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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
研究了Cu与SiO2组成的渗流系统的电阻率、霍尔系数等电输运特性,该体系临界指数t高于经典渗流理论的预测数值,不同于其它渗流系统.并且在Cux(SiO2)1-x这一非磁性金属系统中,发现了巨霍尔效应(GHE),其数值高于普通金属近3个数量级,为霍尔传感器材料研究提供了新途径.这种非磁性系统中的巨霍尔效应是由界观尺度的量子干涉效应引起的.  相似文献   

2.
研究了体积比为0.45≤x≤0.8的Cux(SiO2)1-x样品的霍耳系数与成份的关系,随着金属体积比的降低,霍耳系数R迅速增加,并在x=0.51时达到最大,其值为x=0.8的样品霍耳系数的700倍,远超过经典渗流理论计算数值.本研究表明,这种非磁性金属系统中的巨霍耳效应(GHE)是由界观尺度的量子干涉效应引起的.  相似文献   

3.
研究了体积比为0.45≤x≤0.8的Cux(SiO2)1-x样品的霍耳系数与成份的关系,随着金属体积比的降低,霍耳系数R迅速增加,并在x=0.51时达到最大,其值为x=0.8的样品霍耳系数的700倍,远超过经典渗流理论计算数值。本研究表明,这种非磁性金属系统中的巨霍耳效应(GHE)是由界观尺度的量子干涉效应引起的。  相似文献   

4.
研究了体积比为 0 .45≤x≤ 0 .8的Cux(SiO2 ) 1 -x 样品的霍耳系数与成份的关系 ,随着金属体积比的降低 ,霍耳系数R迅速增加 ,并在x=0 .51时达到最大 ,其值为x =0 .8的样品霍耳系数的 70 0倍 ,远超过经典渗流理论计算数值 .本研究表明 ,这种非磁性金属系统中的巨霍耳效应 (GHE)是由界观尺度的量子干涉效应引起的  相似文献   

5.
采用磁控溅射法在玻璃基片上制备了一系列不同Ni79Fe21含量x的(Ni79Fe21)x(Al2O3)1-x纳米颗粒膜样品。研究了电阻率ρ与体积百分比x的关系,测出了逾渗阈值xρ,并对样品的巨磁电阻效应和霍尔效应进行了研究。发现存在三个区间:(1)当x<48%时,在这个区间只有巨磁电阻效应,没有霍尔效应;(2)当48%<x<60%时,在这个区间巨磁电阻效应和霍尔效应共存,且随着x的减小而增强;(3)当x>60%时,在这个区间只有霍尔效应,没有巨磁电阻效应。  相似文献   

6.
用磁控溅射法在载玻片上制备了(Ni80Fe20/SiO2)n/Cu/(SiO2/Ni80Fe20)n复合结构多层膜,并对其巨磁阻抗效应进行了研究.研究结果表明,采用多组双层结构(n>1)后,样品的巨磁阻抗效应明显增大;当n=3时,观测到最大的纵向巨磁阻抗(LMI)效应为10.81%,最大的横向巨磁阻抗(TMI)效应为17.08%.当n=4,5时,巨磁阻抗效应比n=3时略有减小.由XRD谱和磁滞回线等,研究了双层结构(Ni80Fe20/SiO2)循环次数n引起的样品材料晶体结构和磁性能等变化,以及对样品巨磁阻抗效应的影响.  相似文献   

7.
采用磁控溅射法,在玻璃基片上制备了一系列不同Ni79Fe21含量的(Ni79Fe21)x-(Al2O3)1-x纳米颗粒膜样品,并对样品的巨霍尔效应进行了研究.在(Ni79Fe21)0.48-(Al2O3)0.52颗粒膜样品中,透射电镜(TEM)照片清晰地显示出纳米Ni79Fe21颗粒包裹于Al2O3中,且电子间的量子相干效应明显,这可能是导致霍尔效应增强的主要原因.室温下测出了最大的巨霍尔效应值达到4.5 μΩ*cm.改变基片温度,发现巨霍尔效应值变化不大,说明该颗粒膜具有良好的热稳定性,因而在磁传感器上有良好的应用前景.  相似文献   

8.
采用磁控溅射法 ,在玻璃基片上制备了一系列不同Ni79Fe2 1含量的 (Ni79Fe2 1) x (Al2 O3 ) 1-x纳米颗粒膜样品 ,并对样品的巨霍尔效应进行了研究。在 (Ni79Fe2 1) 0 .48 (Al2 O3 ) 0 .52 颗粒膜样品中 ,透射电镜 (TEM )照片清晰地显示出纳米Ni79Fe2 1颗粒包裹于Al2 O3 中 ,且电子间的量子相干效应明显 ,这可能是导致霍尔效应增强的主要原因。室温下测出了最大的巨霍尔效应值达到 4 .5 μΩ·cm。改变基片温度 ,发现巨霍尔效应值变化不大 ,说明该颗粒膜具有良好的热稳定性 ,因而在磁传感器上有良好的应用前景  相似文献   

9.
介绍了磁性金属-绝缘体颗粒薄膜的结构特征与电阻率的关系。评述了作为磁传感器件,高密度记录介质和读出磁头潜在应用相关的磁阻效应,巨霍尔效应,高矫元力特性。  相似文献   

10.
利用磁控溅射方法制备了不同金属体积分数x的(Fe21Ni79)x-(Al2O3)1-x纳米颗粒膜样品,并对样品的霍尔效应进行了研究,在x=0.48时,样品的饱和霍尔电阻率为4.5μΩ.cm,霍尔电压为450μV。在同样的制备条件下保持x不变,用Co去替代部分Ni得到一系列[Fe21(NimCon)]x-(Al2O3)1-x颗粒膜,测量其霍尔电压,结果发现随着Co含量的增加,霍尔电压增大,当原子比n/m=0.6时,霍尔电压为1125μV。  相似文献   

11.
利用一定边界条件下的Maxwell方程和修正的Landau_Lifshitz_Gilbert方程,对磁性层/非磁性层/磁性层(M/C/M)三明治多层膜中出现的巨磁阻抗效应进行了理论分析.对于单轴横向磁各向异性三明治膜,在考虑了各向异性场的交变部分的基础上,得到了阻抗与频率、外磁场、各向异性场、电导率、厚度等因素之间的关系.着重讨论了,磁性层和非磁性层薄膜厚度的优化问题.当GMI效应达到峰值时,非磁性层在薄膜总厚度中所占的比例与各向异性场Ha的大小、薄膜的总厚度以及非磁性层与磁性层电导率σ1/σ2比值有关.为实验上设计三明治模型提供了一个数值参考.  相似文献   

12.
磁性金属-绝缘体颗粒薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了磁性金属 绝缘体颗粒薄膜的结构特征与电阻率的关系 ,评述了作为磁传感器件、高密度记录介质和读出磁头潜在应用相关的磁阻效应、巨霍尔效应、高矫顽力特性 .  相似文献   

13.
采用含时变分法,通过数值模拟系统的动力学,研究了铁磁性凝聚体中的几何霍尔效应.结果表明在铁磁性系统中的几何霍尔效应显著比在反铁磁性中的弱.  相似文献   

14.
纠缠的冯纽曼熵测量被用于研究球分数霍尔效应。数值计算表明,球分数霍尔效应为最大纠缠态。当系统中粒子数较多时,纠缠度的值(E)可用霍尔效应的填充因子(ν)表示:E~log21ν。  相似文献   

15.
用射频磁控溅射方法在Si/SiO2衬底上制备了(NiFeCo)36Ag64颗粒膜,用四探针法测量了法入Co离子前后(NiFeCo)36Ag64颗粒膜巨磁电阻效应的变化,用场发射扫描电镜分析了颗粒膜的形貌及成分,实验结果表明:注入Co离子对颗粒膜巨磁电阻有显著的影响,在相同退火温度下,注入离子可使GMR效应提高一倍以上,随着退火温度增加,颗粒膜巨磁电阻效应先增加而后减小,在360℃下退火可获得10.2%的最大室温巨磁电阻效应。  相似文献   

16.
纳米薄膜是指纳米晶粒构成的薄膜,或将纳米晶粒镶嵌于某种薄膜中构成的复合膜,以及每层厚度在纳米量级的单层或多层膜。其性能强烈依赖于晶粒(颗粒)尺寸、膜的厚度、表面粗糙度及多层膜的结构。与普通薄膜相比,纳米薄膜具有许多独特的性能,例如巨电导效应、巨磁电阻效应、巨霍尔效应、可见光发射等。目前制备纳米薄膜的方法很多,其中水热法是很重要的一种。本论文利用水热法以金属锌片作为基片和反应物,加入尿素和NaH2PO4·2H2O或Zn(H2PO4)2·2H2O,以CTAB或OP作为表面活性剂,制备出由菱柱状、块状和片状微米晶组成的磷酸锌薄膜,讨论了反应物的种类、表面活性剂的类型、表面活性剂(CTAB)的加入量、反应时间、反应温度和尿素对磷酸锌物相和微晶形貌的影响,对不同形貌纳米(微米)晶薄膜的形成机理进行了讨论。  相似文献   

17.
离子束改性对颗粒膜巨磁电阻效应的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
用射频磁控溅射方法在Si/SiO2衬底上制备了(NiFeCo)36Ag64颗粒膜.用四探针法测量了注入Co离子前后(NiFeCo)36Ag64颗粒膜巨磁电阻效应的变化.用场发射扫描电镜分析了颗粒膜的形貌及成分.实验结果表明:注入Co离子对颗粒膜巨磁电阻有显著的影响,在相同退火温度下,注入离子可使GMR效应提高一倍以上.随着退火温度增加,颗粒膜巨磁电阻效应先增加而后减小,在360℃下退火可获得10.2%的最大室温巨磁电阻效应.  相似文献   

18.
本文研究了磁控溅射法制备的CoFeB/Pt薄膜的反常霍尔效应.通过测量不同温度下(5-300K)的反常霍尔效应,系统研究了反常霍尔效应的标度关系,发现反常霍尔系数RS与纵向电阻率ρxx之间的关系满足RS=aρxx+bρ2xx,当CoFeB较薄时,Skew-Scattering机制对反常霍尔效应的贡献占主导地位,随者CoFeB厚度的增加,反常霍尔效应的物理机制过渡为SideJump机制.  相似文献   

19.
多孔介质中水气二相流动力学行为分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
基于多相渗流力学理论,探讨了多孔介质(孔隙介质、孔隙-裂隙介质)中水、气二相渗流的微观机理,系统地建立了水、气二相渗流的数学模型,并采用有限元法对数学模型进行了离散化,推导出三维有限元(FEM)数值模型;利用二相流系统渗流数值模拟程序2PFCSM,对一天然气储气层进行了数值模拟.  相似文献   

20.
本文叙述金属与合金的各向导性的磁电阻效应,磁性金属/金属多层膜的巨磁阻效应。恒流电镀制备巨磁阻金属多层膜以及巨磁阻金属多层膜应用。在室温条件下,用含有Co2+、Ni2+、Cu2+离子的化合物作电解质,恒流电镀。具有巨磁阻效应的Cu-Co-Ni/Cu多层膜生长在抛光的铜基质上,在室温条件下,磁场强度为0~1T,测得电磁阻变化率达到2.45%。  相似文献   

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