La0.7Sr0.3MnO3薄膜的溶胶凝胶法制备及电特性研究

利用溶胶凝胶法在单晶LaAlO3（100）衬底上成功的外延生长了La0．7Sr0．3MnO3薄膜。用X射线衍射、直流四探针法对其进行了研究。结果表明，薄膜为赝立方钙钛矿结构，晶胞参数为α=3．872nm，具有良好的单晶外延结构。电阻率随着温度的增加，从金属导电行为向绝缘体行为转变，利用双交换理论对此现象作了合理的解释，转变点温度为TMI=340K。其电阻率在T〈TMI时满足ρ=ρ0＋ρ1T^2，其导电机制是电子与电子的散射，在T〉TMI时主要是小极化子输运。     

La0.67Sr0.33MnO3/CuO纳米复合体系的微结构及电磁特性研究

采用溶胶-凝胶法制备了La0.67Sr0.33MnO3纳米多晶样品,用沉淀法制备了CuO纳米微粉,将两种粉体充分混合、压片后烧结,经室温X射线衍射检测分析后表明,复合后两相是以各自的独立相存在。通过直流磁化强度测量以及标准四探针法对材料电磁特性进行研究,结果表明复合CuO后体系的居里温度基本保持不变,但磁化强度变小,这主要是由于CuO加入对整个体系的磁性起稀释作用;复合CuO后体系的电阻率增大,出现了金属-半导体转变的较宽的峰值,且该转变温度低于居里温度,这是由于CuO的复合增强了La0.67Sr0.33MnO3的外禀属性。     

（La1-xEux）2／3Sr1／3MnO3室温低场磁电阻效应

采用溶胶凝胶法,以半径较小的Eu3 部分替代离子半径较大的La3 ,制备一系列 (La1xEux)2/3Sr1/3MnO3大块多晶试样(x=0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7),对试样进行X射线衍射表征,分析Eu掺入量对试样晶体结构的影响.测量试样居里温度、电阻率、室温低场磁电阻等电磁行为.结果表明:随着Eu掺入量的增大,A位的平均离子半径减小,试样居里温度降低,电阻率升高,x=0.2试样在室温低场(H=0.87 T)下磁电阻达到-6.53%.室温低场磁滞回线显示Eu掺入量增加,比饱和磁化强度反而降低.     

溶胶-凝胶技术制备(Pb,La)TiO_3薄膜的实验研究

本文研究了溶胶-凝胶技术中溶液浓度、PH值、匀胶转速和热处理条件对PLT薄膜性能的影响规律.用该技术在SrTiO_3和MgO单晶基片上制备了具有钙钛矿型结构的择优取向PLT薄膜.在硅单晶和石英玻璃基片上制备了钙钛矿型结构的PLT陶瓷薄膜.     

(Ba0.8Sr0.2)TiO3薄膜的室温发光行为研究

以醋酸钡和钛酸丁酯基特殊前驱体为原料,采用溶胶凝胶法制备钛酸钡锶(Ba0.8Sr0.2)TiO3(BST0.8)铁电薄膜,研究了组织结构、微观形貌和光致发光性能.结果表明,非晶BST0.8铁电薄膜表面表现为尺寸约为20 nm左右的岛状结构,光滑致密,无裂纹和孔洞等缺陷,1μm2表面粗糙度约为1.74 am.激发波长为450nm时,在室温环境下非晶BST0.8薄膜在波长520～610 nm处发出强烈的可见光,峰值为540～570 nm,结晶态的BST0.8薄膜无发光现象.非晶BST0.8薄膜在波长330～900 nm范围表现为极高的透过率,光学透过率大于80%,最高峰值达93%.     

溶胶—凝胶法制备（Ba0.5Sr0.5）TiO3铁电薄膜及电性能研究

了一种以水为溶剂的（Ba0.5Sr0.5)TiO3(BST)源溶液,用Sol-Cel技术制备出BST薄膜,并研究了薄膜的结构和电性能,结果表明,厚度为160nm,700度保温1h的（Ba0.5Sr0.5)iO3薄膜呈现纯钙钛矿结构,在室温下,介电常数为220,介电损耗为0．047,漏电流密度为8.0*10^-8A/cm2,进一步研究发现,随着烧结温度的升高,薄膜的介电常数增高,介电损耗降低。     

La2／3Ca1／3—0.05Sr0.05MnO3稀土锰氧化物材料结构对性能影响分析

用固相反应法制备了La2/3Ca1/3-0.05Sr0.05MnO3锰氧化物材料,用Rietveld方法分析了样品的结构,结果表明,样品中93．76％的正交结构（Pnma),另外还有6．24％的Mn3O4存在;通过对样品低温电阻率变化特性及磁性质的测量发现低温下电阻率峰值（Tp）和磁相变温度（Tc)相差很大,文章初步分析了这一结构和电磁特性的相关性。     

溶胶—凝胶法制Al2O3感湿薄膜

采用溶胶－凝胶法制备了Ａｌ２Ｏ３感湿薄膜，并通过大量实验，研究了溶胶的配制，涂覆层数及热处理工艺，对其感湿特性也进行了测试。     

用溶胶——凝胶法制备SrTiO3纳米薄膜材料

为制备具有电容和压敏特性的ＳｒＴｉＯ３双功能器件,以Ｓｒ（ＮＯ３）２,Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４为原料,用溶胶－凝胶方法制备ＳｒＴｉＯ３材料,研究了水和醋酸等对ＳｒＴｉＯ３材料的影响机理,并对其进行Ｘ－射线衍射、红外光谱和ＴＥＭ分析,证明该薄膜为纳米晶体结构,晶粒尺寸为１２－２５ｎｍ。     

钙钛矿型锰氧化物La0.7Sr0.3MnO3的磁谱研究

报导了钙钛矿型锰氧化物La0.7Sr0.3MnO3多晶体材料不同温度下磁谱的初步研究结果，平均粒径分别为45、66、105、140和1200nm的样品由溶胶－凝胶法制备，当平均粒径大于105nm时，样品的磁谱为典型的预豫型谱线，共振频率和准静态磁导率随温度降低而减少；随平均粒径增加，准记磁导率增大，而共振频率却减小，当平均粒径小于66nm时，观察不到类似的驰豫，实验结果显示，驰豫谱线主要是由于畴壁位移造成的，而畴壁位移的阻尼主要是与畴壁位移相联系的微观涡流效应。     

La0.8Sr0.2Co0.5Fe0.5O3纳米粉料的制备与表征

采用溶胶 凝胶法合成了中温固体氧化物燃料电池阴极材料La0 .8Sr0 .2 Co0 .5Fe0 .5O3 (LSCF)粉体 .用热重分析 (TG)、差热分析 (DTA)、X射线衍射分析 (XRD)、扫描电镜 (SEM )、透射电镜 (TEM )、傅里叶红外 (FT IR)、BET和元素分析仪对热分解机理和粉体的性质进行了研究 .结果表明 ,随着温度的不断升高 ,凝胶先经过失水过程 ,然后发生有机物和部分硝酸盐的分解及碳酸盐的生成 ,5 0 0℃时开始形成钙钛矿相 ,6 0 0℃时硝酸盐完全分解 ,80 0℃时残余的碳酸盐完全分解并形成单相的钙钛矿晶型结构 ;在 80 0℃焙烧 2h ,粉体的平均粒径为 34.2nm ,比表面积为 2 8.2m2 / g .     

以LaNiO3作为底电极的Pb(Zr0.3,Ti0.7)O3铁电薄膜的性能研究

采用溶胶－凝胶法在Si(100）衬底上制备了LaNiO3薄膜，采用相同方法在LaNiO3/Si(100）上制备了Pb（Zr0.3,Ti0.7）薄膜，对LaNiO3薄膜和Pb(Zr0.3,Ti0.7）O3薄膜的结晶性，表面形貌和电性能进行了研究。     

Nd0.5Sr0.4Pb0.1Mn1-xFexO3氧化物的结构和电磁特性研究

对Nd0．5Sr0．4Pb0．1Mn1-xFexO3系列多晶样品的结构和电磁特性进行了实验研究,并用双交换模型对实验结果作了解释,在x=0．00～0．08范围内获得了单相样品．Fe^3 的替代没有引起整个系列样品的结构变化,空间群为Pbnm,但Fe的掺杂强烈地抑制了双交换作用．当x≤0．06时．随着温度从5K升高到325K．样品经历了铁磁金属态向顺磁半导态的转变．当x≥0．08时．铁磁态完全消失过渡为绝缘态．     

La0.85Na0.15MnO3的结构、磁性质和输运性质

实验研究了由Pechini方法制备的La0.85Mn0.15MnO3多晶陶瓷样品的结构,磁性质和输运性质,发现La0.85Na0.15MnO3的居里温度正好接近定,在该温度附近,伴随铁磁相到顺磁相的转变,同时发生金属－半导体转变,且在居里温度附近,0．5T外磁场下的最大磁电阻可达14％,理论与实验对比可知,在居里温度以上小极化子非对角跳跃为为主要导电机制。     

退火温度对氧化铝薄膜性质的影响

<正>随着集成电路中晶体管特征尺寸的逐渐减小,目前场效应晶体管栅介质SiO2的厚度已经减小到纳米量级,隧道效应产生的较大漏电流使得SiO2栅介质丧失了良好的绝缘效果[1]。由于高介电常数材料(高k材料)可以在保持电容密度不变的同时增大栅介质的物理厚度[2,3],因此使用高k材料替代SiO2作为栅介质层是目前最有希望解决此问题的途径。为维持半导体产业继续依照摩尔定律向前发展,高k栅介质层已经成为当前的研究热点[4,5]。在众多的高k材料中,Al2O3因具有良好的综合性质而倍受瞩目,如高的介电常数     

溶胶—凝胶法制备TiO2薄膜及其光学特性

采用溶胶－凝胶方法在二氧化硅玻璃基片上制备了TiO2薄膜,通过测量薄膜在紫外－可见光波段的透射率和反射率光谱,对其光学特性和吸收边缘进行了研究。实验结果表明,吸收边缘大约在350nm附近,并且随热处理温度的升高,吸收边缘向长波方向移动,锐钛矿相的禁带宽度比金红石相的禁带宽度高0．15eV。     

纳米TiO2薄膜的制备及其光学特性研究

采用溶胶－凝胶法制备了纳米ＴｉＯ２薄膜,ＸＲＤ研究表明,纳米ＴｉＯ２薄膜随着热处理温度的升高,发生了从非晶状态向锐钛矿相的转变,最后转化为金红石相,ＵＶ－ＶＩＳ、俞 米ＴｉＯ２薄膜的致密度与成膜条件有关,Ｒａｍａｎ表明,随热处理温度的升高,纳米ＴｉＯ２薄膜的振动峰位发生移动,并且谱带明显宽化,表现出尺寸效应。