Ag元素对Ni-7at.%W合金基带织构形成的影响

Ag元素能够使Ni和Ni-5at.%W合金基带中的晶粒形貌呈细长状,从而提升超导层电流的传输能力.研究了Ag在高W含量的NiW合金基带(>5at.%W)中对织构的影响机制,为后续调控晶粒形貌打下基础.研究表明:Ag使基带中S取向的体积分数降低,进而影响了再结晶后基带中立方晶体型织构的形成.通过在轧制变形量为90%时引入550 ℃保温2 h的中间热处理,可以使冷轧基带的形变因子R由0.72提升至1.05,从而增加铜型织构的体积分数,并使得基带中形变后的立方晶体的取向增大65%.最终,经过再结晶热处理获得了表面立方晶体型织构的体积分数为96.8%的Ni-7at.%W-0.01at.%Ag合金基带.     

化学法在Ni-W基带上制备Ag缓冲层研究

在双轴织构的Ni-W基带上,采用化学镀银法为YBa2Cu3O7-δ(YBCO)涂层导体制备Ag缓冲层薄膜,并通过XRD和φ扫描研究烧结温度和镀银次数对Ag薄膜取向的影响。结果表明,在Ar-H2混合气氛下,于870℃镀银5次所制备的薄膜具有(200)晶面单一取向;采用化学法制备的Ag薄膜有较好的外延性,且适用于涂层导体中的单一导电型缓冲层。     

Ag/TiO2,Pd/TiO2和TiO2对庚烷的光催化氧化活性

用光沉积法制备Ag/TiO2和Pd/TiO2催化剂样品,然后用表面光电压谱(SPS)和紫外可见吸收光谱(UV-Vis)对样品进行表征.以气态庚烷为反应体系,来比较上述两种催化剂的光催化活性.与纯TiO2比较,Ag和Pd的存在提高了TiO2的光催化活性;其原因可解释为金属Ag或Pd捕获电子,从而提高了电子-空穴对的分离效率;结果还表明与Pd/TiO2催化剂相比,Ag/TiO2表现出较高的光催化活性,这主要是Ag比Pd具有较强的捕获电子的能力.     

碳载型Pd—Pt—Ag空壳纳米催化剂用于甲酸高效电氧化

通过Ag纳米颗粒部分置换预先吸附在活性碳表面的PdCl4^2-及PtCl4^2离子,制备了碳载型Pd—Pt—Ag空壳纳米催化剂．催化剂中不同Pd和Pt比例可通过控制前驱体溶液中的金属浓度方便实现．将得到的二元及三元空壳纳米催化剂用于甲酸电氧化,发现pd2．6Pt0．4Ag／C表现出了最佳的电催化活性,初步归因于表面活性位的增加及合金协同效应．     

应用多接收器电感耦合等离子体质谱仪测定人工及环境样品中的Ag同位素比值

Ag同位素比值主要应用于早期太阳系定年和含Ag物质的示踪,目前Ag同位素比值测定方法十分有限,已有方法的测定过程较为繁琐.因此建立了以Pd为内标、Ag同位素标准品SRM 978a为标样,结合标准-样品交叉(SSB)技术校正质量歧视,用多接收器电感耦合等离子体质谱仪(multicollector-inductively coupled plasma mass spectrometry,MC-ICPMS)快速准确测定Ag同位素比值的方法.该方法在Pd含量为2.0mg/kg,样品与标准溶液的Ag含量比值匹配范围为0.25～5.0,且待测样品中Ag含量不低于5μg/kg时方能得到精确的比值;含复杂基体的环境样品则需用AG1X8强碱性阴离子交换树脂柱多次分离.用该方法对人工和环境样品中Ag同位素比值的测定结果表明不同来源的Ag存在同位素分馏,因此Ag同位素比值可用于含Ag物质的示踪.     

Cu-45%Ni合金基带强立方织构的形成研究简

采用X射线四环衍射技术研究了大应变量冷轧Cu-45％Ni （原子百分含量）合金基带冷轧织构的形成、低温回复以及再结晶过程中织构的演变行为。结果表明：Cu-45％Ni合金经大应变量冷轧后形成以S取向、Copper取向和Brass取向含量为主的Copper型轧制织构;在低温回复过程,仍为Copper型轧制织构,并且其轧制织构的强度有所增强;在再结晶过程,立方取向的含量迅速增加,各轧制取向含量均迅速减少,表明S取向、Copper取向和Brass取向在再结晶过程中均被逐渐长大的立方晶粒所吞并。在此基础上,采用背散射电子衍射技术表征其高温下强立方织构的形成过程,Cu-45％Ni合金基带经1000℃保温1 h后,其立方织构含量高达98．6％（＜10°）,大角度晶界的含量仅为13．6％,其中包含约5％的Σ3晶界。     

Ag替代Pd的含Ce化合物的制备及表征

在反铁磁性近藤化合物CePdAl3的Pd位置，用Ag进行替代，制备了Ce(Pd1-xAgx)2Al3化合物，并用X线衍射方法对样品进行表征，计算得到了样品的晶格常数和晶胞体积。     

NiW合金基带表面c(2×2)-S超结构的硫化处理

由于硫元素与氧元素化学特性相近,利用硫在Ni基带表面形成的c(2×2)-S超结构可以有效地控制氧化物缓冲层在Ni基带表面的织构.本研究提出将单质硫在120℃下挥发,利用单质硫在基带表面的吸附与脱附形成有序c(2×2)-S超结构的新技术路线.X光电子能谱(XPS)结果显示,采用新技术处理的金属基带表面有明显的硫元素,基带表面Ni和S的原子比例符合c(2×2)结构中S的覆盖度,即0.5的要求.在经过硫化处理后的NiW基带表面制备缓冲层,结果显示,新硫化处理技术改善了NiW基带表面的物理化学特性,有利于氧化物缓冲层的外延生长.     

发射光谱法同时测定地质样品中微量Ag和Mo

采用按Na2CO3：C：BaO：硅酸盐基体=11．25：48．75：15．00：25．00的比例配制的光谱缓冲剂，以Pd为Ag和Mo测定的内标元素，用发射光谱法测定了地质样品中的微量Ag和Mo，对Ag和Mo分析的RSD％分别为0．61％～3．5％和0．60％～2．3％。     

Ag与Ag20粉末微电极的循环伏安和电化学阻抗对比研究

在Ag电极化成为AgO时,发现只有Ag粉末电极可以氧化得到AgO,而Ag20则不行．分别将Ag和Ag20制作成粉末微电极,对它们进行了循环伏安（CV）和电化学阻抗谱（EIS）测试．通过对测试结果的分析可知,Ag被氧化为Ag20后,Ag电极分为内外两层,外层为富舍离子通道的Ag2O,便于OH-的进入;内层为导电性良好的Ag,便于Ag20氧化为AgO时电子的输出．而Ag20电极所含的离子通道较少,不利于OH-的进入;另外Ag2O的电阻较大,也不利于电子向外输出．这两方面原因使得Ag20电极不能被氧化为AgO．     

轧制温度对Ni-9.3%W合金基带形变组织和织构的影响

采用背散射电子衍射技术(EBSD)对Ni-9.3%W(Ni9W)合金基带沿截面方向上的形变织构和形变组织进行分析,研究轧制温度对形变组织和织构的影响.结果表明:采用温轧工艺能够有效抑制Ni9W合金基带黄铜型织构的形成,增加Copper(C)取向和S取向的体积分数,使Ni9W合金基带的变形机制以滑移为主.同时,温轧能够有效降低基带中剪切带的体积分数,并提高40°〈111〉晶界的体积分数,有利于立方晶粒的长大.     

Co-Ag／Ag多层膜的巨磁电阻效应

用离子束溅射法制备了6个系列的CoxAg100-x/Ag颗粒多层膜，对其巨磁电阻随成分及Ag层和Co—Ag层厚度的变化规律进行了研究．当Ag层厚度改变时，GMR有一峰值，且随着Co含量增加，峰值向层厚增加的方向位移，当Co-Ag层厚度改变时，co含量较高的样品的磁电阻在dm=2．0nm附近有一个极大值，而Co含量较低的样品在dm≤6．0nm范围是单调上升的．用磁层间静磁相互作用的反铁磁耦合模型对上述现象加以解释．还研究了Co45Ag55／Ag多层膜样品的退火效应．     

Cu-45% Ni合金基带强立方织构的形成研究

采用X射线四环衍射技术研究了大应变量冷轧Cu-45%Ni(原子百分含量)合金基带冷轧织构的形成、低温回复以及再结晶过程中织构的演变行为。结果表明:Cu-45%Ni合金经大应变量冷轧后形成以S取向、Copper取向和Brass取向含量为主的Copper型轧制织构;在低温回复过程,仍为Copper型轧制织构,并且其轧制织构的强度有所增强;在再结晶过程,立方取向的含量迅速增加,各轧制取向含量均迅速减少,表明S取向、Copper取向和Brass取向在再结晶过程中均被逐渐长大的立方晶粒所吞并。在此基础上,采用背散射电子衍射技术表征其高温下强立方织构的形成过程,Cu-45%Ni合金基带经1 000℃保温1h后,其立方织构含量高达98.6%(10°),大角度晶界的含量仅为13.6%,其中包含约5%的Σ3晶界。     

Ag、Cu、Au、Ni、Pd、Pt的Long-range Finis-Sinclair势构建及其二元合金形成焓的计算

构建了fcc金属Cu、Ag、Au、Ni、Pd、Pt的Long-range Finnis-Sinclair势,并利用晶格常数、体弹性模量和金属的内聚能的实验数据拟合了这几种金属的Long-range Finnis-Sinclair势参数;利用Miedema理论和所构建的原子间相互作用势计算了Cu,Ag,Au,Ni,Pd,Pt的二元合金的形成焓.对两种计算结果进行了比较,并与已有的实验结果进行了比较.结果表明,使用Long-range Finnis-Sinclair势计算合金的形成焓能够得到令人满意的结果.     

低温烧结多层片式ZnO压敏电阻内电极 Ag含量对电性能的影响

研究了低温烧成多层片式ZnO压敏电阻的内电极中Ag扩散进入ZnO晶格对电性能的影响．研究发现内电极中Ag含量严重影响低温烧结多层片式压敏电阻的电性能．当内电极含Ag量为70％时,具有最好的电性能;而内电极为纯Ag时,电性能最差,压敏电压和限制电压过分地升高,漏电流增大,非线性系数减小．反映晶界势垒电容的电容量随内电极中Ag含量的升高而减小．伏安特性和复数阻抗分析表明,随着内电极中Ag含量的升高,Ag扩散进入ZnO晶格加剧,降低了施主浓度Nd,导致ZnO晶粒电阻增大,以及晶界势垒高度和耗尽层宽度增加,使得多层片式ZnO压敏电阻的电性能变差．     

贵州遵义下寒武统黑色岩系中贵金属的表生活动性初探

用ICP-MS方法测定了贵州遵义中南村黑色岩系中原生富"硫钼矿\\"矿石、受风化淋滤的富"硫钼矿\\"矿石和富黄铁矿矿石及矿区矿坑水、泉井水和河沟水样品的贵金属元素.测定了3种水样的原地水温、pH值、电导率和溶氧量.矿坑水为酸性水,具高电导率和低溶氧量.原生富黄铁矿矿石铂族元素总量仅占原生富"硫钼矿\\"矿石的1/13,Ag含量占1/2强,两者Au含量基本相当.原生富"硫钼矿\\"矿石受风化淋滤后,除Au外,其他贵金属元素均有较大程度的亏损,Rh,Pd,Pt,铂族元素总量和Ag的淋出率高达66.72%～74.79%,说明在表生条件下,铂族元素和Ag都有随表生水迁移的趋势;此外,其Ag/Au,Pd/Ru,Pt/Ir,(Pt+Pd)/(Ru+Rh+Ir)等4项参数都显著减小,说明Pt,Pd相对于Ru,Rh和Ir,Ag相对于Au有更强的活动性.中南村黑色岩系中的贵金属可能是在温度低于50℃、富含SO 42- ,pH值约为2.4的"冷水"作用下活化迁移的.     

Ag/石墨烯复合涂层的制备及抗菌性能

首先用改进的Hummers法制备氧化石墨烯（GO）; 其次用原位还原法将银氨溶液中的Ag纳米粒子通过还原剂葡萄糖和GO复合, 获得Ag/GO胶体; 最后在真空干燥条件下得到Ag/GO涂层, 并用真空阶梯热还原技术制备Ag/还原氧化石墨烯(rGO)涂层. 利用X射线衍射、 扫描电子显微镜、 透射电子显微镜等方法对膜样品结构形貌进行表征, 并用润湿角测量仪和抑菌环方法分别检测样品的亲/疏水性和抗菌性能. 实验结果表明: 石墨烯基膜材料与基底结合较好, Ag纳米粒子在石墨烯片层间呈球形均匀分布, 粒径为20~50 nm; 纯GO和rGO膜表面未见菌落, 大肠杆菌与金黄色葡萄球菌均未出现有效抑菌环; 复合Ag纳米粒子后, 涂层的抑菌效果得到显著提高; 与Ag/GO复合膜相比, Ag/rGO复合膜呈更强的抗菌活性, 即低温退火有助于提高石墨烯基复合涂层的抗菌性能.     

CSP流程试制50W270高牌号无取向硅钢织构的演变

研究了CSP流程试制50W270高牌号无取向硅钢热轧→常化→冷轧→退火过程中织构的演变.利用电子背散射衍射技术对全流程织构进行测量和分析.发现热轧板织构在厚度方向上存在较大差异,表层主要为铜型、黄铜和高斯织构,1/4层存在微弱的高斯织构和旋转立方织构,中心层以γ纤维织构和旋转立方织构为主,还含有较弱的α纤维织构.与热轧板相比,常化板表层和1/4层织构变化不大,中心层旋转立方织构和α纤维织构增强.冷轧板各层均具有α纤维织构和γ纤维织构.与冷轧板相比,成品板各层中α纤维织构基本消失,还出现了立方织构和高斯织构.     

不同热处理条件下的Ag/Ni超晶格薄膜层状结构的X射线衍射研究

用Ｘ射线衍射法,对经不同条件热处理后的Ａｇ／Ｎｉ超晶格薄膜的结构进行研究．结果表明,未经热处理的超晶格膜显示良好的人工双元素层调制周期性,且存在［１１１］晶向垂直于膜面的织构．升温时的应变弛豫使超晶格膜的晶格沿垂直于膜面方向发生轻微收缩,直至达平衡态．热处理形成新晶粒,其取向不再严格有序,减弱了薄膜的［１１１］织构．加热所激发的原子长程扩散导致一些元素层厚度减小并趋于消失,而另外的元素层厚度增大,从而使人工调制周期性逐渐被破坏;原始态超晶格膜元素层的厚度越大,则周期结构的热稳定性相应也越高,这部分归因于原子扩散长度与元素层厚度成正比关系     

MOD法在不同种子层上制备La_(0.4)Sr_(0.6)TiO_3缓冲层的研究

采用金属有机沉积法(MOD)在双轴织构的Ni-5%W基带上制备了La0.4Sr0.6TiO3,LaTiO3和SrTiO3三种种子层,然后再在种子层上沉积La0.4Sr0.6TiO3薄膜.SEM图像显示种子层颗粒分布均匀,大小基本一致.通过XRD和SEM研究了不同种子层对La0.4Sr0.6TiO3薄膜取向和表面形貌的影响.结果显示,在LaTiO3种子层上Ar-4%H2气氛下950℃制备的薄膜取向良好,表面光滑致密,无裂纹和孔洞出现.