试数据与理论模型吻合很好,在95%能量分布区域内,HLDA理论模型拟合测量数据的误差小于5%.基于该理论模型,仿真分析了HLDA光束截面光强分布、传输中心轴光强分布、光束束宽等特性.     

提高半导体激光器可靠性的研究

半导体激光器广泛应用于高新技术领域,其可靠性是应用系统可靠性的关键。通过研究半导体激光器的可靠性及其规律．采用电导测试技术评价半导体激光器质量和可靠性,并在器件制造、器件筛选和器件使用三个环节提出新的提高半导体激光器可靠性的措施。     

高功率半导体激光器的电噪声

对高功率量子阱半导体激光器的爆破噪声和可能来自相 同缺陷源的产生复合噪声（g-r噪声）进行了研究. 实验结果表明, 如果老化电流远高于阈 值电流I_th, 爆破噪声和g-r噪声将会被引入, 甚至会出现多重g-r噪声. 通过 对比样品老化前后光电导数的特征参量发现, 老化后产生爆破噪声和g-r噪声的器件为失效 器件, 表明高功率量子阱半导体激光器在使用和老化过程中有时会伴有爆破噪声和g-r噪声 . 通过缺陷能级理论和p-n结势垒高度变化, 讨论了爆破噪声、 g-r噪声及多重g-r噪声 产生的原因.     

半导体激光器结电压饱和特性及其与器件可靠性的关系

本文讨论了半导体激光器的结电压饱和特性,并给出了其可靠性和结电压饱和特性关系的实验结果.     

高功率半导体激光器阵列及其应用

介绍了高功率半导体激光器阵列的国内外研究情况,概述了高功率半导体激光器研究中所面临的关键性技术问题———半导体激光器阵列条、高功率半导体激光器阵列的散热技术及其光耦合技术,指出降低半导体激光器的生产成本是提高我国国际竞争力的重要手段。     

外腔半导体激光器

本文利用传输线描述法,推导了复合外腔半导体激光器的振荡条件,详细分析了外腔半导体激光器的阈值特性、光谱特性、选模特性及线宽加强因子对光谱的影响,实验结果与理论分析一致。     

半导体激光器的电导数测试和可靠性分析

采用电导数测量技术,测量了质子轰击型GaAs/GaAlAs激光器的器件参数,探讨了这些参数与半导体激光器可靠性的关系.     

半导体激光系统整形棱镜的设计

本文根据半导体激光器的发光特性和棱镜的光学折射性质,提出了半导体激光系统中整形棱镜的设计和进行光束质量优化的方法.     

千瓦级连续激光二极管面阵电源的设计与实现

根据大功率激光二极管的伏安特性和运行要求,采用基本电子线路和基本电路分析方法,以可控硅作为功率器件,一种千瓦级连续激光二极管面阵的电源被研究和制作出来.这种电源功率大、恒流工作、稳压调节、恒流与稳压之间自动切换.此外,还具备过流保护、过压保护、浪涌抑制和接受外来信号自动切断等功能.实际的运行结果表明,该电源可靠、实用.     

激光二极管光束特性的研究

对激光二极管的光束特性进行了研究．基于二阶矩定义，对激光二极管光束的光束传输因子(M^2因子)、束宽、远场发散角和内禀像散不变量等光束特征参数作了理论推导和分析．激光二极管光束的光束特性与激光二极管运行时的多模模阶次和各阶模的权重因子成比例，模阶次越高或高阶模的权重越大，其光束质量越差．对激光二极管光束在自由空间中传输的模拟成像与实验结果相符．     

高功率激光二极管线性阵列光束特性的研究

该文对激光二极管线性阵列的光束特性进行了研究．基于二阶矩定义，对激光二极管线性阵列光束的光束质量(M＾2因子)、束宽、远场发散角和内禀像散不变量等光束特征参数作了理论推导和分析．对激光二极管线性阵列光束的近场光强分布的理论模拟与实验结果相符．     

复合棱镜整形半导体激光束

根据半导体激光束的特点，考虑到光学元件加工及光路调节的难易程度，提出用复合棱镜对半导体激光束进行整形     

半导体激光血管内照射对人体的免疫调节作用

报道了半导体激光血管内照射对人体外周血Ｔ淋巴细胞亚群及ＮＫ细胞的免疫调节作用，实验结果提示：在２３例患者中经波长６５０ｎｍ，功率５ｍＷ的半导体激光血管内照射治疗１次，５次和１０次的患者中，ＣＤ３＾＋细胞亚群的百分率与照射前（６３．６６％）比较，分别提高到６５．８６％，６９．９４％，７５．０４％；ＣＤ４＾＋Ｔ辅助细胞在第十次治疗后也有所增加，半导体激光血管内照射对ＮＫ细胞及ＣＤ４＾＋／ＣＤ８＾＋具有     

激光二极管阵列及其应用技术发展态势分析

随着激光技术的发展,高功率激光器逐渐引起研究者和市场的广泛关注,技术水平显著提高,应用领域不断扩展。激光二极管阵列及其应用是实现高功率化最基本和最有效的技术途径。研究以德温特专利索引（DII）数据库和INSPEC数据库为数据源,利用Thomson数据分析工具（TDA）,对2000—2007年发表的专利文献和科学论文进行了统计分析,从文献计量学的角度研究了激光二极管阵列及其应用技术领域的发展趋势、前沿进展、关键技术和研究热点。     

半导体激光器的激励源系统和温控系统

分析了半导体激光器的激励源系统和温控系统的设计原理,关于激励源,详细介绍了恒流源和软启动电路;在温控系统中,提出了采用恒流源来设定温度限的设计思想,最后分析了系统的试验结果。     

条宽对半导体激光器理想因子测量结果的影响

利用ORCAD计算机辅助电路分析软件分别对窄条和宽条激光二极管（LD）的理想因子进行仿真.   仿真和实验结果均表明,  侧向电流扩展导致窄条LD的实测理想因子较大,  而宽条LD电流限制能力的改善导致实测理想因子较小,  且更接近于本征理想因子值.   