一种CMOS过热保护电路

提出了一种用于集成电路内部的过热保护电路。采用0.6цmn阱互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺的spectre仿真结果表明，此电路对因电源电压、工艺参数变化而引起的过热保护阈值点漂移有很强的抑制能力。通过引入反馈的方法解决了过热保护电路中热振荡带来的危害。     

一种CMOS四象限模拟乘法器电路结构

本文提出了一种CMOS四象限模拟乘法器的新电路结构。用SPICE—2G6电路模拟程序,并以MOS晶体管的第二类模型参数对所设计电路进行了模拟。模拟结果表明:当电源电压为±8V时,输入信号范围可达10V;在此范围内,对X方向和Y方向的平衡差动输入信号,电压传输特性的最大非线性误差分别为满度输出的0.81%和0.52%;对X方向和Y方向输入信号的-3 dB带宽分别为0～1.5MHz和0～0.6MHz;在0～1 MHz带宽内的输出噪声电压为1.51mV。     

低功耗CMOS集成电路设计方法的研究

目前，作为主流的集成电路设计工艺，已被广泛应用在集成电路的低功耗设计中。高性能、低功耗集成电路的设计方法已成为集成电路设计的一个焦点。本文主要研究了CMOS电路功耗设计的基本理论以及设计中的一些方法。     

一种低电源电压的CMOS四象限模拟乘法器

介绍了一种工作在低电源电压下的ＣＭＯＳ四象限模拟乘法器,为保证在较低的电源电压下较大的线性电压输入范围和较小的非线性失真,电路采用了特殊的设计。ＳＰＩＣＥ的模拟结果表明,在±２．５Ｖ电源电压下,线性输入范围大于±１．５Ｖ,在此范围内该电路的皮失真小于０．８％,－３ｄＢ带宽分别大于３．０ＭＨｚ和８．５ＭＨｚ,功小于１．４ｍＷ。     

基于CMOS电路的温度计的设计

<正>CMOS数字集成电路品种繁多,包括了各种门电路、编译码器、触发器、计数器和存贮器等上百种器件。1.常用特性(1)工作电源电压。常用的CMOS集成电路工作电压范围为3～18V(也有7～15V的,如国产的C000系列),因此使用该种器件时,电源电压灵活方便,甚至未加稳压的电源也可使用。(2)供电引脚。(3)输入阻抗高。CMOS电路的输入端均有保护二极管和串联电阻构成的保护电路,在正常工作范围内,保护二极管均处于反向偏置状态,直流输入     

CMOS参数保护的硬件措施

CMOS参数的恶意修改是机房管理的一大公害，本文提出了保护CMOS参数的两种硬件方法，给出了教学用机改进设计的具体措施。     

一种CMOS高线性度压控跨导运算放大器

利用ＭＯＳ管组合线性单元，设计一种ＣＭＯＳ跨导运算放大器，其线性补偿原理清晰，电路结构简单．ＳＰＩＣＥ模拟结果表明：在±５Ｖ电源及非线性误差小于１％条件下差模输入电压范围达８Ｖ（峰－峰值），－３ｄＢ带宽达１０ＭＨｚ，增益受片外电压控制，可以连续调节     

试谈CMOS信息的保护

ＣＭＯＳ参数是确保计算机正常运行的重要参数。如果参数设置不合适将造成整个微机无法正常使用。文章从纯软件方式探讨了ＣＭＯＳ的保护及加密问题。     

CMOS集成电路闩锁效应的形成机理和对抗措施研究

以反相器电路为例。介绍了CMOS集成电路的工艺结构；采用双端pnpn结结构模型，较为详细地分析了CMOS电路闩锁效应的形成机理；介绍了在电路版图级、工艺级和电路应用时如何采用各种有效的技术手段来避免、降低或消除闩锁的形成。这是CMOS集成电路得到广泛应用的根本保障。     

采用CMOS集成电路的63路呼叫信号系统

63路呼叫信号系统适用于医院、旅馆等服务行业,有广阔的潜在市场.本文阐述了该系统的技术性能,框图,工作原理以及提高可靠性所采取的重要措施.     

CMOS集成电路的一种成品率优化方法

利用各样本点ＰＳＰＩＣＥ模拟结果,结合秉参数抽样技术,提出了一种有效的集成电路成品率优化新方法,通过对ＣＭＯＳ集成运放的成品率优化证明了该方法的有效性和实用性。     

一种简单的CMOS过温保护电路

目的 对已有的过温保护电路进行分析,提出一种结构简单,功耗较低的过温保护电路.方法 引用峰值电流源作为启动电路,并尝试避免使用传统的迟滞比较器,采用了简单的结构实现比较功能.结果 实现了一种简单的过温保护电路的设计.结论 Hspice仿真结果 表明该电路可以实现过温保护.     

一种惯性导航计算机接口保护电路的设计

基于ESD保护原理及TVS二极管特性,设计一种惯性导航计算机串行接口的专用保护电路,对电路板的PCB布线及器件的布置提出了一些原则要求,并对此接口电路进行串口静电抗扰度试验.结果表明该保护电路具有一定的抗接触放电及空间放电能力,满足IEC 61000-4-2标准的要求,此串行接口具有热插拔功能.     

0.35 μm CMOS工艺实现的1.9 GHz上变频器

分析了利用深亚微米CMOS工艺进行了射频集成电路设计的方法,在此基础上设计出了采用标准0．35μmCMOS工艺的输出频率在1．9GHz的上变频器,它可以用在WCDMA发射／接收机中,整个设计利用SPICE软件和HP ADS软件进行电路和系统模拟模拟,模拟结果：三阶互调ⅢP为10dBm,转换增益大于10dB,。已经利用Cadence工具进行版图设计和验证,最后通过美国MOSIS工程流片,芯片面积大约为0．6mm^2,目前初步的性能测试已经完成,芯片混频效果良好,在单电源＋3．3V供电情况下,功耗小60mW,进一步的测试将在近期完成。     

一种用于高速激光回波信号处理的专用CMOS集成电路芯片

提出了一种用于激光回波信号处理的高速CMOS集成电路设计方案。该芯片主要采用了RGC跨阻放大器、MOS_L、改进型Cherry-Hooper宽带放大器级联等结构,组成了脉冲激光测距的接收通道。仿真得到了90 MHz带宽,134 dB.Ω增益的整体性能。在0.5μm CMOS标准工艺线上流片后,封装并进行了测试。测试结果表明该电路具有2.4 mV的均方根噪声和对短脉冲具有6 ns的响应延时。     

一种高阶温度补偿的CMOS带隙参考源

介绍了一种基于CSMC 0.5-μm 2P3M n-阱混合信号CMOS工艺的高阶温度补偿的带隙参考源。该CMOS带隙参考源利用了Buck电压转换单元和与温度无关的电流,提供了一种对基极-发射极电压V_BE的高阶温度补偿。它还采用共源共栅结构以提高电源抑制比。在5V电源电压下,温度变化范围为-20～100℃时,该带隙参考源的温度系数为5.6ppm/℃。当电源电压变化范围为4～6V时,带隙参考源输出电压的变化为0.4mV。     

CMOS集成运放的伸缩性版图设计

根据基本ＣＭＯＳ集成运算放大器的电路特点及设计指标，编制了ＰＳＰＩＣＥ电路通用分析源程序，由模拟结果推导出各模拟参量与其决定因素之间的关系，进而确定了由设计指标决定的版图几何尺寸和工艺参数，提出了伸缩性版图设计的思想，建立了从性能指标到版图设计的优化路径，为实现模拟集成电路版图的自动设计提供了初步的步骤和程序。     

用于高级CMOS技术的静电放电保护器与电路设计

当技术进入纳米范畴时，伴随着静电放电（ESD）保护电路而来的挑战变得日益复杂。为了克服纳米ESD挑战，人们必须了解在很高的电流密度、高温瞬变下半导体器件的行为。因此寻找在这特定技术中合适的ESD解决方案就必须从器件的层次上开始。     

电子通讯产品的ESD防护设计及方法浅析

本文介绍了ESD对电子通讯产品的危害,并从PCB的ESD防护设计、金属部件和金属外壳接插件的ESD防护设计、机壳的ESD防护设计和采用元器件的ESD防护设计四个方面详细讨论了电子通讯产品ESD防护设计的方法。     

集成CMOS限幅放大器的研究

提出了一种具有低通网络的高速放大器拓扑,基于增益带宽约束条件和低通网络的特性的研究对高速放大器进行了优化设计.此外,基于中芯国际集成电路公司提供的0.18μm器件模型、共面线的分布参数模型,文中分别研究了共面线的频变分布参数、负载电阻以及n沟道MOSFET的栅宽对放大器增益、带宽的影响,为高速限幅放大器的优化设计提供了理论指导和设计依据.