HG-ICP-AES法测定山豆根中的微量元素

建立微波消解-氢化物发生-电感耦合等离子体发射光谱联用技术测定中药山豆根中砷、锑、铋和锡的方法,对微波消解、氢化物发生、电感耦合等离子体原子发射光谱等工作条件进行优化,对还原剂L-半胱胺酸浓度进行了选择.在最佳工作条件下,砷、锑、铋和锡的检出限分别为0.006、0.009、0.003和0.005μg·g-1,相对标准偏差分别为6%、2%、3%和3%(n=10);加标回收率分别为102%、95%、98%和110%.     

四核链型M—Fe—S（M=Mo,W）原子簇化合物的成键特征

用MAD—SCC—EHMO法计算了3个4核链型M—Fe—S(M=Mo,W)原子簇化合物[Fe_2S_2(MoS_4)_2]~(4-)、[Fe_2S_2(MoS_2O_2)_2]~(4-)和[Fe_2S_2(WS_4)_2]~(4-)的电子结构,根据计算所得的分子轨道能级、轨道特征和Mulliken约化重叠集居等数据,对其成键性质进行了分析。指出了在簇合物的成簇过程中,由于电子从Fe原子转移到M原子,使得簇合物中M的表观氧化态低于碎片M_2S_2X_2~(2-)中M的表观氧化态,本文还根据Mulliken约化重叠集居和电荷密度变化的分析,给出簇合物电子的离域性顺序([Fe_2S_2(MoS_4)_2]~(4-)>[Fe_2S_2(MOS_2O_2)_2]~(4-)>[Fe_2S_2(WS_4)_2]~(4-))。     

微波消解氢化物发生-ICP-AES测定巴豆中砷锑铋

建立了微波消解-氢化物发生-电感耦合等离子体发射光谱联用技术测定中药巴豆中砷、锑、铋的方法,并对微波消解、氢化物发生条件、电感耦合等离子体原子发射光谱工作条件等进行了优化选择,砷、锑、铋的检出限分别为1.5,1.9,1.2μg·L-1,相对标准偏差分别为4.1%,3.8%,4.2%,结果满意.     

锑在硫酸溶液中阳极形成膜半导体性质的研究(Ⅰ)

本工作研究了锑电极在0.9V(VS. Hg/Hg_2SO_4)分别于4.5mol/LH _2SO_4和0.05mol/LH_2SO_4+0.5mol/LNa_2SO_4溶液中,恒电位阳极成膜3小时后膜的主要组成及其生长规律以及膜的半导体性质。x射线衍射分析、线性电位扫描证实锑在上述两种溶液中阳极膜的组成不同,前者主要由Sb_2O_3和Sb_2(SO_4)_3组成,后者是Sb_2O_3。交流阻抗测量和白光电流分析,前者是一种无定形n-型半导体,后者是晶形半导体且平带电位和载流子密度分别为-0.31V(VS. Hg/Hg_2SO_4/0.05mol/LH_2SO_4)和4.0×10~(19)cm~(-3)。     

团簇V_3BP成键方式及其磁学性质

基于拓扑学原理、DFT和B3LYP/Lanl2dz对原子簇V_3BP进行全过程优化,取能量相对较低的8种稳定构型,对其电子结构和轨道杂化进行系统研究。结果发现:P—B键的形成是由B-2s和P-3s轨道的s-s杂化导致的,而V-3p、V-3d、B-2p轨道的p-d-p杂化和V-3p、V-3d、P-3p轨道的p-d-p杂化导致了V-B、V-P键的形成。团簇V_3BP中还存在p-d-p-p杂化。团簇构型越相似,其态密度分布及在各处的贡献就越相近。V-3d轨道成单电子是原子簇磁性的主要形成来源;团簇构型p轨道未配对电子对构型1~(4)、1~(2)、2~(2)与3~(2)的磁性有一定贡献,对其他构型磁性贡献较小;s轨道成单电子所起贡献同样很小。此外,B、P原子的掺杂致使团簇的磁性降低。     

Si4X(X=C,N,O,F,Si,P,S,Cl)结构和稳定性的理论研究

利用Gussian-98程序，B3LYP方法，在6-311G^*水平上对Si4X(X=C^*，N，O，F，Si，P，S，Cl)原子簇的几何构型进行优化和频率计算。得出各原子簇的稳定结构。结果表明，Si5原子簇的最稳定构型具有D3b对称性,用杂原子X(X=C,N,O，F,P,S,Cl)取代Si5原子簇中的Si原子，几乎都得到C3v和C2y对称的稳定构型(Si4F原子簇只有C2v对称的稳定构型，Si4Cl原子簇不存在这两种稳定构型)。对具有相同对称性的杂原子簇中Si—X键长变化规律进行研究。发现同一周期从左到右，Si—x键长与其对应的原子共价半径和相比较，其键长变化率逐渐增大,杂原子的加入对原Si5原子簇中的其它Si-Si键长影响不大。     

原子簇NiFeB2的结构及催化性能

利用DFT(密度泛函理论)方法,对原子簇NiFeB2的10余种可能构型在单重态下进行优化计算,分析比较了优化结果的能量、成键、电荷分布情况及不同构型的催化性能.结果表明:原子簇NiFeB2以B-B键较长的三角锥形1构型最稳定,是原子簇NiFeB2最有可能存在的构型,B-B在Ni-Fe异侧的平面四边形2构型次之;Ni-B,Fe-B原子间有强烈的成键作用且Fe-B间作用力比Ni-B间作用力大;各构型中电子由B转向Ni,Fe;在形成原子簇NiFeB2的过程中Fe,B原子的所有轨道均参与成键,Ni原子的4p,4s在其成键中起主要作用;除了B-B键较短的三角锥形3构型外的其它构型中Fe原子的催化活性高于Ni原子,B-B键较短的三角锥形3构型和直线型4构型可能具有较好的催化性能;在催化加氮和加氢上直线型4构型具有较好的催化活性.     

锑掺杂钒磷封接玻璃的析晶稳定性研究

以80V_2O_5-20P_2O_5-xSb_2O_3(x=0,1,3,5mol%)系统玻璃为研究对象,对其进行红外吸收光谱、拉曼光谱、X射线光电子能谱和固体静态核磁共振测试,研究玻璃的网络结构,分析钒磷玻璃中掺杂锑后析晶稳定性提高的机理.结果表明:钒磷系封接玻璃中加入少量的Sb_2O_3后,玻璃网络结构中桥氧比例增加,非桥氧比例下降;同时V~(4+)/V~(5+)增加,这两点原因导致形成V_2O_5晶相所需的V=O键大幅断裂,抑制了该晶相的生成.Sb_2O_3的引入,破坏了网络平衡态的结构,使(VO_3)_n单链逐渐转化为(V_2O_8)n锯齿状链,玻璃结构更加紧密,难以析晶,析晶稳定性提高.     

钼兰法分光光度测定砷磷硅——用赤霉素作新有机还原剂

本文报告砷和磷及硅在沸水浴加热的条件下与分别于1. 32和1. 92N 硫酸及2. 4盐酸介质中,借砷钼、磷钼和硅钼的杂多酸被赤霉素还原成相对应的钼杂多兰的水相显色反应作分光光度测定微量砷、磷和硅。兰色化合物可稳定一日以上;砷、磷和硅的摩尔吸光系数分别为2. 64×10~4、 2. 4×10~4和3. 51×10~4升·摩尔~(-1) ·厘米~(-1) ;桑德尔灵敏度分别为0. 0028、 0. 0013和0. 0008微克/厘米~2。方法灵敏、准确、简便,新还原剂又很稳定,优点甚多。     

原子簇NiFeB_2的结构及催化性能

利用DFT(密度泛函理论)方法,对原子簇NiFeB_2的10余种可能构型在单重态下进行优化计算,分析比较了优化结果的能量、成键、电荷分布情况及不同构型的催化性能。结果表明:原子簇NiFeB_2以B-B键较长的三角锥形1构型最稳定,是原子簇NiFeB_2最有可能存在的构型,B-B在Ni-Fe异侧的平面四边形2构型次之;Ni-B,Fe-B原子问有强烈的成键作用且Fe-B间作用力比Ni-B间作用力大;各构型中电子由B转向Ni,Fe;在形成原子簇NiFeB_2的过程中Fe,B原子的所有轨道均参与成键,Ni原子的4p,4s在其成键中起主要作用;除了B-B键较短的三角锥形3构型外的其它构型中Fe原子的催化活性高于Ni原子,B-B键较短的三角锥形3构型和直线型4构型可能具有较好的催化性能;在催化加氮和加氢上直线型4构型具有较好的催化活性。     

在铜熔炼过程中第VA族元素分配行为的计算机模型

借助于多相、多成分系统中平衡计算的计算机辅助手段，提出了第ＶＡ族元素砷、锑和秘在铜熔炼过程中分配行为的计算机模型，该模型以实际铜熔炼生产过程的操作条件进行模拟，其模拟结果与所采集的生产数据一致性很好，因此，该模型可用于对铜熔炼中脱除砷、锑、铋的操作条件进行鉴定和优化，为铜熔炼过程中控制第ＶＡ族元素分配行为的冶炼新方法和最佳冶炼操作条件提供决策依据。     

Mo和Re(n-1)f轨道在双核四重键卤化物中的作用

研究了Mo和Re原子(n—1)f轨道在双核四重键卤化物中的成键作用.结果表明当基集合中考虑金属原子的(n—1)f轨道时,体系总能量及π和δ能级明显降低,金属原子间电子出现的几率有较大增加.对δ→δ~*电子跃迁光谱的近似估算同样表明,在这些过渡金属双核卤化物中,金属(n—1)f轨道对四重键的形成起了重要作用.     

激光溅射产生团簇负离子C_nX~－（X＝N，P，As，Sb和Bi）

通过激光溅射固体样品，产生了ⅤＢ簇元素的杂碳团簇ＣｎＸ－（Ｘ＝Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ和Ｂｉ）．随着从Ｎ到Ｂｉ的变化，ＣｎＸ－的奇偶效应也产生了由奇强偶弱变化到偶强奇弱变化．根据Ｐｉｔｚｅｒ等人提出的杂化轨道理论和Ｈｕｃｋｌｅ模型，结合ⅤＢ簇元素性质的变化规律，对实验现象给予了可能的解释：本文认为ＣｎＮ团簇取直链构型（∶Ｃ≡Ｃ—Ｃ≡Ｃ···Ｃ≡Ｎ∶），Ｃｎ与Ｎ之间形成共价键；对于ＣｎＢｉ团簇，Ｃｎ与Ｂｉ之间可能形成离子键（Ｃｎ仍为类似聚炔的直链共轭体系）；对于其它三种团簇可能存在Ｃｎ与Ｘ之间离子键与共价键共振，随着电负性由大到小，共价键成分逐渐减弱，而离子键成分逐渐增强，因此出现了奇偶效应的变化．     

Role of trivalent antimony in the removal of As, Sb, and Bi impurities from copper electrolytes

The role of trivalent antimony was investigated in removing As, Sb, and Bi impurities from a copper electrolyte. Purification experiments were carried out by adding a various concentrations of Sb(III) ions in a synthetic electrolyte containing 185 g/L sulfuric acid, 45 g/L Cu2+, 10 g/L As, and 0.5 g/L Bi under stirring at 65℃ for 2 h. The electrolyte was filtered, and the structure, morphology and composition of the precipitate were analyzed by means of chemical analysis, scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD), transmission electron microscopy (TEM), and IR spectroscopy. The precipitate is composed of irregular lumps which are agglomerated by fine dendritic and floccus particles, and it mainly consists of As, Sb, Bi, and O elements. Characteristic bands in the IR spectra of the precipitate are As-OX (X=As, Sb, Bi), Sb-OY (Y=Sb, Bi), O-As-O, As-OH, Sb-OH, and O-H. The precipitate is a mixture of microcrystalline SbAsO₄, (Sb,As)₂O₃, and amorphous phases. As, Sb, and Bi impurities are effectively removed from the copper electrolyte by Sb(III) ions attributing to these precipitates.     

砷锑价态对铜电解液中砷锑铋脱除率的影响

采用SO2还原,使铜电解液中As(Ⅴ)还原为As(Ⅲ),Sb(Ⅴ)还原为Sb(Ⅲ),并调节电解液中As(Ⅴ)与As(T),Sb(Ⅴ)与Sb(T)的物质的量比,蒸发浓缩电解液,冷却结晶后,能有效脱除铜电解液中As,Sb和Bi等杂质。研究结果表明:当铜电解液体积为3L,Cu的质量浓度为32g/L,As(T)的质量浓度为9.36g/L,Sb(T)的质量浓度为0.65g/L,Bi的质量浓度为0.45g/L,n(As(Ⅴ))/n(As(T))和n(Sb(Ⅴ))/n(Sb(T))分别为0.4时,蒸发浓缩电解液,使浓缩前电解液与浓缩后电解液体积比为2.5,冷却至10℃结晶,过滤,铜电解液中Cu,As,Sb和Bi脱除率分别为82%,62%,55%和85%。蒸发浓缩结晶产物中含CuSO4.5H2O和As2O3。其结晶产物中Cu为29%,As为5%,Sb为0.37%,Bi为0.2%。     

硅中硫族杂质中性多原子集团的电子结构

本文在紧束缚近似下,利用Koster-Slater格林函数方法,研究了硅中代位式三原子集团D_3~0(S_3~0,Se_3~0,Te_3~0)和四原子集团D_4~0(S_4~0,Se_4~0,Te_4~0)的电子结构。给出了D_3~0和三种不同对称位形(C_(3e),C_(2h)和C_1)下D_4~0杂质能级计算结果。还预言了一些杂质态在缺陷集团处的波函数。随着杂质中心上原子数目的增加,施主束缚能变浅。看来,实验观测到的与硫族中心有关的待定施主能级不是非最近邻原子构成的集团所产生的。     

X掺杂团簇Bn+1(n=1~11; X=Be, Mn)的密度泛函研究

本文利用密度泛函理论对BnX(n=1~11; X=B, Be, Mn)基态结构、稳定性、电子构型与磁性开展了系统研究. 结果表明: 团簇BnX( n=5~11; X=Be, Mn)中的X原子均位于高配位,BnBe的基态构型为多重度为1或2的低重态;团簇BnX的平均结合能均随尺寸的增大而逐渐增大,n取值相同时,Bn+1团簇的平均结合能最高. HOMO-LOMO能隙结果表明, 掺杂铍原子、锰原子有利于提高纯硼团簇的化学活性;团簇BnBe中的Be原子是电荷的受体,团簇BnMn中Mn原子轨道电子表现出显著的spd杂化;团簇BnX (X=B,Be)中的开壳层结构磁矩主要由2p轨道贡献. 团簇BnMn均为开壳层结构,总磁矩主要由Mn3d轨道贡献. 随着团簇BnMn尺寸的增大,Mn原子的配位数增大,B-Mn平均键长增大,Mn3d轨道磁矩减小而导致团簇的总磁矩减小.     

Atomic-scale imaging of individual dopant atoms and clusters in highly n-type bulk Si

As silicon-based transistors in integrated circuits grow smaller, the concentration of charge carriers generated by the introduction of impurity dopant atoms must steadily increase. Current technology, however, is rapidly approaching the limit at which introducing additional dopant atoms ceases to generate additional charge carriers because the dopants form electrically inactive clusters. Using annular dark-field scanning transmission electron microscopy, we report the direct, atomic-resolution observation of individual antimony (Sb) dopant atoms in crystalline Si, and identify the Sb clusters responsible for the saturation of charge carriers. The size, structure, and distribution of these clusters are determined with a Sb-atom detection efficiency of almost 100%. Although single heavy atoms on surfaces or supporting films have been visualized previously, our technique permits the imaging of individual dopants and clusters as they exist within actual devices.     

Sb含量对Ni46Mn41In13-xSbx结构、相变和磁性的影响

系统地研究了铁磁形状记忆合金Ni_(46)Mn_(41)In_(13-x)Sb_x(x=0,2,4,6,8,10,12,13)的结构、相变和磁性能.研究表明:系列合金仍然为L21立方结构,原子排列有序度有所提高.居里温度和马氏体逆相变温度在x6时均随x的增大而逐渐降低;在x6时均随x的增大而逐渐升高.磁化强度-温度曲线显示,Sb对In的替代引起主族元素p轨道和过渡族金属d轨道之间p-d轨道杂化作用改变,导致Ni_(46)Mn_(41)In_(13-x)Sb_x奥氏体和马氏体磁化强度变化趋势随Sb含量的增加出现反转.