多晶硅发射区低温晶体管电流输运模型的理论分析

对于小尺寸的多晶硅发射区双极晶体管，该文在忽略基区与单晶发射区少子复合的条件下，根据单晶与多晶硅界面复合与隧穿等不同机制的共同作用、建立了发射区注入电子电流Ｊｎ和基区注入空穴电流Ｊｐｓ的一维非线性解析模型。该模型可适用于低温和不同的注入偏置条件，对低温双极器件交直流性能的模拟既快速方便，同时精度也较高，可作为低温器件多维数值模拟的重要补充以指导其优化设计。     

硅晶体管禁带宽度的测定方法

禁带宽度是硅晶体管的一个重要物理参数.本文提出了根据晶体管发射结pn结反向饱和电流在发射区部分的温度特性和集电结正向偏置电压的温度特性,利用线性外推法确定硅晶体管各区域禁带宽度的新方法.由于发射区重掺杂,本文还考虑了载流子的简并情况.     

新型微功耗集成漂洗发射极晶体管

研制了磷穿过热生长薄氧化层扩散形成发射区的高频集成漂洗发射极晶体管.从与常规晶体管比较的角度,研究了这种新型的漂洗发射极晶体管的直流特性、电流增益与集电极电流及温度的关系、发射区禁带变窄效应和表面复合效应对增益的影响,并比较分析了两者的磷杂质纵向分布.     

光电晶体管基区分布电阻的计算

给出了包括解析式外基区电阻和从SEDAN程序计算得到的基区Gummel数在内的内基区电阻的计算.结果表明该电阻与光敏区面积、发射区边长、发射区位置、发射极电流等因素有关.方形光敏区中发射极的最佳位置在中心;光敏区边长对发射区边长的最佳比值是7.578425:1.这些结果将被用于设计低噪声和高频光电晶体管.     

水基石墨烯纳米流体黏度的实验研究

采用两步法制备水基石墨烯纳米流体并进行表征,使用乌氏黏度计测量水基石墨烯纳米流体在15~45℃时不同质量分数(0.03%、0.07%、0.10%、0.15%)下的黏度。结果表明,水基石墨烯纳米流体的黏度随温度的升高而减小,与基液的黏度变化趋势一致;在水基石墨烯纳米流体密度随温度变化很小时,黏度的增加量仅随温度出现小幅波动;纳米流体的黏度随石墨烯浓度的增大而增大,温度在15~45℃时,0.15%纳米流体黏度的最大增量达到2.14%。通过黏度模型的验证可知,在低浓度时,对水基石墨烯纳米流体黏度的预测需考虑纳米粒子形状的影响,纳米粒子尺寸的影响不大。     

Er2Fe17-xSix(x=O,1,2)合金的分子场理论分析

用两格点子分子场理论分析了合金Er2Fe17-xSix(x=0,1,2)的饱和磁化强度随温度的变化关系,得到了分子场系数nEE、nEF、nFF,计算了居里温度,给出了分子场强度HEr(T)、HFe(T)随温度变化的曲线。结果表明,当x增加时,分子场系数nFF明显增大,分子场强度HFe(T)亦随之增大,而HEr(T)在较低温区域减小,在较高温区增大,并且nFF的增大是居里温度提高的主要原因。     

温度和应变率对泡沫镍拉伸行为的影响

研究了泡沫镍分别在四种不同应变率和四种不同温度下的单轴拉伸行为，结果表明：泡沫镍的力学性能(强度和模量)随应变率增大而增大，随温度升高而降低。同时，还给出了泡沫镍的强度和模量随相对密度、温度和应变率变化的表达式。     

Er_2Fe_(17-x)Si_x(x=0,1,2)合金的分子场理论分析

用两格点分子场理论分析了合金 Er2 Fe17- x Six( x=0 ,1 ,2 )的饱和磁化强度随温度的变化关系 ,得到了分子场系数 n EE、n EF、n FF,计算了居里温度 ,给出了分子场强度 HEr( T)、HFe( T)随温度变化的曲线 .结果表明 ,当 x增加时 ,分子场系数 n FF明显增大 ,分子场强度 HFe( T)亦随之增大 ,而 HEr( T)在较低温区减小 ,在较高温区增大 ,并且 n FF的增大是居里温度提高的主要原因     

抑制晶体管有源寄生效应研究

利用基尔霍夫电流定律修正双极晶体管的EM(Ebers-Moll,EM)模型,使得它适合描述4层结构的数字集成晶体管.利用数学软件MathCAD,对获取的EM模型数据作无近似处理.通过观察流经各个PN结的电流变化,可以研究数字晶体管在不同工作状态下寄生晶体管的效应.从而作为改善高集成情况下寄生效应的理论依据.     

伯胺N_(1923)对贵金属萃取的研究 Ⅱ.在盐酸浴液中对金的萃取及机理

伯胺N_(1923)是金的良好萃取剂,在不同稀释剂中,N_(1923)对金的萃取能力的顺序为:环已烷>正已烷>二氯甲烷>苯>四氯化碳>三氯甲烷,其萃取情况与铂相近。萃取率随氢离子浓度的增大而降低,但随氯离子的浓度的增大而升高,这可能是氯化钠的盐析作用的缘故。用恒摩法和斜率法测定被萃物中胺与金属的比例,结果都是1:1,但反萃时有一部分金不能被反萃下来,说明除了离子对缔合萃取体系之外,同时还有内配位络合萃取体系,其被萃物对前者是RNH_3AuCl_4,对后者为[RNH_2AuCl_3]。     

一种聚合物ERF的温度依赖性

研究了温度对ＥＲＦ表观粘度和对通过其电流大小的影响．温度对ＥＲＦ表观粘度的影响，在无电场和给定电场下是完全相反的，零电场下其粘温关系符合Ａｎｄｒａｄｅ方程，温度升高，其表观粘度变小；在给定电场下，其表观粘度随温度上升而增加．通过ＥＲＦ中的电流随温度升高而加大．     

硅中电离率与有效多数载流子浓度的温度关系

该文研究了重掺杂引起的禁带变窄效应对电离率与有效多功流子浓度的影响；建立了从７７Ｋ到３００Ｋ广为适用的数学模型，获得的计算结果在轻掺杂时与已有的计算数据相一致；而在重掺杂时，解决了已有文献未能解决的难题；杂质电离率随掺杂浓度的增大而上升的定量计算。     

硅浅杂质能级的低温陷阱效应

分析了硅浅杂质能级的低温陷阱效应，给出了ｐ型硅中不同注入水平下导带中注入电子与总电子数目之比ｎｏ／ｎＴ的表达，主要结果表明在低注入条件下，浅杂质能级陷阱效应对于低温下双极器件的频率特性有着巨大影响，而在高注入水平下，由于总的注入电子数目大大超过被陷电子数目，从而克服了这一低温陷阱效应，可以忽略。     

低温下KTaO3陶瓷的介电非线性

用均衡热压法制备的性能优良的KTaO₃陶瓷,通过测量低温下介电常数与偏置电场的关系,研究它们的介电非线性.结果表明,在温度60K以下,介电常数与偏置电场强度有关;温度愈低,介电非线性愈强烈;这与KTaO₃陶瓷在低温下表现出具有量子顺电性质特征相应.根据Devonshire模型,用最小二乘法使实验数据与之相吻合,估算出KTaO₃陶瓷的介电非线性系数值,并与单晶的数据进行比较.结果表明,KTaO₃陶瓷与其单晶一样,也是有希望在超高频低温电子学中实现非线性相互作用的材料.     

Ni-Cu-Re合金自生氧化物对其摩擦磨损行为的影响

研究了Ni-Cu-Re系合金的高温摩擦行为以及影响其磨损系数的因素。结果表明在高温时当其表面生成一层完整的氧化膜后,其摩擦磨损性能得到了改善,在现有的镍基合金中加入一定量的铼、铜,有可能使其成为一种高温自润滑材料。     

无尾两栖类冬眠研究进展

本文对无尾两栖类冬眠时的方式、形态、生理、生化及生物钟等影响进行了综述,冬眠对于无尾两栖类外部形态和内脏形态有一定的影响,起到保护和利于呼吸作用,引起呼吸、温度、心跳等变化,相对于活动期时降低,血糖升高,脂肪系数,肝系数提高,乳酸脱氢酸(LDH)同工酶LDH_1显著降低(P<0.01),LDH_5显著升高(P<0.01).红细胞,红血蛋白亦增加;同时也知道生物钟存在的部位松果体,视上核对冬眠有一定的影响.     

用10.6μm红外激光辐照在硅中掺入铝和锑制备大面积p-n结的研究

用脉冲高能红外激光(波长10.6μm),在N型和P型单晶硅中分别掺入铝和锑,制备了最大面积可达φ20mm的p-n结.激光掺杂存在一个阈值能量密度.掺杂浓度和深度的分布与预热温度和杂质镀层厚度有关.并对p-n结的伏安特性,扩散层薄层电阻和光生电压进行了测试.     

亚锰酸盐La0.7CaxSr0.3-xMnO3的磁电阻效应

研究了用固相反应法制备亚锰酸盐La0.7CaxSr0.3xMnO3系列多晶样品(量分数x＝0．05，0．10，0．15，0．20，0．25，0．30)，并在零磁场和0．3T磁场下研究了电阻和磁电阻与温度(77—380K)的关系，结果发现随x的增加，样品的巨磁电阻效应的峰值温度向高温移动，磁电阻峰值基本保持不变.     

高压对NiCr—NiCu热电偶的温度影响

在室温和液氮温度下,压强在0—20kbar(1bar=10~5Pa)变化范围内,测量了NiCr-NiCu热电偶的压力热电势随压强的变化关系.测量结果表明:在室温和液氮温度下,压力热电势均随压强增高,在0.1K的温度测量精度、0—20kbar的压强范围内,压力热电势不会对温度测量带来影响.