电极／溶液界面单分子吸附层的巨正则系统统计处理

应用巨正则系统统计法处理电极／溶液界面溶剂化层（内层）偶极取向分布，导出联系分子性质的内层微分电容（Ｃ１（σ）统计表达式，并以汞／甲醇溶液体系的例验结果结果，理论表明，Ｃ１与溶剂化层总偶极（∑Ｎｉｐｊ）＝（Ｐｔ）涨落存在确定关系。     

巨正则系综Monte Carlo模拟CO/H2在碳纳米狭缝孔内的吸附和分离

采用巨正则系综Monte Carlo（GCMC）方法研究了CO/H₂在碳纳米狭缝孔中的吸附和分离。H₂和CO均采用单点Lennard Jones（LJ）模型,孔壁作用势则用Steele 10-4-3模型描述。研究结果表明,混合物中H₂的吸附量高于与其分压相同压力下纯H₂的吸附量,而CO则与之相反。通过不同孔宽下的模拟,得到吸附分离的最佳孔宽为0.74nm,此时H₂和CO的吸附量分别为2.0和12.9mmol/g,CO对H₂的平衡分离因子达到6.5(温度为300K,压力为1.0MPa,等物质的量混合气体)。此外,还详细研究了压力、温度和混合气体组成对吸附量和平衡分离因子的影响,发现平衡分离因子随压力降低而提高,而低压下尤其明显,0.03MPa时平衡分离因子可超过9.0。随温度升高,平衡分离因子近乎线性下降;而随着体相混合气体中H₂组成的增加,平衡分离因子显著提高。     

亚油酸盐在45钢电极界面的吸附行为

探讨了亚油酸盐在４５钢电极界面的吸附行为．用充电曲线三点法和交流阻抗法测定体系的腐蚀电阻；用动电位扫描法测定极化曲线；用ＡＥＳ和ＸＰＳ对吸附层进行分析．结果表明。亚油酸在电极界面首先形成一单层化学吸附层；以胶团吸附形式存在于化学吸附层之上的物理吸附层对抑制点蚀起了重要作用．     

自组装巯基环肽单层膜修饰金电极电化学行为的研究

应用循环伏安及交流阻抗技术研究了巯基环肽自组装单层膜修饰金电极的电化学行为，证明了巯基环肽分子能够在金表面形成一定覆盖度的吸附层，同时考察了金/巯基环肽自组装单层膜电极在不同pH值的KCl溶液中的电化学行为。为深入研究巯基环肽的膜结构及性质打下了必要的基础。     

NiFe/Cu多层膜巨磁电阻与界面结构的研究

采用磁控测射方法制备的ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜，在室温下测量到巨磁电阻随Ｃｕ层厚度振荡的第三峰，讨论了ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜界面结构对巨磁电阻的影响     

Mn（Ⅲ）／Mn（Ⅱ）体系电极的研制

研制出一种适合Mn(Ⅲ）／Mn(Ⅱ）体系的铅三元合金电极，其中w(铅）＝98．5％，w（银）＝0．5％，w(锑）＝1．0％，电解收率达73％，并与铂等电极进行了比较。     

N1923—异丁醇—正庚烷／（H，Na）NO3体系界面性质的研究

研究了异丁醇对N1923-正庚烷/(H,Na)NO3体系界面性质和有机相电导行为的影响,计算了界面吸附特性参数cmin和A1,得到N1923的A1值为71.4A2,添加异丁醇后,A1值增大,异丁醇体积的Vac＞6%以后,A1值接近恒定,其极限值约为103A.有机相电导率ρ随Vac增加而减小,当Vac＞3.0%时,ρ又增大,当Vac＞6.5%时,ρ基本不再变化,ρ的最低值为0.02μΩ·cm-2,极限值为0.072μΩ·     

摘要建立了激光打孔过程的固／液／气三相三维数值计算模型，采用水平集（1evel[．set）方法处理能量输入边界并追踪气液（L／V）界面发展，从而对激光打孔过程中的孔壁变化进行描述．模型综合考虑了材料气化、熔融液体溅射两种效应，涉及熔化潜热、气化潜热吸收及辐射散热损失等因素．基于有限体积法，编制计算程序，对激光打孔过程中的温度场、孔型演化过程进行了数值模拟，探讨了不同激光参数对打孔过程的影响．该模型对认识和研究激光打孔行为具有参考价值，也可以扩展至其他高能束流在材料表面的打孔描述．

建立了激光打孔过程的固／液／气三相三维数值计算模型,采用水平集（1evel-set）方法处理能量输入边界并追踪气液（LIV）界面发展,从而对激光打孔过程中的孔壁变化进行描述．模型综合考虑了材料气化、熔融液体溅射两种效应,涉及熔化潜热、气化潜热吸收及辐射散热损失等因素．基于有限体积法,编制计算程序,对激光打孔过程中的温度场、孔型演化过程进行了数值模拟,探讨了不同激光参数对打孔过程的影响．该模型对认识和研究激光打孔行为具有参考价值,也可以扩展至其他高能束流在材料表面的打孔描述．