用直线四探针头测量金属-半导体的接触电阻率

本文提出一种用直线四探针头测量金属-半导体欧姆接触接触电阻率的简捷方法.导出了适用于薄层半导体材料的接触电阻率表达式,经实验验证结果与线性传输线模型一致.     

InP欧姆接触研究

按金属与半导体接触的载流子输运理论,计算了n或p型InP的比接触电阻ρ_o值.计算结果以势垒高度φ_B自0.3~1.0eV,ρ_o与载流子浓度(10¹⁸~10²¹cm^-3)关系用图表示出来.当退火温度小于350℃,3分钟退火Au与InP的φ_B并不改变.如退火温度大于350℃,则Au与n-InP在3分钟退火后形成差的欧姆接触,但对p-InP则只是势垒退化,即φ_B降低.这样合金化开始温度应在350℃左右.用本文实测及文献中发表的AuZn/p-InP的实验数据与理论计算进行比较,对目前p型InP欧姆接触工艺中存在的问题进行了讨论.     

InP单晶的阳极氧化,界面参数和浓度分布的研究

本文首次测量了用阳极氧化方法制得的N型InPMIS二极管的I-V和C-V特性.从I-V特性曲线计算出二极管的理想因子n值为1.4,势垒高空>0.75eV.用汞探针和阳极氧化逐层剥离的方法测得了N型InP气相外延载流子浓度的纵向分布.此法制得的金势垒MIS结构可能对开展InP深能级工作有所帮助.     

非晶态(Fe1-xNbx)84.5B15.5合金的磁性和热稳定性

用单辊急冷法制备了非晶态(Fe_1-xNbx)_84.5B_15.5(x=0,0.02,0.04,0.06,0.08,0.1)合金,测量了饱和磁化强度与温度的关系,得到居里温度T_o随Nb含量x的增加而线性下降,其递减率dT_o/dx=17.6 K/at%Nb.     

硅全离子注入的GaAs双栅MESFET

本文研究了硅全离子注入的平面型GaAs双栅MESFET.有源层注入条件为110ke V、3.5×10¹²cm^-2,接触层注入条件为50keV、8×10¹²cm^-2,退火条件为800℃30分钟.FET的铝栅1.5×300μm,Au-Ge-Ni为欧姆接触.     

酞菁铜蒸发膜电导特性的电极效应

本文研究了不同电极材料(Au、Ag、Cu、Al和SnO₂、In₂O₃)对酞菁铜(PcCu)蒸发膜V-I特性的影响.用同样的金属(Au、Ag、Cu)作顶底电极时,改变电极极性所得暗电流是对称的,V-I特性属典型的SCLC型.而Al/PcCu/Al体系呈现阻挡接触,估计这是蒸得的Al电极上存在氧化层之故.当Al作顶电极,玻璃基片上的SnO₂或In₂O₃层作底电极时,Al极加负电压观察到SCLC,而当SnO₂极加负电压时观察到电极限制电流,In₂O₃极加负电压时观察到负阻效应.     

适合一切传递函数的插入衰减综合法

将现代网络综合设计的理论和方法——插入衰减综合法从电压传递函数K_v(s)推广到电流传递函数K_I(s)、转移阻抗函数Z_m(s)和转移导纳函数G_m(s),从而使插入衰减综合法适用于一切传递函数.并获得如下重要结论:现有的针对K_v(s)、R₁=R₂=1Ω(归一化阻抗)所制作的各种滤波器设计图表均可用来设计与K_v(s)具有相同传递特性的K_I(s)、Z_m(s)、G_m(s)滤波器。     

低纯度钕稀土铁硼永磁合金的磁性研究

选用廉价低纯度钕稀土取代高纯度金属钕,用粉末冶金法制备了Nd-Fe-B永磁体.样品最大磁能积(BH)_max达41MGOe (0.328MT·A/m).使用X射线衍射仪、差热分析仪、磁天平、提拉样品磁强计和脉冲强磁场等实验方法,对Nd-Fe-B合金进行了分析测量.在1400K附近有相变峰.低温下,Nd-Fe-B合金磁滞回线呈现异常,来源于磁体中Nd₂Fe₁₄B主相锥面型各向异性.     

PTCDA/p-Si异质结势垒区特性理论的研究

有机半导体材料苝四甲酸二酐(PTCDA)是弱p型半导体材料,其载流子浓度为5×1015/cm3,禁带宽度为2.2eV,可与多种材料形成异质结.详细计算了PTCDA/p-Si异质结势垒形成的电势分布,电场分布和电流-电压(伏安)特性,计算结果与实验结果一致.     

等温衰减电流法及其在有机固体陷阱研究中的应用

从理论和实验技术上讨论了等温衰减电流(IDC)法及其在有机固体陷阱研究中的应用;介绍了根据Simmons等人的理论研制的实验装置:和对几种有机固体薄膜馅阱的研究; 得到了高斯分布型陷阱的峰值能级E_m,分布宽度参数σ,和能态密度N(E),以及载流子热释放的频率因子v等重要的陷阱表征参数.     

喷涂法制备透明导电膜(SnO2:F膜)

SnO₂:F膜是一种在可见光区具有高透过率,在红外区具有高反射率的大禁带半导体材料,在电子工业和太阳能工业中具有广泛的应用.     

氧化钇稳定的氧化锆上外延硅生长的研究

绝缘衬底上高质量亚微米厚硅单晶膜的获得对于制成高速度、高集成度、低功能和抗辐射的集成电路十分重要.蓝宝石上外延硅膜的生长和其CMOS/SOS集成电路的研究已为国内外学者所重视.     

重掺硼的分子束外延硅的喇曼光谱研究

研究了重掺硼分子束外延硅的载流子浓度对喇曼光谱线型的影响。以单声子态和准连续电子激发态之间的Ｆａｎｏ相互作用理论为基础，对实验结果进行了讨论和拟合。由拟合得到的喇曼光谱的半峰宽、峰移、峰高和不对称因子等各参数之间的关系式，结合霍耳效应测量，得到了喇曼光谱的半峰宽Г同自由载流子浓度ｐ之间的关系曲线为Г＝２．５４ｐ＾０．４０８，其中Г，ｐ分别是以ｃｍ＾－１和１０＾１９ｃｍ＾－３为单位。提供了用喇曼光谱     

导电聚苯胺的制备与应用研究

用电解合成方法制备聚苯胺．研究了聚苯胺的变色性能，电压从－0．6V变到1．2V，聚合在电极上的聚苯胺膜依次变成黄色、绿色、蓝色、黑色．利用聚苯胺研制抗静电织物，其织物的表面电阻降到105～106Ω·cm．     

硅各向异性腐蚀对偏压依赖和重掺杂停蚀机理的新模型

系统研究了硅各向异性腐蚀对偏压的依赖及重掺杂的影响,建立了液一半接触能带模型和界面电荷传递模型,提出了反应注入概念且指出腐蚀速度通常依赖于界面态的填充情况,合理解释了实验得到的蚀速-偏压关系.考虑到非平衡载流子复合后,得到与实验吻合的蚀速比-载流子浓度公式.     

Co与掺杂Si固相反应形成CoSi2接触pn结及反应过程中As的行为研究

研究经扩散或离子注入掺B、P、As的硅表面上形成自对准CoSi_2薄膜接触和pn结技术.采用离子束溅射Co膜和Co/Si快速热处理(RTP)固相反应形成CoSi_2薄膜.在掺杂Si上形成CoSi_2薄膜以后,薄层电阻可下降一个数量级.对AS离子注入样品中,研究了不同硅片热处理工艺对As在Co/Si反应过程中再分布的影响.实验结果表明,对于CoSi_2形成之前杂质先经激活退火的硅样品,As在Co/Si固相反应过程中发生显著的“雪犁”效应,而在CoSi_2形成之前未经激活退火的样品,在杂质激活和Co/Si固相反应共退火过程中,As的行为则有明显不同.扩展电阻和电学测试表明,用这两种不同热处理工艺,在CoSi_2/Si界面处均可获得较高的载流子浓度,形成的CoSi_2接触pn结具有良好的二极管I-V特性,其反向漏电流明显小于对比实验的Al/Si接触pn结.     

硅浅杂质能级的低温陷阱效应

分析了硅浅杂质能级的低温陷阱效应，给出了ｐ型硅中不同注入水平下导带中注入电子与总电子数目之比ｎｏ／ｎＴ的表达，主要结果表明在低注入条件下，浅杂质能级陷阱效应对于低温下双极器件的频率特性有着巨大影响，而在高注入水平下，由于总的注入电子数目大大超过被陷电子数目，从而克服了这一低温陷阱效应，可以忽略。