(Li_4·Li_2H_2)_x链的量子化学从头计算

熔盐-金属界面的电子结构,迄今尚无认真的研究工作。作者之一曾用量子化学计算研究过熔盐-液体金属溶液的电子结构,证明金属原子和金属离子间有电子迁移并形成原子簇离子。用量子化学方法探讨熔盐-金属界面的电子结构,应是一种有益的尝试。     

低温MOCVD法制备铜纳米棒

选用乙酰丙酮铜Cu(acac)₂为前驱物, 氢气为反应气, 采用低温有机金属化学气相沉积法(MOCVD)在介孔基质SBA-15中合成出了铜纳米棒. 该反应过程中, 氢气起了重要作用, 一方面氢将金属有机物的配位还原, 从而使其更容易扩散进入SBA-15孔内部, 同时氢也将二价铜离子还原为金属铜, 从而得到铜棒. 这种铜纳米结构由于具有独特的光学、磁学及电学特性, 因而在半导体研究领域中有潜在的重要应用价值. 另外, 研究还发现基质SBA-15的表面特性对于合成该铜纳米结构有重要影响, 将一层碳覆盖于基质表面后, SBA-15由亲水表面变为憎水表面, 更加有利于有机铜的吸附和铜离子在其内表面的沉积. 该合成方法简单, 反应只需较低的反应温度(400℃)和真空度(2 kPa), 实现了温和条件下制备铜纳米棒状材料.     

含瞬时态生灭Q矩阵问题

设E为非负整数集Z_+或整数集Z.称E×E上矩阵Q=(q_(ij):i,j∈E)为生灭矩阵,如果Q满足以下条件: (ⅰ)q_(ij)=0 |i-j|>1,0相似文献   

实二次域关联的丢番图方程的解

设m为无平方因子有理正整数,c为整数,方程x~2-my~2=c (1)的整数解问题,与实二次域Q(m~(1/2))及分圓域Q(ζ_m)的实子域的类数密切相关,文献[1—7]均由研究此方程得出了有关类数结果,且对特别的m和较小的c值,得出了方程(1)可解的     

多重共轭Fourier级数的(C,l)求和

§1.引言 设自然数k≥2,E_k是k维欧氏空间,Q={(x_1…,x_k)∈E_k|—π≤x_j<π,j=(?),…,k}。L(Q)代表在Q上可积,对每个变元都以2π为周期的函数的全体。     

应用铀系法研究北京猿人年龄

年龄样品采自北京周口店猿人洞堆积地层。采样层位是12、10、8—9、7、6、1—3层。样品种类包括各种动物牙齿、鹿角、犀牛骨化石、碳酸盐等。样品经过薄片观察、铀和钍含量及其同位素检查,认为基本是封闭系统,样品中钍没有迁移。因此,选用Th~(230)/U~(234)法进行年龄研究。铀系法研究年龄主要实验流程为:样品铀和钍化学分离纯化、电沉积法制备α放射源及铀和钍同     

在高聚物凝胶中生长TTF-TCNQ电荷转移复合物单晶

TTF-TCNQ电荷转移复合物是一种准一维有机金属导体,其室温电导达10~2—10~3欧姆~(-1)·厘米~(-1),在58—300K之间具有金属电导的温度依赖性。目前已有越来越多的这类有机金属导体被发现,他们的独特的物理性质正引起人们广泛的注意。     

关于局部性质的一般性定理

J.M.Atkim及R.F.Gittings(Proc.Amer.Math.Soc..50(1975),405—411)个别地证明了如下形式的一些定理:“θ-加细的局部Q空间是Q空间”,其中Q空间是某些广义度量空间。这里统一地给出了两个一般性定理,不仅使上述一些定理可以以特例而得到,且具有普遍意义。定理1 设X是θ-加细的局部Q空间,且拓扑属性Q满足下列条件:(ⅰ)关于不相交拓扑和保持的;(ⅱ)关于有限对一,连续开映射保持的;(ⅲ)     

红枫湖沉积物顶部~(210)Po_(ex)垂直剖面的变异

自1963年Goldberg倡导~(210)Pb计年方法后,该项技术已广泛应用于湖泊、海湾近代沉积物计年。然而,由于Rn的丢失,可能使~(210)Pb_(ex)方法的沉积物堆积速率偏低15—20％。近年对Greifen湖等的研究发现,在湖底界面处激烈的Fe、Mn循环条件下可能存在~(210)Pb的沉积后扩散迁移,导致~(210)Pb_(ex)方法的沉积物堆积速率显著偏低。     

分子氮络合物的振动频率和键的稳定性

分子氮络合物的N≡N键伸缩振动频率出现在2,200—1,850cm~(-1)之间,与自由N_2分子的v_N_2为2,331cm~(-1)比较,大约减少了100—500cm~(-1)。这说明络合后,N≡N键削弱了,M—N_2键(M指过渡金属)增强了。稳     

分子束外延原位脉冲激光驱动金属Ga-droplet迁移的实现和研究

在液滴外延生长过程中金属液滴承担着生长前驱体的角色,直接决定着后续量子环、量子点、纳米线等量子结构的密度、尺寸、位置等参数.本文开展了在MBE(molecular beam epitaxy)液滴外延过程中通过原位激光作用调控金属Ga-droplet的前沿研究.首先利用MBE在GaAs(001)衬底上(150℃)沉积6 ML Ga原子以获得Ga-droplet密度约为5.7×10~(10) cm~(-2)的表面,然后原位引入单脉冲单束激光辐照衬底表面.实验观察到:Ga-droplet在激光辐照(能量密度大于10 m J/cm~2)的条件下将开始克服表面各个方向的迁移势垒发生显著而丰富的迁移行为,且这种迁移的剧烈程度与激光能量具有强烈的正相关规律.伴随这种迁移,不同Ga-droplet之间将发生随机的融合,从而强烈影响其密度以及尺寸.统计表明:当激光能量从10 m J/cm~2提高至30 m J/cm~2时,Ga-droplet的密度将迅速减小到近原来的三分之一,同时尺寸则迅速地增大,且整体分布由传统的"窄带"向"宽带"特点过渡.故通过本文的研究,证实和发现了液滴存在着极为敏感的表面"光致迁移"特性.凭借这一特性,不仅可实现对液滴整体尺寸、密度的二次修饰,获得一些在传统液滴外延中难以实现的分布特点,而且在将来我们完全有望凭借多光束干涉图形化调控液滴,最终实现人为可控的液滴外延技术,从而极大地推动整个低维纳米半导体材料的生长.     

金纳米通道用于免疫球蛋白测试的研究

以聚碳酸酯超滤膜为基膜, 采用化学镀的方法在膜孔壁沉积一定厚度的金, 制成金纳米通道阵列. 在一定电场下, 当电解质离子和生物大分子通过这种纳米通道时, 大分子产生的阻碍效应使电解质离子迁移电流发生变化. 基于此, 发展了纳米通道传感技术, 应用这种方法, 实现了对人IgG的检测, 检测限为0.34 ng/mL.     

质子化脯氨酸三肽的产物离子在电喷雾质谱中的碎裂机理

研究了脯氨酸三肽(甘氨酰脯氨酰甘氨酸、脯氨酰甘氨酰甘氨酸和脯氨酰脯氨酰甘氨酸)质子化离子的主要产物离子的解离机理.量子化学计算表明,a2离子的环状结构在能量上比其线性结构更加稳定,三肽结构中的脯氨酸对b2离子产生a2离子的解离过程的反应势能分布有较大影响.a2离子的裂解过程中发生了离子/中性复合物介导的分子内质子迁移反应,推测质子桥连复合物为质子迁移反应的关键中间体.此中间体对应于质谱图中a2离子丢失一分子CO的碎片离子峰.密度泛函理论模拟计算验证了b2离子和a2离子的裂解反应机理.     

离子迁移谱检测痕量爆炸物新技术和应用

离子迁移谱具有分析速度快、灵敏度高、便携、操作简便等优点,成为爆炸物检测的主要方法之一,被广泛应用于机场安检和反恐等领域.本文简要介绍了离子迁移谱的原理、分类及特点;重点介绍了本课题组近期在离子迁移谱新技术及其在爆炸物检测中应用的新进展,包括新型滴定结构离子迁移谱研发、提高离子迁移谱分辨率方法、基于VUV灯的高效非放射性电离源研制等;最后,对离子迁移谱在爆炸物检测方面发展方向和前景进行了预测.     

新锂离子导体

锂离子导体对发展高能量电池有重要意义,但直到现在还没有找到令人满意的锂离子导体。实践证明,适合于Na~ 离子迁移的结构,并不一定适合于Li~ 离子迁移。例如用Li置换Naβ-Al_2O_3中的Na得到Liβ-Al_2O_3和用Li置换Na_3Zr_2Si_2PO_(12)(Nasicon)中的Na得到Li_3ZrSi_2PO_(12),它们在300℃的电导率分别比     

Opial不等式之进一步推广

定理1 令在u≥0上P(u)及Q(u)非减且Q为凸,P(0)=Q(0)=0,Q~(-1)(v)为Q(u)之右连续逆;则当f∈AC[a,b],f(a)=0时     

钴铁氧体磁粉穆斯堡尔谱的研究

钴铁氧体磁粉在磁场和温度同时作用下,它的各向异性常数和矫顽力都发生变化;一般认为这是由于磁粉内Co~(2+)离子迁移引起的.但根据我们的实验;这种磁粉在钴含量相同时受到磁场和温度作用后,它的各向异性和矫顽力的变化量和磁粉Fe~(2+)的含量成正比.因此,我们认为,这样的变化是由于磁粉内Co~(2+)-Fe~(2+)的离子对迁移所造成的.目前,直接观察磁粉内离子的分布和迁移过程还十分困难.本文利用穆斯堡尔谱研究钴铁氧体磁粉经磁热处理后Fe~(2+)离子的分布情况.     

周期Sobolev类的2n-宽度

一、引言 设Q(x)是实系数多项式.称W_p(Q(D))-{f丨f~(i)(0)-f~(i)(2π),i-0,…,deg-1,f~(degQ-1)在[0,2π]上绝对连续,‖Q(D)f‖_p≤1}是由线性微分算子Q(D)所确定的周期Sobolev类,其中D-d/dx,degQ是Q的次数,p∈[1,∞],‖·‖_p是通常L_p[0,2π]-范数.我们分别用d_n(p,q)、d~n(p,q)、δ_n(p,q)和b_n(p,q)记W_p(Q(D))在L_q[0,2π]中     

低温低氧压下激光法在金属基底上沉积高温超导薄膜的缓冲层钇稳定氧化锆

制备高临界电流J_c的高温超导线材与带材是高温超导走向强电应用的重要课题.与Bi系及T1系相比,YBa_2Cu_3O_(7-δ)(YBCO)的不可逆线低,在液氮温区仍有很强的钉扎力.YBa_2Cu_3O_(7-δ)已在单晶基片上生长出很高质量的薄膜,J.高达(5～6)×10~6A/cm~2.但是单晶基底对强电应用是不利的,为了使YBCO薄膜的优良性能应用于带材,必须把YBCO沉积到可弯曲并且便宜的金属基底上.为防止金属基底与YBCO之间的扩散反应,用钇稳定氧化锆(YSZ)做缓冲层.但是用这种薄膜沉积法得到的带材由于不是外延生长,J_c为 10~3～10~4A/cm~2.近来人们用离子束辅助沉积法(IBAD)在金属基底上得到具有平面内织构的YSZ缓冲层,并在其上外延生长出J_c达到 10~6A/cm~2的YBCO薄膜,这使得IBAD薄膜法成     

一个不等式及其应用

设f(n)是可乘数论函数,满足定理1 设g=f*μ,其中“*”表示Dirichlet卷积,则这里因子exp是次要的,