单模光纤的测量

本项研究完成了在短波长(0.82μm)处测量单模光纤的工作.长波长单模光纤在短波长处工作,存在单模色散与模间时延两种色散.本工作以频域与时域两方法完成了这两类色散的分离.测量结果表明,频域法与时域法基本一致.在0.82μm处的单模色散在85~130ps/km·nm之间.     

Nd3+:YAG激光器的132μm连续激光腔片

掺钕钇铝石榴石是一种性能优异的激光晶体,它可以分别产生1.06μm、1.32μm等波长的激光.其中,1.32μm附近的激光在光纤通信、医疗等方面具有重要的应用.但是,由于高增益的1.06μm谱线的竞争,使得1.32μm难以形成激光振荡.     

四包层色散平坦光纤的参数设计和试制

色散平坦光纤可用于波分复用技术,对长距离大容量通讯系统具有很大吸引力.文中选择四包层单模光纤作为研究对象,概述了四包层结构的基本理论,对有关传输特性和结构参数进行了考虑和计算.通过工艺试制,获得了从1.3—1.55μm波长范围具有低色散特性的单模光纤.     

双α分布三包层色散平坦单模光纤

本文提出双α分布三包层数学模型,从MCVD工艺出发,采用具有适当中心凹陷的渐变芯层分布.推导了相应的电磁场分布函数,计算和讨论了一种色散平坦结构方案的色散特性、截止波长、模斑尺寸及工艺容限.实验表明,这种结构可以在1.55μm处得到0.32dB/km的低损耗.     

钠蒸气中新的串接受激辐射

在石英管内,采用602.22nm (或578.9nm)双光子泵浦Na蒸气获得2.3 μm,330.2nm (或3.4μm,330.2nm)串接受激辐射.它们分别来自于.     

78K红外吸收法测定硅中氧含量

硅中氧含量的测定是评价硅单晶质量的重要参数之一.用外红吸收法测定硅单晶中的氧含量已有许多报道^[1~5].我们曾建立了300K 9μm红外吸收法测氧标定曲线[6],低温可提高检测灵敏度^[7~10],因此本工作主要是建立较精确的78K红外测氧标定曲线.     

空间调制激光束测量超低速度

介绍了一种测量超低速度的激光多普勒测速仪.测量体中条纹的空间位置受到调制得到三组顺序出现的相位差分别为0°,90°,180°的条纹.经过信号处理可方便地去掉近频干扰噪声该仪器可以测量0.3mm/s到0.02μm/s的速度,精度优于2%,文中给出了一个电烙铁在加热过程中伸长量的变化的实测结果.     

远场法测量单模光纤参数

Gambling等^[1]提出通过测量单模光纤远场辐射图,可以确定单模光纤的归一化频率V,纤芯直径2a,相对折射率差 △三个主要参数.远场法是通过一个实验能同时解决三个参数测量的好方法.     

扫描电子显微镜在红外探测器材料分析中的应用

用国产DX-3A型扫描电子显微镜分析红外探测器材料,可成功地检测线度10μm以下的碲镉汞中的富磅夹杂相和碲锡铅中的金属夹杂相.精密测量了Hg_1-xCd_xTe和Pb_1-xSn_xTe的微区组成,可分辨出△x/x>2%的横向组成不均匀性.也可相当精确地测量PbSnTe-PbTe异质外延层的厚度.     

大轴直径的高精度多滚轮法测量

针对单滚轮法的致命缺陷,提出一种多滚轮多传感器冗余测量方案用于大轴直径的高精度测量.所设计方案采用多滚轮和数据融合技术剔除打滑信号,并对温度、压力变形引起的测量误差进行分离与修正,测量精度显著提高.介绍了滚轮法测量原理和测量系统组成,分析了测量误差.实验表明所设计系统的测量精度小于5μm/m.     

汽相生长的碲锡铅单晶的质量评价

碲锡铅(Pb_1-xSn_xTe)是一种禁带宽度可调的三元化合物半导体,用它不仅可制备814μm的高灵敏度的红外探测器,而且可以制备长波红外可调谐激光器.     

单模光纤的色度色散及其测量和补偿技术

光纤色度色散是限制光信号传输速率和传输距离的主要因素之一,也是目前高速光通信系统中迫切需要解决的问题.介绍了单模光纤的色散组成,详细推导了描述色度色散的脉冲展宽的计算公式,分析了调相位法测量色度色散的过程,解析了进行色度色散补偿的必要性,给出了啁啾光纤光栅进行色度色散补偿的原理,并对单模光纤的发展动态做了阐述.     

光纤在电子和γ辐射诊断中应用的研究

用光纤把辐射能转变为Cerenkov光光能的传感器和信号传输线时,可以构成频带极宽的电子束和γ射线脉冲诊断系统.本文从理论上计算了入射的相对论电子或入射的γ射线形成的Compton电子在光纤中产生的Cerenkov光的灵敏度.研制了光纤传感器和测量系统,给出了系统灵敏度、动态范围以及带宽的解析表达式,这对评价系统性能和论证可应用性是很重要的.标定了传感器对γ射线的灵敏度.现系统可突破常规系统带宽的极限记录.系统带宽潜力达500MHz以上,用于极快辐射脉冲测量将显示出它的独特优点.     

聚焦法非破坏性测试光纤和预制棒的折射率分布

聚焦法是一种较为简单而通用的测试光纤和预制棒折射率分布的方法.参考Marcuse等工作^[1~3],组成本文的测试系统,具有一定特色.对多模、单模样品均进行了实测,取得了较满意的结果.     

一种用于ADC电路的高速高精度比较器设计

在分析各种比较器设计失调消除技术基础上,提出了一种用于ADC电路的高速高精度比较器设计技术和失调消除技术.该比较器由主动复位和被动箝位的预放大器和输出锁存器构成,具有失调自动校准功能.仿真结果表明,在Chartered 0.35 μm COMS工艺下,电源电压3.3 V,调整后的比较器失调误差为56.8 μV,比较器的精度0.1mV,比较速率100 MHz.     

硅全离子注入的GaAs双栅MESFET

本文研究了硅全离子注入的平面型GaAs双栅MESFET.有源层注入条件为110ke V、3.5×10¹²cm^-2,接触层注入条件为50keV、8×10¹²cm^-2,退火条件为800℃30分钟.FET的铝栅1.5×300μm,Au-Ge-Ni为欧姆接触.     

波导电光Bragg光栅透镜的设计与制作

本文探讨一种新型的波导透镜——波导电光Bragg光栅透镜.这种透镜制作工艺简单,易于同其他集成光学部件集成.我们得到的透镜具有焦距f=40mm,焦斑直径14μm.     

一种提高SOS膜结晶质量的新途径

这是一种提高SOS膜结晶质量的新方法.这种方法包括三步:1)在蓝宝石衬底上先用电子束蒸发薄无定形硅保护层.2)然后在氢气中进行退火处理.3)再用通常CVD方法在带薄硅层上外延生长所需厚度(0.6~0.8μm)的SOS膜.对所得SOS膜进行电子衍射、Nomarski相衬干涉显微镜表面观察、载流子浓度测量和光吸收研究表明:SOS膜质量完好,光吸收因子F_A ≤ 140×10⁶cm^-2,抑制了自掺杂,载流子浓度不超过1×10¹³cm^-3.     

MOSFET输出阻抗对混频器线性度影响分析

深入研究了MOSFET输出阻抗对Gilbert混频器线性度的影响,建立了针对MOSFET输出阻抗的混频器非线性模型,得出了Gilbert混频器线性度最优偏置条件.基于0.25μm CMOS工艺的Gilbert混频器验证结果表明,预测得到的线性度最优理论偏置值与验证结果之间的误差小于10%.     

Te溶液生长半磁半导体Cd1-xMnxTe的光学和电学性质研究

测量了Te溶液生长半磁半导体(SMSC) Cd_1-xMn_xTe的导电类型、电阻率、霍尔迁移率和光致发光(PL).测定结果表明,Te溶液生长Cd_1-xMn_xTe晶体质量和稳定性均优于布里奇曼长晶,根据正四面体配位晶场中Mn²⁺3d (⁴T₁)能级出现在Cd_1-xMn_xTe禁带中的观点,分析了在0.85~1.5μm范围内红外透射光谱上存在吸收边的原因。