“多晶硅还原电源系统”打破国外技术垄断

正四川英杰电气股份有限公司承担的2014年战略性新兴产品"多晶硅还原电源系统"项目采用了多晶硅还原炉电源系统的一体化解决方案,在原有多晶硅还原系统基础上研制出了精度更高、稳定性更好、硅材料生产成本更低等高性能的36对棒、40对棒、48对棒以及更大生产能力的多晶硅还原电源。项目创新     

中国：多晶硅生产技术打破国外垄断

河南洛阳中硅高科公司300吨多晶硅项目第一炉产品近日成功出炉，这标志着国外对我国多晶硅生产技术的封锁垄断已被打破。多晶硅是电子信息产业和太阳能光伏发电行业的最重要原料，长期以来，世界多晶硅制造技术主要由美国、日本、德国的七大公司垄断，我国电子信息产业和太阳能光伏发电行业处于受制于人的困境。     

改良西门子法生产多晶硅污染物排放调查

通过调查企业改良西门子法生产多晶硅所使用的原料、生产工艺、各污染物产生环节、污染物处置措施、处置设施及各种污染物的有组织排放浓度和厂界无组织排放浓度进行监测,对改良西门子法生产多晶硅排放的污染物进行了全面的调查.阐述了改良西门子法生产多晶硅排放的污染物种类及各种污染物达标排放情况.     

武汉将建中国最大多晶硅生产基地

在当今能源日趋紧张、环境压力日益增大的形势下。面对全球太阳能光伏产业蓬勃兴起．多晶硅的需求量与日俱增，武汉投资15亿元在当地循环经济工业园建设年产1500t的多晶硅生产基地。该项目建设一期为2年。建成达1500t产能后，预计年创产值30亿元，可成为湖北多晶硅产业“龙头”。     

浅谈多晶硅项目含氯硅烷介质换热器型式选择

多晶硅项目生产中,氯硅烷介质有毒,对人体眼和呼吸道粘膜有强烈刺激作用.且易燃,遇高热、明火或氧化剂接触,有引起燃烧爆炸的危险.所有在国内外多晶硅生产中,很多项目对一侧为氯硅烷介质,另一侧为水的换热器,选择了安全性比较高的双管板换热器,但从实际使用过程中情况来看,这种双管板换热器在换热管头或管头附近出现裂纹,最终导致设备失效,分析其事故产生的原因和气制造成本,此处选择单管板换热器代替双管板换热器切实可行.     

科技创新引领锦州市光伏产业实现新跨越

2006年以来，锦州市认真贯彻落实全国、全省科技大会精神，全面贯彻实施省委、省政府“五点一线”开发、开放战略，紧紧围绕锦州市委、市政府“打造锦州百亿光伏产业”等战略重点，以自主研发“低成本多晶硅新工艺技术”等关键技术攻关和“年产1000吨多晶硅生产线”等引进消化吸收再创新重大产业化项目为重点开展科技创新，进一步扩大了我市硅材料产业优势。     

纯STC球罐防腐绝热施工

该文主要是对江西赛维LDK高纯多晶硅材料生产项目,中国化学工程第三建设有限公司施工的纯STC球罐(8350-V-040A,B,C)防腐绝热施工的实践总结。STC为四氯化硅缩写,四氯化硅是生产多晶硅原材料,此3台球罐为储存四氯化硅容器。该文具体介绍了球罐在安装试压完成后,进行防腐、绝热工程的施工工艺程序、施工工艺方法、施工技术措施以及施工用材料。     

多孔硅多晶硅太阳电池研究

多晶硅太阳电池是目前世界光伏产业发展的重点,由于多晶硅不同的晶粒取向的差异,使传统的单晶硅绒面制备技术不能用于多晶硅太阳电池,多孔硅技术是适于多晶硅的廉价表面减反射膜技术,文章研究了多孔硅技术在多晶硅太阳电池中的应用,用化学腐蚀法制备了多孔硅,成功制备了效率达10＝72％多孔硅多晶硅太阳电池。     

兴建年产一千吨电子级多晶硅工厂的思考

文章简要评述了世界以及中国的电子级多晶硅的生产能力和市场需求。在2000年和2010年中国对多晶硅的需求分别是736t/a和1304t/a。但近几年中国的多晶硅生产仅达到80t/a，所以在中国建设一座年产1000t电子级多晶硅的工厂是很合理的。然而由最新统计数据可知，自1997年以来，世界多晶硅生产能力连年均超过市场需求，而且在最近的将来，这一趋势将会继续。为了占领国内多晶硅市场，未来的多晶硅工厂将面临挑战，产品质量和生产成本是应当考虑的最重要指标。为了占领国内市场，在保证多晶硅产品纯度的前提下，生产成本只能略微超过20美元/kg。     

多晶硅薄膜生长因素的分析

近些年来,多晶硅薄膜已广泛地应用在半导体器件上,例如大规模集成电路、太阳能电池等。尽管应用的如此广泛,但由干对多晶硅物理特性的了解尚不是十分充分,因而给器件生产带来一定的盲目性。因此,生长优质多晶硅薄膜并弄清楚生长过程中各个因素之间的关系,对研究多晶硅的物理特性是很有必要的。为此,对多晶硅的生长速率与淀积时间的关系、掺杂剂对多晶硅薄膜生长的影响、淀积温度对多晶硅薄膜生长的影响进行了研究和讨论。 采用常规的硅烷热分解化学气相淀积方法(APCVD)生长多晶硅薄膜,用 WDL-31光电温度计测量多晶硅薄膜淀积温度,用6JA…     

多晶硅与单晶硅的扩散比较

相同工艺下多晶硅和单晶硅的扩散结果区别非常明显，在扩散温度较低时，多晶硅扩散后的方块电阻大于相同条件下的扩散单晶硅；在扩散温度较高时，多晶硅扩散后的方块电阻小于单晶硅，文章从多晶硅的结构特点对此现象进行了解释。     

铝原子在多晶硅晶粒间界分凝的AES研究

多晶硅目前正广泛地应用于大规模集成电路、P-N结器件和太阳电池等领域之中,但是,由于多晶硅中存在着大量的晶粒间界,晶粒间界既是多数载流子输运的阻挡势垒,又是少数载流子的陷井和复合中心,所以,晶粒间界的存在严重地影响着多晶硅及其器件的电学特性。然而,有些掺杂原子在多晶硅晶粒间界的分凝会使多晶硅的物理和电学特性得到改善,并为找到降低和消除多晶硅晶粒间界的影响的方法指明方向。     

硅栅CMOS集成电路测试图形的研究

本文介绍了用于硅栅CMOSIC园片级工艺诊断和可靠性监控的微电子测试图形。重点论述了(1)用于检测漏、源及多晶硅薄层电阻和因扩散及腐蚀引起的横向变化量的组合结构,(2)用于监测CMOSIC动态参数的结构设计及其对工艺的评价。     

多晶硅薄膜晶体管晶粒间界的微观带隙能态及电学模型的研究进展

随着多晶硅薄膜晶体管技术的不断提高,其应用也日益广泛,特别是在有源液晶显示器,以及新一代有机发光显示器件等领域的应用极为迅速.对多晶硅薄膜晶体管的电学特性进行完整表征和模型研究,必须建立在准确的晶界带隙能态分布信息的基础上.本研究全面分析了多晶硅材料中晶界带隙能态分布的研究现状及数学模型,这是多晶硅薄膜晶体管建模的基础...     

硅栅CMOS集成电路测试图形的研究

本文介绍了用于硅栅CMOSIC园片级工艺诊断和可靠性监控的微电子测试图形。重点论述了(1)用于检测漏、源及多晶硅薄层电阻和因扩散及腐蚀引起的横向变化量的组合结构,(2)用于监测CMOSIC动态参数的结构设计及其对工艺的评价。     

多晶硅膜改善薄发射区晶闸管开通特性机理分析

本文通过建立发射区两区模型,对多晶硅膜改善薄发射区晶闸管开通特性的机理进行了分析,结果表明:基区注入的少子在多晶硅区运动受障碍导致等效薄发射极晶体管的电流增益提高;多晶硅膜的少子迁移率和寿命是提高电流增益的两个关键参数.管芯测试结果亦表明,由于多晶硅膜的作用,薄发射区晶闸管的开通特性并未因发射区很薄而受影响.     

硅烷热分解汽相淀积多晶硅

本文讨论了电荷耦合器件(CCD)的多晶薄膜的淀积,研究了多晶硅薄膜的掺杂,报导了以三氯化磷为淀积多晶硅薄膜的掺杂剂实验结果。文中还分析了多晶硅对CCD器件性能的影响。     

多晶硅生产副产物SiCl4合成高纯石英玻璃的方法

针对国内多晶硅生产副产物四氯化硅的消化处理,通过对多晶硅生产尾气冷凝液主要成分三氯氢硅和四氯化硅等组分和杂质的含量分析,提出了利用多晶硅生产副产物四氯化硅合成高纯石英玻璃的方法及其工艺条件.通过分析四氯化硅合成高纯石英玻璃的影响因素,针对性地提出了生产控制方法.对高纯石英玻璃材料的理化性能及应用进行了探讨,为多晶硅行业资源综合利用及增效减排,提供了切实可行的途径.     

多晶硅薄膜制备技术的研究进展

多晶硅薄膜是当前在能源科学和信息技术领域中广泛使用的功能材料,它兼具单晶硅和氢化非晶硅(a-Si:H)的优点.本文评论了近几年多晶硅薄膜制备技术的研究进展,着重讨论了每种方法薄膜的淀积机理,并预测了多晶硅薄膜制备技术的未来发展趋势.     

染色腐蚀法制备多晶硅的绒面

为了降低光的反射,应用染色腐蚀法制备多晶硅的绒面.对多晶硅的绒面进行了反射率和SEM形貌测量.在适当的腐蚀液中制备的3×3 cm2的多晶硅,其表面反射率在300～1 000nm波长范围为5.7%.这一结果可以和具有双层减反射膜的碱制备的多晶硅表面的反射率相比拟.