ZnS∶Cu，Cl，Er直流电致发光薄膜激发机制的研究

研究了ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ，Ｅｒ薄膜器件在不同宽度的矩形脉冲激发下，器件在激发期间发光的瞬态特性，提出了能量传递模型．实验曲线拟合结果表明：器件的激发过程中存在能量传递．     

硫化锌薄膜直流电致发光能量传递机制的研究

通过对所研制的ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ，Ｅｒ薄膜器件的电致发光衰减特性及短脉冲激发下样品发光特性的测量，发现能量传递现象。提出了激活能量由铜中心或其它自激活中心向Ｅｒ＾３＋发光中心传递的模型，很好地解释了实验结果。     

DCJTB掺杂Alq体系的发光特性研究

研究了以ＤＣＪＴＢ掺杂Ａｌｑ作为发光层的红色电致发光器件的发光特性,通过分析Ａｌｑ与Ａｌｑ：ＤＣＪＴＢ的激发光谱与发光光谱,得出了存在着从Ａｌｑ到ＤＣＪＴＢ的能量传递。同时给出并分析了不同ＤＣＪＴＢ掺杂浓度对器件发光特性的影响。     

铒浓度对ZnS薄膜DCEL的影响

用直接掺杂法和ＸＰＳ谱法研究ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ，Ｅｒ中铒离子的体浓度及纵向分布对器件发光的影响，测量了Ｅｒ￣３＋的￣２Ｈ＿ｌｌ／ｌ２，跃迁与温度的关系，对硫化锌薄膜器件中Ｅｒ￣３＋发光的电激发过程提出新见解．     

电子俘获材料CaS:Eu,Sm可见光激发优势机理的研究

实验测定了电子俘获材料CaS:Eu,Sm的荧光激发谱，辐射谱以及红外上转换光激发光谱，发现可见光对红外上转换辐射光的激发灵敏度高达50%，而紫外光只有18%，具有可见光激发的优势，根据电子俘获材料的能级模型，电子俘获发光机理以及稀土离子在立方晶场中的能级结构，并结合光谱测试所提供的信息，分析了电子俘获材料CaS:Eu,Sm在光激发过程中的能量传递途径，阐明了电子俘获材料CaS:Eu,Sm可见光激发优势的机理。     

新法制备高亮度蓝色SrS：Ce薄膜电致发光器件

以Ｓｒｓ：Ｃｅ和ＺｎＳ的混晶为原料用电子蒸发的方法制备了蓝色ＳｒＳ：Ｃｅ薄膜电致发光器件，研究了新法制备的ＳｒＳ：Ｃｅ膜的光发光性能和它的电致发光器件的电致发光性能，并与直接用ＳｒＳ；Ｃｅ粉末制备的薄膜和器材的性能进行了对比。     

CsSm（1—x）EuxI3体系及其荧光光谱

已知二阶稀土三元碘化物ＣｓＳｍＩ３的结构，以半径较小的Ｅｕ＾２＋取代Ｓｍ＾２＋，在ＣｓＳｍ（１－ｘ）ＥｕｘＩ３体系中，得到一系列与ＣｓＳｍＩ３同结构物化合物，它们的摩尔体积随着ｘ的增大而直线下降，形成了连续固溶体，在３３０ｎｍ激发下，固溶体的荧光发射在Ｘ≤０．８时，在６５０～８００ｎｍ处Ｓｍ＾２＋的ｄ→ｆ跃迁宽带发射，反映了Ｅｕ＾２＋→Ｓｍ＾２＋的能量传递。     

CsSm_（1－x）Eu_xI_3体系及其荧光光谱

已知二价稀土三元碘化物ＣｓＳｍＩ３的结构，以半径较小的Ｅｕ２＋取代Ｓｍ２＋，在ＣｓＳｍ（１－ｘ）ＥｕｘＩ３体系中，得到一系列与ＣｓＳｍＩ３同结构的化合物。它们的摩尔体积随着ｘ的增大而直线下降，形成了连续固溶体，在３３０ｎｍ激发下，固溶体的荧光发射在ｘ＝０．８时，为６５０～８００ｍｎ处Ｓｍ２＋的ｄ_ｆ跃迁宽带发射，反映了Ｅｕ２＋_Ｓｍ２＋的能量传递。     

（Y，Gd）_2O_3·2B_2O_3：Bi~（3＋），Eu~（3＋）的发光性质

研究了荧光材料（Ｙ，Ｇｄ）_２Ｏ_３·２Ｂ_２Ｏ_３：Ｂｉ~３＋，ＥＵ~３＋的合成和晶体结构．经ＸＲＤ确定为六方晶系，晶胞参数：ａ＝３．７８６，ｃ＝８．８２４．在２５４ｎｍ紫外光激发下，荧光材料有较强的红色发光．观察到Ｂｉ~３＋→Ｇｄ~３＋→Ｅｕ~３＋的能量传递现象，Ｂｉ~３＋→Ｇｄ~３＋能量传递机理为交换作用；Ｇｄ~３＋→Ｅｕ~３＋能量传递机理为电偶极──电四极相互作用．     

藻胆体杆核复合物的能量传递途径研究

研究了藻胆体杆核复合物在低温（７７Ｋ）下时间分辨荧光光谱，讨论了激发能量传递过程以及途径．实验结果说明低温下藻胆体的能量传递途径有２条，１条经过核中的中间受体，另１条不经过核中的中间受体．     

Effect of TPD:CuPc LB Films as Electron Blocking Layer on EL Emission

ＴＰＤ：ＣｕＰｃＬＢ薄膜作为电子阻挡层被引入到ＩＴＯ／ＴＰＤ：ＣｕＰｃ／Ａｌｇ：ＤＣＭ１／Ａｌ电致发光器件中的ＰＰＶ和Ａｌｑ：ＤＣＭ１层之间。不含任何ＴＰＤ：ＣｕＰｃ层或仅含单层ＴＰＤ：ＣｕＰｃ且在较高直流电压（≥８Ｖ）驱动下的器件,它们的发射光谱同时来自ＰＰＶ（５１３ｎｍ）和Ａｌ：ＤＣＭ１（５９１ｎｍ）。相反,当含单层ＴＰＤ：ＣｕＰｃ的器件在较低电压驱动下（＜７Ｖ）或含双层ＴＰＤ：ＣｕＰｃ的器件均具有５９１ｎｍ的发射峰值,这表明在此类器件中Ａｌ：ＤＣＭ１作为电子转移型的发光层而ＴＰＤ：ＣｕＰｃ则作为能有效地阻挡电子的电子阻挡层,因而我们可以通过调整载流子阻挡层的厚度来精确地控制载流子的复合区域从而得到不同的电致发光光谱     

高氯酸钐、六氟磷酸钐在二苯亚砜及苯丁基亚砜配合物中的发光

合成了高氯酸钐二苯亚砜Ｓｍ（ＤＰＳＯ）７·（ＣｌＯ４）３、六氟磷酸钐二苯亚砜Ｓｍ（ＤＰＳＯ）７（ＰＦ６）３、高氯酸钐苯丁基亚砜Ｓｍ（ＰＢＳＯ）７·（ＣｌＯ４）３三个配合物．测定了配合物的组成、摩尔电导及粉晶荧光激发和发射光谱．荧光光谱测定结果表明：Ｓｍ（ＤＰＳＯ）７（ＣｌＯ４）３的发光强度最高，其中４Ｇ５／２→６Ｈ７／２谱带强度高达１１９．３ｃｄ．这说明ＤＰＳＯ二苯亚砜作为配体受激发后将能量传递给Ｓｍ３＋使其敏化发光的能力高于苯了基亚砜．另外在一定的条件下阴离子ＣｌＯ可以增强Ｓｍ３＋的发光性能．     

Ca_8Zn（SiO_4）_4Cl_2：Eu~（2＋），Mn~（2＋）荧光体中Mn~（2＋）的晶晶学格位及Eu~（2＋）－Mn~（2＋）间能量传递

合成了Ｃａ８Ｚｎ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｅｕ（２＋），Ｍｎ（２＋）荧光体，对荧光体进行了结构和光谱的测试与分析．结果表明，Ｍｎ（２＋）优先占据四面体配位的Ｚｎ格位，Ｅｕ（２＋）－Ｍｎ（２＋）之间存在着有效的能量传递．     

有机掺杂红色发光二极管的特性研究

研究了不同掺杂浓度掺杂Alq3：DCM体系有机发光二极管的电致发光（EL）特性,根据实验结果,指出器件的EL发射峰值跟作为受体的DCM在给体Alq3中的掺杂浓度有关,应用Forster能量传递理论对其机理进行了解释。     

TPD：CuPc LB薄膜电子阻挡层对电致发光的影响

ＴＰＤ：ＣｕＰｃ ＬＢ薄膜作为电子阻挡层被引入到ＩＴＯ／ＴＰＤ：ＣｕＰｃ／Ａｌｇ：ＤＣＭ１／Ａｌ电致发光器件中的ＰＰＶ和Ａｌｑ：ＤＣＭ１层之间,不含任何ＴＰＤ：ＣｕＰｃ层或仅含单层ＴＰＤ：ＣｕＰｃ且在较高直流电压（≥８Ｖ）驱动下的器件,它们的发射光谱同时来自ＰＰＶ（５１３ｎｍ）和Ａｌ：ＤＣＭ１（５９１ｎｍ）。相反,当含单层ＴＰＤ：ＣｕＰｃ的器件在较低电压驱动下（〈７Ｖ）或含双层ＴＰＤ：ＣｕＰｃ的器     

现代技术中的微量级热现象

近年来，在制造具有新颖结构的微型器件和材料（例如微电子器件、微机电系统和各种先进材料）方面取得了巨大的进展。这种发展使得热科学领域中的热现象。从发生在大量级结构中转移到发生在级结构中。对于更好地理解和控制能量传递而言，这种转移既提出了挑战又提供了机遇。本文从微尺寸、微结构和微时间三方面说明了上述微量级热现象。     

硼酸镁中Ce^3＋,Gd^3＋对Sm^3＋发光的敏化作用

研究不同组成铈钆钐激活硼酸镁的发光光谱、激发光谱和发光寿命表明:在254nm紫外光激发下,只含Sm~(3+)的硼酸镁发光很弱;Ce~(3+)虽能很好地吸收紫外光,但只能将一部分能量传递给Sm~(3+);依靠Gd~(3+)的能量传递中间体作用,铈钆钐共激活的硼酸镁中Sm~(3+)的发光明显地增强。Ce~(3+)、Gd~(3+)和Sm~(3+)间能量传递的机理为共振传道。     

Te掺杂ZnSe/[(CdSe)_l(ZnSe)_3]_m超晶格荧光光谱

对垒区Ｔｅ掺杂浓度不同的ＺｎＳｅ／［（ＣｄＳｅ）１（ＺｎＳｅ）３］ｍ短周期超晶格量子阱的稳态和瞬态荧光进行了实验研究，通过不同激发强度下逐级饱和过程测得ＺｎＳｅ垒区自由激子寿命为３５ｐｓ，［（ＣｄＳｅ）１（ＺｎＳｅ）３］７阱区自由激子寿命为１７７ｐｓ，束缚在不同ｎ值的Ｔｅｎ束缚激子的复合寿命为０．５～１０ｎｓ．揭示了Ｔｅ掺杂浓度对能量传递、荧光波长和荧光寿命的灵敏的影响及其规律．     

Te掺杂ZnSe／[（CdSe）1（ZnSe）3]m超晶格荧光光谱

对垒区Ｔｅ掺杂浓度不同的ＺｎＳｅ／［（ＣｄＳｅ）１（ＺｎＳｅ）３］ｍ短周期超格量子阱的稳态和瞬态荧光进行了实验研究，通过不同激发强度下逐级饱和过程测得ＺｎＳｅ垒区自由激子寿命为３５ｐｓ，［（ＣｄＳｅ）１（ＺｎＳｅ）３］７阱区自由寿命为１７７ｐｓ，束缚在不同ｎ值的Ｔｅ束缚激子的复合寿命为０．５－１０ｎｓ。揭示了Ｔｅ掺杂浓度对能量传递、荧光波长和荧光寿命的灵敏的影响及其规律。     

三价铈离子激活的（Ce,Y,Mg）Al11O19磷光体的发光特性

研究了（Ｃｅ，Ｙ，Ｍｇ）Ａｌ１１Ｏ１９系紫外发光材料的发光特性，组分含量对激发光谱，发射光谱，发光强度的影响及不同助熔剂对发光性能的影响。用Ｘ射线粉末衍射方法确定了Ｃｅ０．７Ｙ０．３ＭｇＡｌ１１Ｏ１９的晶体属磁铅矿型结构，晶胞参数：α＝００．５５９８ｎｍ，ｃ＝２．１９１５ｎｍ。在波长为２５４ｎｍ的紫外光激发下，这种磷光体有较强的紫外发射和较小的光衰性能。