钛靶膜厚度对中子管性能的影响

采用热蒸发技术利用钼丝作为灯丝,将纯钛蒸发到陶瓷靶上,得到了钛靶,并研究了钛膜厚度对中子管产额等性能的影响.对3支靶膜厚度(0.8,2.2和6.1μm)的中子管进行了对比,发现钛膜厚度为2.2μm时,中子管的产额最高.同时比较了3支中子管的老练及稳定性.     

产生快中子的长寿命氚化钛靶

中子束诊断技术在先进制造业、炸药、走私吕检查、医疗和其它工业中都得到了广泛的应用。在轰击能量低的情况下，产生高通量快中子的最佳核反应是＾３Ｈ（ｄ，ｎ）＾４Ｈｅ，即ｄ－Ｔ反应。现在运用ｄ－Ｔ反应的中子发生器的寿命受轰击是氚气从靶上逐渐释出的限制。本文是一篇研究限制氚束粒子取代氚束粒子取代氚，从而防止氚气释放造成中子产额减少的工作进展报告。可以预计，利用固定在高氢热扩散率基片上，如铌基础上的薄氚钛靶，     

氚钛靶中氚浓度的变化

为研究中子管内钛膜中氚浓度逐渐减少的行为,分别对中子管内钛膜的氘氚置换反应与高温释氚两种行为进行深入研究.对局部混合模型下的氘氚置换方程进行修正添加了氘氚扩散项,采用有限元分析软件对氘氚置换方程进行数值解分析,并与未修正的氘氚置换方程进行分析比较.同时通过高温释氚实验,对不同温度下的氚钛膜释氚量进行研究.结果表明:未修...     

中子管靶面二次电子抑制

通过实验给中子发生器的靶的上方加一抑制电压 (负电压 ) ,使靶表面发射的二次电子受到抑制 ,从而使中子管达到更好的工作状态。     

用MCNPX计算ADS金属靶散裂中子产额及散裂源中子效率

为了分析加速器驱动系统（ADS）中质子束能量对金属靶散裂产生的中子产额及靶内中子能谱、靶表面的泄漏谱的影响,利用MCNPX对ADS的重金属铅靶、钨靶在不同能量的质子束轰击下的中子产额、中子能谱及靶表面的中子泄漏谱进行了模拟计算,与国际上其他研究机构的模拟结果进行了比较,结果相近.并对铅靶、钨靶的中子产额及泄漏谱进行比较,模拟结果是钨靶的中子产额较铅靶的中子产额大但中子泄漏谱计数较铅的小.结合MCNP5还对一个次临界基准体系中散裂源中子相对于裂变中子的效率进行了计算.     

C／O比测井用中子管的研制

报道了外型直径４８ｍｍ，长２００ｍｍ的圆柱型陶瓷体石油测井用中子管的研制．该管在２０ｋＨｚ的脉冲电压下工作正常，产额最高可达５×１０８ｎ／ｓ，寿命在２５０ｈ以上．     

氘-氘和氘-氚随钻中子孔隙度测井探测特性对比

为考察在随钻中子孔隙度测井中用氘-氘(D-D)脉冲源替代氘氚(D-T)源的可行性,利用蒙特卡罗模拟方法,对比分析使用两种脉冲源时测井仪器的热中子空间分布、零源距区域、地层孔隙度灵敏度以及探测深度等探测特性.研究结果表明,D-D与D-T源相比,虽然在水平或大斜度井段对地层界面的分辨能力稍低一点,但是两者的零源距区的上限值、近源距和探测深度都大致相等,且D-D源对地层孔隙度的灵敏度更高、使用时更安全,在随钻脉冲中子孔隙度测井中可以得到更好的使用.     

提高中子管稳定工作束流的措施

改进气压调节系统!采用自成靶,使中子管在自然冷却条件下稳定工作束流达800UA。D-D 反应中子产额可达10~7n/s,D-T 反应中子产额可达10~9n/s,使用寿命已超过500     

D-D中子源孔隙度测井的蒙特卡洛模拟

根据D-D反应中子的能谱和角分布数据,建立了D-D中子源模型.根据标准刻度井数据,建立了井模型.采用MCNP程序模拟了D-D中子在井中的输运,给出了热中子相对通量沿轴线的分布和孔隙度探测灵敏度随源距的变化,结果显示对D-D中子源,孔隙度测量零灵敏约在17 cm附近,探测器的适宜布置区间为25～60 cm.根据D-T反应中子和Am-Be中子源的能谱及角分布数据,建立了其中子源模型,通过MCNP模拟,研究了补偿法孔隙度测井时近远探测器中的热中子计数比值R及测量灵敏度S随孔隙度的变化,并与D-D中子源的模拟结果进行了比较,结果显示D-D源有更高的测量灵敏度和更高的中子利用率.     

基于蒙特卡罗方法的D-D中子发生器辐射防护研究

氘氘（D-D）中子发生器具有中子产额高,单色性好,可小型化等优势,因而在中子技术应用领域有着广阔的应用前景. D-D中子发生器产生的?2.5 MeV?中子由于穿透能力强以及穿过屏蔽层时产生二次γ射线因而难以屏蔽. 本课题旨在设计一个符合国家相关规定的D-D中子发生器辐射防护方案. 用蒙特卡罗程序模拟2.5 MeV中子以 1×108 n/s 通量穿过400 mm混凝土屏蔽墙时,工作人员所在监督区中子的最大周围剂量当量率为5.26 μSv/h,高于职业暴露剂量限值. 在此基础上,选用含硼高密度聚乙烯材料进行屏蔽加固. 蒙特卡罗模拟结果表明,屏蔽加固后监督区中子的最大周围剂量当量率为0.49 μSv/h,低于职业暴露剂量限值,其余各区域中子的周围剂量当量率也低于设计时要求的安全标准. 实验测量结果与蒙特卡罗模拟结果基本一致. 本文的研究结果为同类型D-D中子发生器的辐射防护提供了参考和借鉴.     

随钻D-T中子孔隙度测井低灵敏度和岩性影响校正方法研究

为了提高随钻氘-氚(D-T)中子孔隙度测井的测量精度,通过研究其在多种岩性、孔隙度地层中的响应,对比与化学源的响应差异,分析所测孔隙度灵敏度及精度偏低的原因,并提出对应的校正方法。结果表明:由于D-T源能量较化学源高,地层密度对含氢指数测量影响增强,使得随钻D-T中子孔隙度测井地层孔隙度灵敏度偏低,且受到泥页岩效应的影响较大;密度校正后,地层孔隙度灵敏度显著提高,且受到岩性的影响降低,尤其是泥页岩效应几乎被完全消除。因此,通过对随钻D-T中子孔隙度测井结果的校正,测量灵敏度和精度都得到大幅提高,可以较好地替代化学源测量地层中子孔隙度。     

用D-T中子发射器检测煤炭含H量的改进

以D-T中子发生器为中子源分析煤炭中含H量时,煤炭内的热中子通量不是一个常数,含H量与其特征γ射线总计数间不再是线性关系.MCNP程序模拟结果显示,含H量三次方与其特征γ射线计数呈线性关系.用此关系计算含H量,测量结果的绝对误差小于0.25%,达到了煤炭工业应用的要求.     

基于MCNPX对ADS中子源散裂靶的物理研究

运用蒙卡程序MCNPX对加速器驱动次临界反应堆系统（简称ADS）的标准散裂中子靶进行了计算研究.计算了在0.6～1.5 GeV的质子轰击下,标准Pb靶发生散裂反应产生的中子产额及分布、中子能谱以及靶内能量沉积分布.计算结果与文献理论数据、实验数据进行了比较.     

大质量中子星的冷却性质探讨

鉴于近期的观测数据更倾向于大质量的中子星,通过相对论平均场理论和相关弱作用理论来研究大质量中子星内部中微子发射性质及星体的冷却曲线.计算结果表明大质量中子星的冷却性质与星体质量有关,但是具体的变化规律还取决于模型参数.     

中子管离子源脉冲工作特性的研究

利用实验方法研究了中子管离子源的电离特性,其中包括电离时间的延迟特性;不同气压下电离电流和脉冲电压幅值的关系;不同气压下电离脉宽和脉冲电压幅值的关系;气压和加热电流的关系,并对实验曲线进行了分析,确定了Ｃ／Ｏ测井中选择气压和阳极电压参数的原则和方法。     

基于有限元分析中子管加速电场仿真研究

运用计算机仿真技术,对中子管的加速电极尺寸、加速间隙等参数进行了有限元分析.通过大量的仿真实验,得到电场的直观分布,发现电场分布特征可用于对中子管的优化与改进.